【新版】

砷化镓铟,磷化铟加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、制备砷化铟砷化镓量子点太阳电池的方法

[简介]：一种制备砷化铟砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p...

2、制备砷化铟砷化镓量子点太阳电池的方法

[简介]：一种锑辅助生长的砷化铟砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量...

3、锑辅助生长的砷化铟砷化镓量子点太阳电池的制作方法

[简介]：一种硅掺杂的砷化铟砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结...

4、硅掺杂的砷化铟砷化镓量子点太阳电池的制作方法

[简介]：一种宽光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟砷化铟镓砷化镓量子点材料的核心部分...

5、宽光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子点材料生长方法

[简介]：本套资料提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致...

6、一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法

[简介]：一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到*载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层...

7、砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法

[简介]：一种长波长砷化铟砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上...

8、长波长砷化铟砷化镓量子点材料

[简介]：本套资料的异质场效应晶体管具有：InP基板21、经过缓冲层22在所述InP基板上形成的沟道层23、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层25a、和与所述间隔层邻接地形成的载流子...

9、氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置

[简介]：一种自组织砷化铟砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；...

10、自组织砷化铟砷化镓盘状量子点材料的制作方法

[简介]：本套资料化学还原法制备ＩｎＡｓ，ＧａＡｓ的方法，将一定配比的镓或铟和砷的氯化物混合后，在苯、*或其它非水有机溶剂中，按反应计量比加入１．１至３．５倍的还原剂，在密闭和１２０～３５０℃温度条件下反应，固液分离，依次用有机溶剂、稀*、蒸...

11、一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法

[简介]：本套资料提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。对InP-GaAs直接键合结构减薄为100-250μm，进行*吸收光谱特性的二维扫描探测发现，某些区域在波长3.51μm附近出现吸收峰，表明该...

12、一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法

[简介]：本套资料涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防...

13、磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法

[简介]：本套资料为一种在ＩｎＰ衬底上生长ＧａＡｓ单晶薄膜的氯化物ＶＰＥ技术。通过对衬底非生长区域的介质膜保护，分步预热与低温快速生长，抑制了ＩｎＰ衬底的热损伤。对衬底温度与载气Ｈ2流量耦合调制，形成多界面应力释放层，使３．７％的晶格失配...

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