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集电路薄膜,薄膜集电路加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、薄膜集成电路器件的制造方法非接触薄膜集成电路器件及其制造方法以及包含非接触薄膜集成电路器件的ID标签和硬币
        [简介]: 为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路,根据本套资料的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤:在衬底上面形成剥离层;在剥离层上面形成底部薄膜;在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件;在多个薄膜集成电路器件之间的边...
2、薄膜集成电路器件的制造方法非接触薄膜集成电路器件及其制造方法以及包含非接触薄膜集成电路器件的ID标签和硬币
        [简介]:本技术主要内容为一种压电驻极体薄膜集成电路器件,包括压电驻极体薄膜器件和电路两大模块,两者紧密结合在一起,压电驻极体薄膜器件的输出端接入电路的输入端,且压电驻极体薄膜器件的输出端和电路封装在封装屏蔽壳体内,...
3、一种压电驻极体薄膜集成电路器件
        [简介]: 对薄膜集成电路施以硅化物自对准工艺,而不必担心对玻璃基底的损害,因此能够实现电路的高速运行。在玻璃基底上形成金属基膜、氧化物和绝缘基膜。在绝缘基膜上形成具有侧壁的TFT,形成覆盖TFT的金属膜。通过RTA等,在不引起基...
4、薄膜集成电路及制造该薄膜集成电路、CPU、存储器、电子卡和电子设备的方法
        [简介]: 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍,必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如,制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元,1日元以下则更好,人们期盼实现以低成...
5、薄膜集成电路器件及非接触式薄膜集成电路器件的制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种半导体集成电路装置的制造技术,在使用了具有根据此技术而形成的探针probe的探测器薄膜探针进行探针测试时,防止探测器及测试对象即晶片破损。在晶片31的主面上,在形成有金属膜21A的区域包括孔33...
6、半导体集成电路装置和用于其的薄膜探针片材的制造方法
        [简介]: 本套资料涉及位于半导体器件的半导体表面或导电或绝缘封装表面上的柔性薄膜电池组,以及构建这种电池组的方法。可以将电化学器件胶粘到半导体器件的半导体表面或导电或绝缘封装表面上或者直接沉积在其上。本套资料还涉及位于...
7、集成电路或电路板上的薄膜电池组及其方法
        [简介]: 本套资料的一些实施例包括在集成电路封装件的封装件衬底上形成的薄膜电容器。薄膜电容器的至少一个包括第一电极层、第二电极层以及第一与第二电极层之间的介质层。第一和第二电极层中的每一层及介质层均各自直接在封装件衬...
8、集成电路薄膜电容器的低温淀积与极快速退火
        [简介]: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加,需要进一步地减小成本。本套资料的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本套资料的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有...
9、制造薄膜集成电路和元件衬底的方法
        [简介]: 本套资料的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本套资料的制造方法,在衬底表面上选择性地形成分离层;由此,形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后,形成...
10、制造薄膜集成电路的方法
        [简介]: 本套资料的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本套资料的制造方法,在衬底表面上选择性地形成分离层;由此,形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后,形成...
11、制造薄膜集成电路的方法
        [简介]: 本套资料提供一种薄膜混合集成电路电镀方法,首先是利用磁控真空溅射机将TaN-TiWu-Au复合薄膜依次沉积在微带基片上,然后用光刻胶做掩膜,通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉其中的金层和钛钨层并完整的保留下氮化钽层,用以实现对局部...
12、一种薄膜混合集成电路电镀方法
        [简介]: 一种新型薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片,其特征是:在衬底的同一平面上集成了多个方阻薄膜电阻和互联导体,这种结构的成膜基片可以进一步提高薄膜混合集成电路电阻的集成度,缩小产品体积,尤其能适合于电路复杂,电路...
13、一种新型薄膜混合集成电路成膜基片
        [简介]: 本套资料主要内容为三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法,该方法采用凸型陶瓷基片代替平面型陶瓷基片,在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成;采用分层整体化学镀和电镀方法形成镍-铬-金薄...
14、三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法,该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件,并通过通孔进行电气连接;先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层...
15、一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种高密度薄膜混合集成电路的集成方法,该方法是先采用薄膜制作工艺,制作含有薄膜导带、阻带及键合区的底座基片及小陶瓷基片,小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以薄膜方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座...
16、高密度薄膜混合集成电路的集成方法
        [简介]: 本套资料提供一种薄膜设备。该薄膜设备是由层叠多层包含一个或多个薄膜元件的薄膜元件层13、15构成的薄膜设备,上述薄膜元件20、30具有通过流经电流而产生发热的发热区域21、31,在相邻的两个上述薄膜元件层上,相对配置...
17、薄膜设备、集成电路、电光学装置、电子机器
        [简介]: 一种装置包括具有前表面的集成电路IC管芯,集成电路形成于前表面上。该IC管芯还具有与前表面相对的后表面。该装置还包括微通道构件以在IC管芯的后表面上定义至少一个微通道。该微通道允许冷却剂流过该微通道。该装置在至...
18、用微通道中的冷却剂流和微通道中的薄膜热电冷却器件冷却集成电路管芯
        [简介]:本技术主要内容为一种高灵敏温控薄膜混合集成电路,该电路由管壳基座、氮化铝陶瓷基片衬底表面和衬底背面、半导体热电致冷单元、管脚、薄膜导带键合区、薄膜电阻、半导体芯片、传感信号处理芯片、热电致冷引脚组成,薄膜导带键...
19、高灵敏温控薄膜混合集成电路
        [简介]: 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,该方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长薄膜电阻、薄膜导带和键合区;接着用同样方式形成热敏电阻薄膜,再用同样方式在热敏电阻薄膜上形...
20、高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法
        [简介]: 用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求预计会增加,且需要进一步降低成本。本套资料的一个目的在于提供一种能以更低成本生产的IC芯片结构和过程。考虑到上述目的,本套资料的一项特点在于提供在绝缘基片上形成分离层、并在分离...
21、具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底
22、具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底
23、高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路
24、高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路的集成方法
25、薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔
26、薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
27、切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜
28、薄膜器件的转移方法、薄膜器件、薄膜集成电路装置、有源矩阵衬底、液晶显示装置及电子设备
29、半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子机器
30、剥离方法、薄膜器件的转移方法以及使用该方法制造的薄膜器件、薄膜集成电路装置和液晶显示装置
31、薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法
32、具有过量的A-位及B-位调节剂的ABO3薄膜及用此薄膜制成集成电路的方法
33、薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置
34、薄膜晶体管集成电路装置、有源矩阵显示装置及其制造方法
35、具有横向达通二极管的电阻R-电容C-二极管D网络薄膜集成电路结构与制造
36、薄膜半导体集成电路
37、薄膜半导体集成电路
38、薄膜半导体集成电路
39、薄膜半导体集成电路及其制造方法
40、薄膜半导体集成电路及其制造方法
41、集成电路上的金属薄膜电阻及其制作方法
42、集成电路上的金属薄膜电阻及其制作方法

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