1、一种碳纳米管薄膜换能器阵列
[摘要] 本套资料提供一种碳纳米管薄膜换能器阵列，属于超声波疗领域。该换能器阵列包括换能器阵列框架和发声元件，发声元件包括碳纳米管薄膜、金属电极和导线，各发声元件处于同一平面或曲面上，发声元件的排列规律、尺寸大小和相邻发声元件之间的中心间距可以根据功能需求做出调整。当发声元件接入音频信号时，碳纳米管薄膜产生相应的温度变化，使周围介质发生膨胀和收缩并激发出声波，各发声元件发出的声波在空间中相互叠加、干涉，从而产生能量高度集中的声波。本套资料中换能器阵列具有无振动部件、排列灵活、形状可随意变动以及生产成本低等优点；且可以产生高频、高指向性、高灵敏度的声波，应用于超声医疗、先进雷达等领域。
2、一种阵列碳纳米薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料提供了一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法，包括以下步骤：将基底置于PECVD腔体中的金属网罩中，金属网罩上方放置依次叠加的两块催化剂金属板；在PEVCD腔体中通入反应气体，加热后接通电源，反应后在基底表面得到催化剂薄膜；将PEVCD腔体加热后通入碳源和载气，接通电源，反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜。本申请催化剂薄膜和阵列碳纳米管薄膜在同一PECVD腔体内完成，且能够实现连续制备，提高了阵列碳纳米管薄膜制备的效率；另一方面，低温制备使得阵列碳纳米管薄膜能够应用于很多不耐高温的领域。.
3、铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法
[摘要] 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本套资料通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备，而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制；材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。
4、硅纳米线阵列膜电极的制备方法
[摘要] 高性能锂离子电池阳极-硅纳米线阵列膜电极的制备方法，用金属催化腐蚀硅晶片，经过两次腐蚀将单晶硅片腐蚀成完全由硅纳米线组成的硅纳米线阵列膜；并采用两种不同的工艺制作成电极：一种是用真空热蒸镀的方法在硅纳米线阵列膜背面镀铝膜，经退火形成Si-Al合金，作为电流收集器；另外一种是在硅纳米线阵列膜表面包裹碳气凝胶，经过真空烧结，碳气凝胶热解成碳，作为电流收集器；本套资料制备的硅纳米线阵列膜作为阳极组装的锂离子电池具有大的锂存储容量，高的库伦效率和好的循环稳定性，并且本套资料操作简便、重复性好、不需要复杂设备。
5、一种LaVO4纳米棒阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料涉及一种LaVO4纳米棒阵列薄膜的制备方法，属于无机纳米材料领域。该方法步骤如下：先将铜衬底进行除油、抛光、去除表面氧化层处理；取镧的无机盐溶液与EDTA溶液于烧杯中混合，磁力搅拌下加入钒源溶液，然后再加入水或乙二醇与水的混合溶液，调节溶液pH值，磁力搅拌后将初始溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中，再加入预处理好的铜片，将水热釜密封、加热；水热反应结束后，将反应釜中的铜片轻轻取出，清水中浸洗，自然晾干，在铜片上得到所制备的LaVO4纳米棒阵列薄膜。本套资料方法具有操作简单，反应条件温和，环境友好等优点。
6、铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25～50nm，其上置有按六方有序排列的孔阵列，组成孔阵列的孔的孔直径为30～100nm、孔中心距为80～150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次阳极氧化法，去背面未氧化的铝、去除障碍层和扩孔，得到通孔氧化铝模板，再将通孔氧化铝模板置于电子束蒸发设备中蒸镀铋膜，得到其上附有铋纳米孔阵列薄膜的通孔氧化铝模板，之后，先将热释放胶带粘附于通孔氧化铝模板的铋纳米孔阵列薄膜上后，使用物理方法分离铋纳米孔阵列薄膜和通孔氧化铝模板，再将附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜置于≥80℃下至少2min，制得目的产物。它可进一步地拓展在红外探测、热电效应以及霍尔器件领域的优化应用。
7、二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料涉及二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，特别涉及一种利用液相化学沉积(LPD)过程可在多种基底表面构建二氧化钛纳米棒阵列薄膜的方法。将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中，于30～100℃下恒温，在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列，将基底取出，清洗、干燥后，即可得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。本套资料得到的纳米棒阵列薄膜与基底结合牢固；纳米棒有序排列于基底表面；纳米棒的形貌和尺寸较为均一；纳米棒的生长方向基本垂直于基底。本套资料制备方法简单，制备过程中不需要添加任何表面活性剂，也不需要任何模板辅助，后处理过程简单易行。
8、一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法
[摘要] 一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法，采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成，其制备步骤如下：1)将可溶性钛源溶解在盐酸水溶液中，加入咪唑盐型离子液体制成混合溶液；2)将基片引入晶种，方法是将基片蘸取德固赛P25悬浮溶液，然后进行退火处理；3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应；4)将基片取出后通过水洗至中性，经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。本套资料的优点是：方法简单、成本低，结晶性能好且排列规整，纳米棒长径比大且直径尺寸分布均匀，比表面高，其棒间分散的空间能有效地填充多种物质，可广泛应用于染料敏化太阳能电池电极、氧气传感器等领域。
