【新版】

高压栅氧,氧化半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法

[简介]：本套资料涉及一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构；去除所述第二区域的栅...

2、高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法

[简介]：本套资料涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的...

3、BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法

[简介]：本套资料主要内容为一种形成高压栅氧结构的工艺方法，利用该方法所形成的高压栅氧结构对于需要形成两种或以上不同厚度栅氧且膜厚存在明显段差的制程，可以回避在侧墙形成后，由于高压源漏等区域残留栅氧去除过程所引起的低压区...

4、形成高压栅氧结构的工艺方法

[简介]：本技术涉及一种适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构，其包括：一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元，一个编程选择控制管，一个编程隔离管，一个控制FPGA布线通道的开关管。该配置单元在反熔丝编程阶段电源接编程高压VPP...

5、适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构

[简介]：本套资料涉及一种适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构，其包括：一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元，一个编程选择控制管，一个编程隔离管，一个控制FPGA布线通道的开关管。该配置单元在反熔丝编程阶段电源接编程高压VPP，当F...

6、适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构

[简介]：本套资料主要内容为一种EEPROM的栅氧化层的制造方法，包括如下步骤：第1步，在硅片表面旋涂一层光刻胶，曝光、显影后光刻胶仅覆盖低压器件区和将要形成隧穿氧化层的区域，存储器件区中除了隧穿氧化层以外的区域暴露，高压器件区全部...

7、EEPROM的栅氧化层制造方法及其制造的栅氧化层

[简介]：本套资料提供一种将四乙氧基硅烷TEOS分解生成的二氧化硅用于高压MOS器件栅氧化层的方法，四乙氧基硅烷分解生成的二氧化硅作为绝缘层氧化物是理想的选择，但由于这种材料含有水，在其上面覆盖其他膜层如多晶电极后，再进...

8、将四乙氧基硅烷用于形成高压器件栅氧层的方法

[简介]：本套资料提供了一种BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的高压器件区域和低压器件区域；在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层；形成高压器件的栅氧化层，所述高压器件的栅...

9、BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法

[简介]：本套资料主要内容为一种改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，包括步骤：高压N阱和P阱的光刻、离子注入和退火；N型和P型扩散区的光刻、离子注入和退火；衬垫氧化膜和氮化硅的生长和淀积；浅沟隔离槽的光刻与刻蚀；浅沟隔离槽衬...

10、改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺

[简介]：本套资料属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄1～2μm；栅氧化层较厚100～800nm；栅极场板跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有效的形成...

11、具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件

[简介]：本套资料主要内容为一种生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法；高压器件的厚栅极氧化层成长发生在浅沟道隔离之前，通过氮化硅层作为硬质掩膜。本套资料避免高压栅极氧化过程中低压器件电特性及可靠性性能变化，降低...

12、生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法，首先，保留浮栅刻蚀后浮栅栅氧层，其厚度为50～70；其次，对所述浮栅栅氧层用湿法进行腐蚀，保留其厚度为20～30；之后，利用高温减压化学气相沉积工艺同时形成隧穿氧化...

13、闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；包括以下步骤：步骤一、注入高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、注入和腐蚀SONO...

14、在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在SONOS非挥发性存储器制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；包括以下步骤：步骤一、注入高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、...

15、在SONOS非挥发性存储器制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法

[简介]：薄栅氧低功耗自恢复的电平移位栅电压控制电路属于高压器件的电平移位栅电压控制技术领域，其特征在于它由公知的灵敏放大电路和高压电平移位电路、公知的驱动和关闭驱动输出级、恒流源以及驱动和关闭驱动输出级的控制电路...

16、薄栅氧低功耗自恢复的电平移位栅电压控制电路

[简介]：本套资料实施例主要内容为一种高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统，涉及半导体芯片制作领域，用于降低高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作成本。本套资料中，在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层，硅片表面的热氧...

17、高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统

[简介]：本套资料属集成电路制造工艺技术领域，具体为一种深亚微米集成电路技术中形成不同厚度栅氧的方法。将高低压不同厚度栅氧集成起来的一个难点是如何将低压隔离区氧化层厚度与普通工艺保持一致。目前做法是将低压部分用氮化硅...

18、深亚微米集成电路制造工艺中集成不同厚度栅氧的方法

[简介]：本套资料属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄1～2μm；栅氧化层较厚100～800nm；源极跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有效的形成。本...

19、具有源极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件

[简介]：本套资料是与标准互补金属氧化物半导体ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，CMOS工艺兼容的高压CMOSHighVoltageCMOS，HVCMOS双栅氧制备工艺，采用干-湿法相结合的厚栅氧刻蚀方法，并在一次多晶硅栅刻蚀后加做一...

20、与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺

[简介]：本套资料主要内容为一种能有效减少GIDL效应并不改变其电学性质的高压晶体管、其制造方法。该高压晶体管采用非均匀高压栅氧化层，在没有显著改变器件电学特性的情况下，有效地减小了GIDL及其引起的漏电流。为了制得本套资料的高压晶...

21、高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法

22、高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法

23、提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法

24、双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺

25、带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件

26、带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件

27、高压MOS器件栅氧化层可靠性的测试结构及方法

28、三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管

29、三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管

30、一种优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚度的方法

31、一种航空发动机用格栅式臭氧发生器

32、厚栅高压P型金属氧化物半导体管

33、厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法

34、双栅高压P型金属氧化物半导体管

35、双栅高压N型金属氧化物半导体管

36、改善分离栅极式闪存氧化层品质的方法

37、带栅极氧化物保护的快速高压电平移位器

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