【新版】

改善晶片,改善晶片加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
咨询电话：028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
客服QQ1：853136199 客服QQ2：478224130
资料说明：资料都是电子文档PDF格式，可在电脑中阅读、放大缩小、打印，可以网传，也可以刻录在光盘或优盘中（加收40元）邮寄，如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信息、技术原理、技术原文，技术配方、工艺流程、制作方法，设备原理、机械设计构造、图纸等，是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号：GY10001-84761 资料价格:198元

1、改善高频电极的连接方法的晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置

[简介]：本套资料提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置，所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本套资料提供晶片保持体10，设置于腔室内，具有埋设有高频电极电路5的晶片保持部1、...

2、改善高频电极的连接方法的晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置

[简介]：本技术主要内容为一种改善蓝宝石晶片平坦度的组合式背垫，包括一层背垫，所述背垫下端面设有缓冲垫。所述背垫为圆形，半径为240mm，厚度为1-2mm，圆心位置设有直径为20mm的散气孔。所述缓冲垫采用条状工业发泡棉制作，形状为圆...

3、一种改善蓝宝石晶片平坦度的组合式背垫

[简介]：本套资料主要内容为一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本套资料充分考虑每片晶片的最长等待时...

4、一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统

[简介]：本套资料是关于一种用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测系统。该系统包含：移动式平台、雷射光源、光激发光光谱仪、光感测器、以及控制器。本套资料亦关于一种用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真...

5、用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测系统与方法

[简介]：一种改善晶片处理均匀性的喷淋头，根据原先晶片各个区域处理速率的不同情况，在同一个喷淋头上使用圆柱孔、锥形孔或台阶孔中至少两种气孔结构的组合，优选是使喷淋头上气孔一端的口径一致，在另一端的口径扩大或减小；在需要...

6、一种改善晶片处理均匀性的喷淋头

[简介]：本套资料涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本套资料涉及一种改善半导体晶片翘曲的方法。首先于一已电镀铜的晶圆基材背面进行清洁操作；然后在所述的晶圆基材背面生长应力薄层；接着对所得的晶圆表面进行化学机械研磨平...

7、一种改善半导体晶片翘曲的方法

[简介]：本套资料提供一种增强的再分布层，它按几何形状扩张与晶片级封装WLP的球栅格阵列相关联的再分布层RDL垫，以在所述WLP的温度循环及或坠落测试期间提供拉应力缓解。

8、用于改善晶片级封装的可靠性的再分布层增强

[简介]：本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。主要内容为制造穿隧磁阻TMR读取头的方法。本套资料提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所...

9、通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法

[简介]：本套资料涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一具有半导体衬底的晶片，该半导体衬底上方至少具有依次沉积的阻挡氧化层和氮化物层；步骤2，蚀刻形成浅沟槽绝缘结构，并对该浅沟槽绝...

10、一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨；每次研磨过程中，在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常，厚度相邻...

11、一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法

[简介]：一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及装置，通过在控制阀组和Godzilla系统之间增加两个控制阀，从而使Godzilla系统由第一研磨盘、第二研磨盘、第三研磨盘共同控制，即Godzilla系统只有在第一研磨盘、第二研磨盘、第三研磨盘...

12、一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及装置

[简介]：本套资料涉及具有一个或多个器件区域2、4、6的绝缘体上半导体SOI衬底。每个器件区域至少包括掩埋绝缘体层14位于其间的基础半导体衬底层12和半导体器件层16，同时通过一个或多个垂直绝缘柱22支撑所述半导体器件层...

13、使用体半导体晶片形成改善的SOI衬底

[简介]：本套资料涉及一种改善晶片氧化硅层生长的装置，包括一个炉管，一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上。本套资料提供一种改善晶片氧化硅层生长的方法，与现有技术相比，在晶片背面为氮化硅薄膜时，本套资料...

14、一种改善晶片氧化硅层生长的装置及方法

[简介]：本套资料提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢...

15、改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置

[简介]：本套资料是有关于一种改善压模时晶片位移的半导体封装构造及其使用的导线架，该半导体封装构造主要包含一导线架的复数个引脚、一晶片以及一模封胶体。该些引脚由该模封胶体的边缘外往内是区分为复数个第一水平引脚部、复数个...

16、改善压模时晶片位移的半导体封装构造及其使用的导线架

[简介]：一种改善影像感测晶片组构于电路板上的封装方法，其主要是先提供一表面具数引脚及模组电路的模组电路基板，并装置一影像感测晶片，且影像感测晶片打线至各引脚形成电性连接；再罩设一镜头座于影像感测晶片上方，并胶合在电...

17、改善影像感测晶片组构于电路板的封装方法

[简介]：本套资料涉及一种降低半导体晶片*面的粗糙度的工艺，所述工艺包括用于平滑所述*面的单个退火步骤，所述单个退火步骤实施为纯氩气氛下的RTA，其特征在于，在RTA之前，进行晶片表面的化学清洗，以便于减少晶片上初步污染物...

18、改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺

[简介]：本套资料涉及一种降低半导体晶片*面的粗糙度的工艺，所述工艺包括用于平滑所述*面的单个退火步骤，所述单个退火步骤实施为纯氩气氛下的RTA，其特征在于，在RTA之前，以可控模式吹洗退火环境的气氛，以便于建立允许减少晶...

19、改善晶片的表面粗糙度的工艺

[简介]：本套资料是一种改善切割晶片良率的固定方法，其主要：在初胚晶片一面设有UV胶膜，该UV胶膜单面具有黏性，俾直接黏贴于初胚晶片上，而UV胶膜另面则以贴合药水黏着于铝基板上，使初胚晶片固定在基板上，然后施以切割作业，俾完成分...

20、改善切割晶片良率的固定方法

[简介]：一种CMP系统及方法，其中抛光垫相对一晶片及一定位环作横向移动，以执行于CMP操作时施加所需压强至该晶片的指令。该压强计算及压强对作用力转换的精确度，可在不使用高解析度元件，例如高解析度字装置的情形下获得改善。在数...

21、结构晶片表面的改善方法

22、结构晶片表面的改善方法

当前第1页
1

本套资料共包括43项技术资料，由于篇幅限制未能完整列出，请点击下载完整目录

马上订购

联系客服