【新版】

隔离半导体,半导体器件加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管

[简介]：本套资料涉及半导体技术。本套资料解决了现有PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管在电平位移电路中的高端P型金属氧化物半导体管的源端电源到隔离槽之间的N型外延层容易击穿的问题，提供了一种PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导...

2、用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管

[简介]：本套资料主要内容为一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那...

3、一种槽型半导体功率器件

[简介]：本套资料提供的一种双层隔离的混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，第一MOSFET为NMOSFET，第二MOSFET为PMOSFET，第一MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的...

4、混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET

[简介]：本套资料提供的一种双层隔离的混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，第一MOSFET为PMOSFET，第二MOSFET为NMOSFET，第二MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的...

5、混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET

[简介]：本套资料主要内容为一种具有自对准空洞层的SON互补型金属氧化物半导体制备方法，其中，具体步骤包括：于一掺杂三价元素的元素半导体衬底上形成一化合物半导体层；于所述化合物半导体层上形成一掺杂三价元素且与所述元素半导体衬...

6、一种具有自对准空洞层的SON互补型金属氧化物半导体制备方法

[简介]：一种用于绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设置由左氧化层、右氧化层以及左氧化层、右氧化层之间的多晶硅层构成的隔离深槽，在隔离深槽左右两边均是普...

7、绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管

[简介]：本套资料主要内容为一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法，本套资料首先在衬底上生长p型导电性的碳化硅缓冲层，接着在缓冲层上生长n型外延层，然后在n型外延层中形成隔离区，再在隔离区两侧的n型外延层上生成欧姆接...

8、增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本技术主要内容为一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压环的外围；终...

9、沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构

[简介]：本套资料主要内容为一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压...

10、沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构

[简介]：本套资料提供一种半导体结构含有双极晶体管101及间隔结构265-1或265-2。该晶体管具有射极241、基极243、及集极245。该基极包含：基极接点部243C-1；本质基极部243I-1，其位于该射极的下方和该集极的材料的上方；及...

11、组态和制造其中非单结晶半导体间隔部分控制基极链长的具有双极面结型晶体管的半导体结构

[简介]：本技术主要内容为一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于...

12、一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构

13、一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构

[简介]：本技术主要内容为一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底1上外延N型半导体区域2和P+型半导体区域3，P+型半导体区域3将N型半导体区域2分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P...

14、多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管

[简介]：本套资料主要内容为一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底1上外延N型半导体区域2和P+型半导体区域3，P+型半导体区域3将N型半导体区域2分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P+半导...

15、多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管

[简介]：本套资料主要内容为一种BiCMOS半导体结型可变电容，它包含以下部分：a衬底材料，包含N型的集电极区，该集电极区叠加在同导电类型的次集电极区；相应的集电极区上有多个隔离区；bN型穿通注入区，位于至少一对隔离区之间，并连接次...

16、BiCMOS半导体结型可变电容及其制造方法

[简介]：提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底，该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度...

17、电介质隔离型半导体装置

18、电介质隔离型半导体装置及其制造方法

19、电介质隔离型半导体装置及其制造方法

[简介]：一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属...

20、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

[简介]：本技术涉及一种小型的功率半导体模块，它包括壳体、衬底、功率半导体元件、第一连接元件、第二连接元件、包封材料层；所述的壳体上分布有通孔，第二连接元件上部穿过通孔，壳体的相邻通孔之间分布着隔离片，隔离片内侧通过连...

21、一种小型的功率半导体模块

22、一种小型的功率半导体模块

23、电介质隔离型半导体装置的制造方法

24、半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管

25、互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

26、基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法

27、互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

28、具有在p-型层内钝化的半导体发光器件

29、一种平面型半导体热电芯片及制备方法

30、带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法

31、无需调零的半导体导电类型鉴别仪

32、一种垂直型半导体器件

33、电荷捕获层及其制造方法和电荷捕获型半导体存储装置

34、简易封装型半导体发光二极管

35、一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法

36、绝缘型大功率电力半导体模块

37、垂直型半导体器件及其制作方法

38、制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法

39、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

40、N型金属氧化物半导体器件及其制作方法

41、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

42、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

43、半导体热电偶型微波功率传感器

44、双侧连接型半导体装置

45、具有竖直型沟道的半导体器件及其制造方法

46、轻型半导体制冷的温度标定设备

47、具有球型凹式栅极的半导体器件

48、包括引发不同类型应变的隔离沟槽的半导体器件

49、窗口隔离型极小孔半导体激光器和制作方法

50、具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法

51、有相互接触的n型和P型导电区的半导体集成电路器件

52、薄型半导体芯片封装用基板

53、垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法

54、同一个衬底上具有相同导电类型的低和高性能器件的半导体器件结构

55、新型金属半导体场效应晶体管MESFET器件及其制造工艺

56、面发光型半导体激光管及其制造方法

57、具有锥型沟道的半导体器件的制造方法

58、增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计

59、具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件

60、互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

61、具有T型接触电极的半导体器件的制造方法

62、具有T型接触电极的半导体器件的制造方法

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