9、二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)第一次预处理；(2)第一次阳极氧化反应；(3)第二次预处理；(4)第二次阳极氧化反应。本套资料提供的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，通过两次阳极氧化反应过程，控制优选的工艺参数，制备得到的二氧化钛纳米管阵列薄膜的纳米管排列规则、结构完整、表面形貌优异，所得纳米管大小均匀，管长较长，管径较大，壁厚均匀。本套资料的制备方法操作简单，条件温和，易控制，节约反应时间，减少成本；避免了纳米管顶端倒伏的发生。
10、氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本套资料的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。
13、二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法。它先将氟化铵、水和乙二醇混合得到电解液，再使用钛片为阳极、石墨为阴极的二电极体系对电解液进行氧化处理，得到电解液1和电解液2，接着，先将钛片依次置于电解液1、电解液2和电解液中氧化，得到氧化钛片，再将氧化钛片置于氢氟酸溶液中腐蚀，并于其旁通以空气吹动氢氟酸溶液，得到从氧化钛片上剥离的氧化钛薄膜，之后，先将氧化钛薄膜依次分别置于不同浓度的氢氟酸溶液中腐蚀，再逐渐将氢氟酸溶液的浓度稀释至0.004～0.006wt％，制得厚度为10～50nm的二氧化钛纳米孔阵列薄膜。制备方法制得的目标产物既可作为掩膜用来制备量子点，又可作为微栅应用于透射电镜的样品支撑，更是一种很好的滤菌膜材料。
14、磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料属于纳米磁性功能材料技术领域，涉及一种磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法。反点阵列呈高度有序的六方形紧密排列结构，反点呈规则的正六边形或圆形。其制备方法为：用聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板，在Ar气氛围下通过磁控溅射向模板缝隙间沉积金属，通过调制溅射功率轻易控制反点阵列的形貌，得到所述磁性纳米反点阵列薄膜。本套资料的磁性纳米反点阵列薄膜可以兼顾高有序度、高矫顽力和反点形貌可调等基本要素。本套资料的制备方法工艺简单、易于操作。本套资料所得到的孔径100～500nm的磁性纳米反点阵列薄膜可以广泛用于高密度磁存储介质、高效催化剂及传感器等领域。
15、图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法
[摘要] 本套资料公开了一种图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法。该方法，包括如下步骤：1)在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；2)在石英基底上制备钛金属层；3)将所述步骤2)制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；4)在石英基底上制备铬光掩膜；5)将所述铬光掩膜置于最上层，所述二氧化钛层置于第二层，所述二氧化钛层中的二氧化钛层与向下，所述碳纳米管薄膜或阵列置于最下层，在紫外光下进行照射，照射完毕移去所述铬光掩模和所述二氧化钛层，完成所述碳纳米管薄膜或阵列的图形化。该方法能够直接在生长基底表面对碳管阵列进行图形化加工，受基底限制少，工艺简单，成本低，与现有光刻工艺相兼容，对未来的碳纳米管集成器件制备有重要的应用价值。
16、铁－钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料
[摘要] 铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料，在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列，铁钴合金纳米线的直径在10nm～50nm，铁-钴合金的组成为CoxFe1-x，0.20≤x≤0.60。本套资料利用电化学阳极氧化的方法制备氧化铝纳米孔洞模板，用电化学沉积铁钴合金纳米线阵列和低温退火的方法，获得了高性能的铁钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料。尤其是在钴的含量为30%～40%，纳米线直径为10nm～22nm时，性能最好。
17、锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。
18、一种碳纳米管薄膜换能器阵列
[摘要] 本套资料提供一种碳纳米管薄膜换能器阵列，属于超声波疗领域。该换能器阵列包括换能器阵列框架和发声元件，发声元件包括碳纳米管薄膜、金属电极和导线，各发声元件处于同一平面或曲面上，发声元件的排列规律、尺寸大小和相邻发声元件之间的中心间距可以根据功能需求做出调整。当发声元件接入音频信号时，碳纳米管薄膜产生相应的温度变化，使周围介质发生膨胀和收缩并激发出声波，各发声元件发出的声波在空间中相互叠加、干涉，从而产生能量高度集中的声波。本套资料中换能器阵列具有无振动部件、排列灵活、形状可随意变动以及生产成本低等优点；且可以产生高频、高指向性、高灵敏度的声波，应用于超声医疗、先进雷达等领域。
19、一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料提供一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将化学抛光处理过的金属钛箔（20×20mm2），放入80mL反应釜中；将氯化钠（NaCl）加入到去离子水中，搅拌至完全溶解，再加入双氧水（H2O2），持续搅拌30min；将混合溶液转移至反应釜中，并在140℃下水热反应6h；待反应釜冷却至室温后，取出钛箔并用去离子水冲洗其表面，冲洗完毕后放入烘箱干燥；将干燥后的钛箔放入马弗炉中，在450℃下热处理2h，即可得到TiO2纳米阵列薄膜。本套资料所制备的TiO2纳米阵列薄膜表面由垂直于基底的纳米片构成且制备流程简单易控。
