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功率金属氧化半导体,金属氧化半导体场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法。它包括如下步骤：1在硅单晶片整个面上预扩散N+半导体杂质；2在1260～1300℃温度下，进行100～250小时硅内预扩散N+杂质的推结；3研磨去除一表面的...

2、硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法

[简介]：一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管制作方法，包括：分别形成所述功率金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区、源极区以及栅电极；形成所述栅电极的栅极接触孔；其中，根据所述栅极接触孔的深度，将所述栅极接触孔按照与所...

3、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法

[简介]：本套资料提供了功率沟槽式MOS场效应管制作工艺，增加制作出的功率沟槽式MOS场效应管的栅氧化层底部拐角处及底部的厚度，降低泄漏电流，提高器件性能。本套资料提供的一种功率沟槽式MOS场效应管制作工艺流程中，采用氧化速率受晶...

4、功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺

[简介]：一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法具有以下步骤：将所述功率MOSFET的基极区域150植入于包括绝缘的栅极结构180的半导体芯片的外延层130内；经由界定第一窗的第一掩模180、210在所述栅极的...

5、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[简介]：一种沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法包括：叠层形成步骤，在衬底上依次形成外延层、二氧化硅层、氮化硅层以及硬掩膜层；凹槽刻蚀步骤，形成硬掩膜层的图案并利用形成图案的硬掩膜层在氮化硅层、二氧化硅层和外延...

6、沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法

[简介]：本套资料的实施例主要内容为一种功率金属氧化物半导体场效应管，包括：具有第一导电类型的漏区；位于所述漏区表面、具有第二导电类型的体区，其中第一导电类型和第二导电类型的极性相反；位于体区表面、具有第一导电类型的源区；贯穿...

7、功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法

[简介]：一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法，通过以下步骤形成晶体管：在衬底上方将栅结构图案化；在栅结构的侧面上形成间隔件；在栅叠层的交替的侧面，在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减...

8、制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种横向扩散金属氧化物半导体组件。上述横向扩散金属氧化物半导体组件包括一基底、一柵极介电层、一柵极多晶硅层、一源极区、一漏极区、一基体区、一第一漏极接触插塞、一源极多晶硅层、一绝缘层、以及一源极金属层...

9、横向扩散金属氧化物半导体组件

[简介]：本套资料提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体，包括：半导体基底，具有第一表面及相反的第二表面，导电型为第一导电型，且半导体基底形成漏极区；掺杂区，自第一表面向下延伸，导电型为第二导电型；源极区，位于掺杂区...

10、功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体

[简介]：一种沟槽型的功率半导体设备，包括所述沟槽内沉积的而非生成的氧化物，从而将设置在所述沟槽内的电极电隔离于所述半导体主体。

11、具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

[简介]：一种具有低特性导通电阻的侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管。叠层的P型顶部及N型梯度区域是为节状的圆弧，以分离晶体管的漏极及源极。

12、侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法

[简介]：本套资料提出一种功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺，包括以下步骤：在晶片表面形成垫氧化层；在垫氧化层上形成氮薄膜；对氮薄膜进行曝光和蚀刻，形成空窗，让晶片上需要被氧化的区域暴露出来；在暴露出来的部分晶片上...

13、功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺

[简介]：本套资料为一种集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管。一个半导体器件包含一个主FET、一个或多个感应FET和一个共同栅极衬垫。该主FET和一个或多个感应FET形成在共同衬底上。主FET和每个感应FET包括一个源...

14、集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管

[简介]：一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，其中，所述功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：具有第一导电类型的衬底；位于所述衬底上、具有第一导电类型且浓度低于衬底掺杂浓度的外延层；位于所述外延层上、具有...

15、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

[简介]：本技术提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其在组件单一记忆单元的源极接点区加入一沟道式电场屏护设计，可达到浅结shallowjunction低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区结分布的改变而可保有较佳的...

16、功率金属氧化物半导体场效晶体管结构

[简介]：本套资料是提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的结构及其制程方法，其在组件单一记忆单元的源极接点区加入一沟道式电场屏护设计，可达到浅结shallowjunction低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区结分布的改变...

17、功率金属氧化物半导体场效晶体管结构及其制程方法

[简介]：本套资料主要内容为一种沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法和功率转换系统，其中沟槽MOSFET的制造方法包括：在第一外延层上积淀第一光刻胶以勾勒沟槽区；在第一栅导通层在积淀第二光刻胶以勾勒台面区，其中，所述第二...

18、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法和功率转换系统

[简介]：抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率SOIV-DMOS内引入由绝缘体区域4构成的部分埋氧结构，所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的...

19、抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件

[简介]：本套资料提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS），属于半导体功率器件技术领域。该LDMOS包括：源区、栅介质层、漏区、漂移区、场氧化层、栅极以及独立设置在场氧化层之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电...

20、一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[简介]：本套资料公开一种半导体功率组件，其包括若干功率晶体管记忆胞，该记忆胞被开设于一半导体衬底中的沟槽所围绕。至少一半导体记忆胞进一步包括一开设在沟槽之间的沟槽式源极触点，此沟槽式源极触点穿过一源极区而进入一本体区...

21、用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

22、用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

23、高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管

24、保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法

25、平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法

26、用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路

27、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成

28、功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局

29、射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

30、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

31、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

32、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

33、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

34、高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件

35、一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件

36、利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管

37、金属氧化物半导体场效应管参数测试盒

38、功率金属氧化物半导体器件形成方法

39、具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管

40、一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器

41、带场板结构的功率金属氧化物半导体器件

42、带场板结构的功率金属氧化物半导体器件

43、多晶硅体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件

44、纳米管金属氧化物半导体场效应管技术与器件

45、一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器

46、绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件

47、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

48、功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法

49、高功率金属氧化物半导体元件

50、互补金属氧化物半导体图像传感器的噪声补偿模数转换器

51、金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

52、一种射频功率LDMOS横向扩散金属氧化物半导体晶体管

53、多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件

54、一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件

55、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

56、功率金属氧化物半导体场效晶体管中的配置

57、优化偏置级联金属氧化物半导体场效应晶体管射频器件的方法和装置

58、功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

59、功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

60、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

61、金属氧化物半导体场效应管半导体器件

62、金属氧化物半导体场效应管半导体器件

63、具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管

64、并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器

65、具有过电流保护功能的垂直型功率金属氧化物半导体器件

66、基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路

67、使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法

68、互补金属氧化物半导体图像传感器中低功耗的模数转换器

69、互补金属氧化物半导体图像传感器

70、超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件

71、具有降低接通电阻的超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件

72、超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件

73、沟道金属氧化物半导体器件和端子结构

74、分选互补金属氧化物半导体芯片的非接触、非侵入方法

75、用于镇流电路的金属氧化物半导体栅控驱动器

76、互补金属氧化物半导体器件

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