1、一种半导体靶材的安装工具及半导体芯片生产系统
[摘要] 本套资料提供一种半导体靶材的安装工具及半导体芯片生产系统，属于半导体技术领域。其包括工作台、靶材、销子、滑块以及驱动组件；靶材上开设有用于将销子安装到靶材上的定位孔，定位孔与滑块处于同一轴线上；靶材、滑块以及驱动组件均安装在工作台上，驱动组件能够驱动滑块朝着定位孔的方向移动；销子设置在定位孔与滑块之间，通过滑块的移动能够将销子安装在定位孔中。该半导体芯片生产系统具有上述的半导体靶材的安装工具，不仅能够降低销子安装的难度，提高销子安装尺寸的精确度，同时还能够提高安装效率、减少销子的报废量。
2、一种用于提高芯片制造良品率的AlSc靶材的制造方法
[摘要] 本套资料涉及靶材领域，具体是一种用于提高芯片制造良品率的AlSc靶材的制造方法，利用超声波探伤仪获得铝钪靶材的内部图像，可以明确的得知铝钪靶材的内部是否具有缺陷，并采用获得缺陷处的尺寸信息和预设尺寸信息对比，可以明确的获得铝钪靶材是合格品、不合格品但满足修复标准和不合格品且不满足修复标准的三种结果；通过后续的修复靶材步骤，可以对满足修复标准的不合格的铝钪靶材去除缺陷处，使得原本不合格的铝钪靶材可转变为合格品；铝钪靶材的良品率获得提高，而铝钪靶材的制造成本下降；此外，在保证了铝钪靶材的良品率的同时，相应的减少了铝钪靶材实际应用于制造芯片的工艺流程中出现打弧等现象。
3、一种半导体靶材的安装工具及半导体芯片生产系统
[摘要] 本套资料提供一种半导体靶材的安装工具及半导体芯片生产系统，属于半导体技术领域。其包括工作台、靶材、销子、滑块以及驱动组件；靶材上开设有用于将销子安装到靶材上的定位孔，定位孔与滑块处于同一轴线上；靶材、滑块以及驱动组件均安装在工作台上，驱动组件能够驱动滑块朝着定位孔的方向移动；销子设置在定位孔与滑块之间，通过滑块的移动能够将销子安装在定位孔中。该半导体芯片生产系统具有上述的半导体靶材的安装工具，不仅能够降低销子安装的难度，提高销子安装尺寸的精确度，同时还能够提高安装效率、减少销子的报废量。
4、一种以铂为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法
[摘要] 本套资料提供了一种以铂为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为7～11cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以铂为靶材、靶基距为7～11cm，溅射铂薄膜。本套资料采用真空溅射原理，并采用7～11cm的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本套资料制备的金属薄膜厚度均匀，为70nm左右。
5、一种以银为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法
[摘要] 本套资料提供了一种以银为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-3～10-5mbr，以钨为靶材，靶基距为5～8cm，在所述玻璃衬底上溅射钨薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以银为靶材、靶基距为5～8cm，在上述步骤得到的产物上溅射银薄膜。本套资料分别以钨和银为靶材，采用真空溅射原理，并采用5～8cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约65nm，可以用于表面等离子体共振芯片。
6、一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法
[摘要] 本套资料提供了一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4～7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以钯为靶材、靶基距为4～7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。本套资料采用真空溅射原理，并采用4～7cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约60nm，可以用于表面等离子体共振芯片。
7、一种以贵金属为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法
[摘要] 本套资料提供了一种以贵金属为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以钛为靶材，靶基距为8～11cm，在所述玻璃衬底上溅射钛薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以钯为靶材、靶基距为8～11cm，在上述步骤得到的产物上溅射钯薄膜。本套资料以钛和钯为靶材，采用真空溅射原理，并采用8～11cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约55nm，可以用于表面等离子体共振芯片。
8、一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材
[摘要] 本套资料公开了一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材,包括靶材和背板,所述靶材的下端面上设置有楔形凸起，所述背板的山端面上设置有楔形凹槽，所述楔形凸起卡接在楔形凹槽中，背板的左右两侧设置有向上伸出的侧板，所述侧板与靶材的侧壁通过连接销固定连接，所述背板中还设置有冷却水道，所述冷却水道包括上行水道，冷凝腔和下行水道，所述上行水道，冷凝腔和下行水道构成首尾相连的连通水道。本套资料是一种结构合理，加工难度低，散热效果好的半导体芯片的钨钛合金靶材。
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