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质量氮化半导体,氮化半导体加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
        [简介]: 本套资料涉及一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法,能够使在ALN缓冲层上层积的氮化物半导体的晶体质量等质量良好而提高光输出。在蓝宝石衬底1上形成ALN缓冲层2,在其上顺序层积n型AlGaN层3、InGaNGaN活...
2、氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
        [简介]: 在半导体器件100中,通过在表面层12中存在以S换算为30�个cm2~2000�个cm2的硫化物和以O换算为2原子%~20原子%的氧化物,在外延层22与III族氮化物半导体衬底10的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积...
3、III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件
        [简介]: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管,抑制活性层的结晶质量下降,并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管11具有:III族氮化物基板13,其具有半极性的主面13a;n型包层15,由...
4、Ⅲ族氮化物半导体激光二极管
        [简介]: ABO3TiO2MgOIII-V族氮化物半导体异质结构及制备方法,涉及微电子材料领域。本套资料包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜,其特征在于,在衬底基片和功能氧化物薄膜之间,有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒...
5、ABO3TiO2MgOⅢ-V族氮化物半导体异质结构及制备方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构,该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成的第一层;以及由低温下成长的未掺杂或掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中,掺杂Al或...
6、具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中,p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过...
7、用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法
        [简介]: 本套资料提供一种氮化物半导体发光器件,其包括具有高粘着性的正电极和负电极,可以输出高功率,且不产生热;具体地,本套资料提供一种氮化物半导体发光器件,其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半...
8、氮化物半导体发光器件及其制造方法
        [简介]: 主要内容为:一种在发光结构体很少经受破裂,并具有高质量的纵向LED芯片;以及用于生产该LED芯片的方法。所述方法包括:发光层压体形成步骤:层压顺次层压于生长基板上的第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第I...
9、第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片及其制造方法
        [简介]: 本套资料涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件,该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上,该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时,该第IV族衬底表面的单元晶格...
10、第Ⅳ族衬底表面上的氮化物半导体元件层结构
        [简介]: 本套资料主要内容为具有超低位错密度的高质量第三族-氮化物半导体晶体通过颗粒膜外延生长在衬底上,该颗粒膜具有多个垂直排列的球体层,以及具有在球体间形成的无数的微米和或纳米空隙。这些球体可以由各种材料构成,特别是硅石...
11、通过纳米或微米颗粒膜生长的超低位错密度的第三族-氮化物半导体衬底
        [简介]: 本套资料涉及一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法,首先在硅衬底表面形成晶态Si3N4层;然后通入铝源将晶态Si3N4层转化为AlN成核层;最后在AlN成核层上外延生长III族氮化物半导体材料。本套资料提供的生长方法通...
12、一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法
        [简介]: LiNbO3III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在0001面蓝宝石衬底上先生长AlNAlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光...
13、铌酸锂Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
        [简介]: 本套资料提供一种III族氮化物半导体激光器元件,其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上,具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面27、29与m-n...
14、III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种Ⅲ族氮化物半导体器件的制备方法,它包括以下步骤:A在基片上外延出Ⅲ族氮化物层;B在Ⅲ族氮化物层上形成多个凹槽,这些凹槽将Ⅲ族氮化物层分为多个独立的区间;C对多个独立的区间以及位于区间内的基片进行...
15、一种Ⅲ族氮化物半导体器件的制备方法
        [简介]: 本套资料涉及GAN纳米线的脉冲式生长及在族III氮化物半导体衬底材料中的应用和器件。典型实施例提供包含高质量也即无缺陷的族III-N纳米线的半导体器件和一致的族III-N纳米线阵列以及其可定标的制造过程,其中每个纳米线的...
16、GAN纳米线的脉冲式生长及在族Ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件
        [简介]: 硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件,属于半导体材料及器件技术领域。本套资料是关于一种生长在复合中间层表面的三族氮化物半导体的方法及制作相关器件。所述的复合中间层是由在111面硅衬底上形成的一...
17、硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件
        [简介]: 本套资料获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底,以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底1为如下之一:一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面3的酸性物质原子个数为2�以下,并且每平方厘米表面...
18、Ⅲ族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法
        [简介]: 本套资料提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法,使用该方法可以提高生长速率,并且在短时间内生长出较大的高质量晶体,还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素...
19、制造第III族元素氮化物晶体的方法、其中所用的制造装置以及由此制造的半导体元件
        [简介]: 本套资料涉及一种氮化物半导体薄膜及其生长方法。本套资料的优点在于,通过部分蚀刻基底而在基底上形成多个凹槽,在该凹槽内形成防止氮化物半导体纵向生长的脚部,从而氮化物半导体薄膜侧向生长以覆盖脚部的顶部,因此确保了生...
20、氮化物半导体薄膜及其生长方法
        [简介]: 一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法,在基片11的背面基片面11b形成反射层10,该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面基片面11b外周附近的反...
21、硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
22、硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
23、Ⅲ族氮化物半导体激光器
24、Ⅲ族氮化物半导体激光器
25、高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法
26、氮化物半导体器件及其制备方法
27、表面处理方法、氮化物晶体衬底、半导体器件和制造方法

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