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绝缘栅极场效应,场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、栅极绝缘材料、栅极绝缘膜及有机场效应型晶体管
        [简介]: 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式1表示的硅烷化合物及通式2表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1mSiOR24-m1...
2、栅极绝缘材料、栅极绝缘膜及有机场效应型晶体管
        [简介]: 本套资料提供一组高性能类极性绝缘栅场效应晶体管100、108、112、116、120和124,或102、110、114、118、122和126,该些类极性绝缘栅场效应晶体管具有适用于半导体制造平台的可选择不同组态的横向源极漏极延伸区、晕环袋部和栅极...
3、对源极漏极延伸区、晕环袋和栅极电介质厚度具有不同组态的类极性场效应晶体管的结构和制造
        [简介]: 本套资料主要内容为一个具有沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET单元。所述的具有沟槽的MOSFET单元包括一个从半导体基底顶表面打开的沟槽栅极,所述的半导体基底被一个源极区域所环绕,所述的源极区域包含在一个主体区...
4、用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的*栅
        [简介]: 本套资料提供一种半导体基板,其具有基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层,基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层依照基底基板、第1结晶层、第2结晶层、绝缘层的顺序设置,第1结晶层和第2结晶层之间或基底基板和第1结晶...
5、半导体基板、绝缘栅极型场效应晶体管以及半导体基板的制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种多栅极场效应晶体管的制作方法,首先提供一半导体基底,该半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层;在所述半导体基底上沉积硬掩膜;通过一些步骤形成图案化的硬掩膜,并形成鳍片;在所述...
6、一种多栅极场效应晶体管的制作方法
        [简介]: 本套资料中的绝缘栅场效应晶体管110、114或122的栅极介电层500、566或700所含有氮的垂直浓度轮廓经过特殊裁制,用以防止上方栅极电极502、568或702中的硼经由该栅极介电层明显渗入下方的沟道区带484、554或684中,且同...
7、具有带着经裁制垂直氮浓度轮廓的氮化栅极介电层的场效应晶体管的结构和制造
        [简介]: 鳍片场效应管100包括单晶有源半导体层104的鳍形层区域116,所述鳍形层区域在绝缘衬底层上106沿纵向鳍片方向上从单晶有源半导体层104的源极层区域122延伸到漏极层区域124。此外,提供两个分离的栅电极层13...
8、具有两个独立栅极的鳍片场效应管以及制造它的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种功率半导体组件,其包括数个功率晶体管单元,其被开设于半导体衬底上的沟槽所环绕。至少一功率晶体管单元构成一主动单元,该主动单元具有一源极区域,该源极区域设置于沟槽栅极附近,该沟槽栅极电性连接至栅...
9、保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
        [简介]: 一种屏蔽的栅极场效应晶体管,包括延伸进入半导体区的沟槽。屏蔽电极位于沟槽的下部中,并且通过屏蔽电介质与半导体区绝缘。屏蔽电介质包括第一介电层和第二介电层,第一介电层在第二介电层和半导体区之间延伸。第二介电层包...
10、屏蔽的栅极沟槽场效应晶体管的方法和结构
        [简介]: 本套资料公开一种半导体功率组件,其包括若干功率晶体管记忆胞,该记忆胞被开设于一半导体衬底中的沟槽所围绕。至少一半导体记忆胞进一步包括一开设在沟槽之间的沟槽式源极触点,此沟槽式源极触点穿过一源极区而进入一本体区...
11、用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
        [简介]: 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。所述场效应晶体管包括:硅体,所述硅体的周边邻接介质绝缘物;源极和漏极,其被形成在所述硅体中并在所述硅体中形成的沟道的相对的侧上;以及栅极介质层,其在所述硅体与导电栅极电...
12、具有薄栅极电极的场效应晶体管及其制造方法
        [简介]: 如下所述形成一种屏蔽的栅极沟槽FET。在第一导电类型的硅区域204中形成沟槽202,该沟槽202包括通过屏蔽电介质206与硅区域204绝缘的屏蔽电极208。沿屏蔽电极208的上表面形成包括热氧化物层210和共形电介质...
13、在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
        [简介]: 如下所述形成一种屏蔽的栅极沟槽FET。在第一导电类型的硅区域204中形成沟槽202,该沟槽202包括通过屏蔽电介质206与硅区域204绝缘的屏蔽电极208。沿屏蔽电极208的上表面形成包括热氧化物层210和共形电介质...
14、在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
        [简介]: 一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法。有机发光效应晶体管为底栅极垂直结构,有机光*单元垂直堆叠在电容单元上,通过一个共有的源电极构成,其结构依次为:衬底、栅电极、电介质绝缘层、源电极、氧化层、有机...
15、一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法
        [简介]: 本套资料涉及一种通过增大深区26和中间区28中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本套资料的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区36、所述第二导电类型的深区,以及连接到所述电...
16、沟槽栅极场效应器件
        [简介]: 本套资料提供了一种用于在体区,即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子,从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括:第二导电类型的顶区34、所述第二导电类型的深区26,以及第一导电类型的中间区...
17、沟槽栅极场效应器件
        [简介]: 本套资料涉及具有鳍状结构的多栅极场效应晶体管结构及其制造方法,该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道,该鳍状结构是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的...
18、多栅极场效应晶体管结构及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种具有GAA结构的Fin-FET,其能够利用鳍周围的整个区域作为沟道区。该具有GAA结构的Fin-FET包括具有体、一对支承柱和鳍的半导体衬底。该支承柱对从所述体向上突出,鳍与所述体间隔开并且具有连接到所述支承柱对...
19、具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管及其制造方法
        [简介]: 本套资料的目的在于使相对于衬底表面的有效结深度足够小,该衬底表面具有构造稳定的陡峭PN结并具有形成在其中的与延伸部分有关的沟道。通过各个栅极绝缘膜在P型阱和N型阱上形成栅电极。由两个第一外延生长层形成两个延伸部...
20、绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法
        [简介]: 本套资料涉及一种绝缘栅极场效应晶体管T,其包括窄的异质结构应变半导体沟道4,5,该沟道在栅极6和隐埋在基片SB中的介电块91之间延伸。
21、在栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子的方法
22、在栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子的方法
23、应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
24、低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
25、形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法
26、环绕栅极场效应晶体管
27、形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法
28、一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管
29、用于调制掺杂的场效应晶体管的增强的T形栅极及其制造方法
30、具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
31、垂直双栅极场效应晶体管
32、管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
33、具有基于沟槽的栅电极的场效应晶体管及其形成方法
34、具有绝缘沟槽栅电极的横向场效应晶体管

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