20、铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25～50nm，其上置有按六方有序排列的孔阵列，组成孔阵列的孔的孔直径为30～100nm、孔中心距为80～150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次阳极氧化法，去背面未氧化的铝、去除障碍层和扩孔，得到通孔氧化铝模板，再将通孔氧化铝模板置于电子束蒸发设备中蒸镀铋膜，得到其上附有铋纳米孔阵列薄膜的通孔氧化铝模板，之后，先将热释放胶带粘附于通孔氧化铝模板的铋纳米孔阵列薄膜上后，使用物理方法分离铋纳米孔阵列薄膜和通孔氧化铝模板，再将附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜置于≥80℃下至少2min，制得目的产物。它可进一步地拓展在红外探测、热电效应以及霍尔器件领域的优化应用。
21、一种CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法
[摘要] 一种CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，向氯化钴水溶液中加入TiCl3的盐酸溶液，得到混合溶液A；调节混合溶液A的pH值至6-10，获得前驱体溶液B；将前驱体溶液B移入水热反应釜中，然后将清洗过的硅基片浸入其中反应，接着将硅基片冲洗干净，在硅基片上得到薄膜C；将带有薄膜C的硅基片装于磁控溅射仪的样品台，采用Co2O3射频靶和TiO2射频靶进行磁控溅射，以在硅基片上形成薄膜D；将带有薄膜D的硅基片在600℃-750℃保温，得到CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜。该方法能够有效地调控薄膜的形貌，成膜性好，操作方便，生产周期短，效率高，适于工业生产，所制得的CoTiO3薄膜在室温下表现出优异的湿敏性，且响应恢复时间短。
22、制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法
[摘要] 一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，所用的锡源为氯化亚锡，硫源为硫代乙酰胺，螯合剂为三乙醇胺，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节PH，加入硫源后，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本套资料方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为4～8nm，长度约为150～210nm，这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。
25、一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法
[摘要] 一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法，它涉及一种纳米管薄膜的制备方法。它解决了现有技术制备出的纳米管阵列薄膜存在膜层薄、微观形貌不整齐、纳米管长度不均一、管口团聚和薄膜开裂的问题。制备方法：1.将钛板剪切成尺寸相同的两片钛片并进行打磨、超声及洗涤；2.制备电解液；3.对钛片进行一次阳极氧化；4.脱膜；5.对钛片进行二次阳极氧化；6.超声处理后晾干；7.煅烧处理，即得到TiO2纳米管阵列薄膜。本套资料是采用对钛片两次阳极氧化的方法制备出微观形貌整齐、纳米管口均一、光滑、无团聚、厚膜层且不开裂的TiO2纳米管阵列薄膜。本套资料工艺简单、设备简单并可以控制纳米管薄膜的厚度。
26、一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法
[摘要] 一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法，采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成，其制备步骤如下：1)将可溶性钛源溶解在盐酸水溶液中，加入咪唑盐型离子液体制成混合溶液；2)将基片引入晶种，方法是将基片蘸取德固赛P25悬浮溶液，然后进行退火处理；3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应；4)将基片取出后通过水洗至中性，经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。本套资料的优点是：方法简单、成本低，结晶性能好且排列规整，纳米棒长径比大且直径尺寸分布均匀，比表面高，其棒间分散的空间能有效地填充多种物质，可广泛应用于染料敏化太阳能电池电极、氧气传感器等领域。
27、一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料涉及纳米光电探测、纳米高温气敏探测器、半导体纳米材料与纳米技术领域，具体为一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜可用于纳米光电探测器、纳米高温气敏探测器或其他纳米光电子器件。该薄膜为外延生长的具有固定倾斜角度的一维Ga2O3纳米线阵列。Ga2O3纳米线阵列中单根氧化镓纳米线的直径为50～100纳米，纳米线长度为5～50微米，并且在纳米线表面自催化生成氧化镓纳米片。该Ga2O3纳米线阵列薄膜采用一步法制备而成，制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜尺寸及阵列密度可控，具有工艺流程简单，实施方便，重复性好，可大批量制备等优点。
28、一种氧化钛纳米管阵列膜的制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种氧化钛纳米管阵列膜的制备方法，包括如下步骤：(1)裁剪10mm×20mm的纯钛片，经金相砂纸打磨，先后用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；(2)然后用氢氟酸、浓硝酸、去离子水形成的混合溶液对纯钛片抛光处理30s，制得预处理的纯钛片，三种溶液体积比为1：4：5；(3)在室温下，把作为阳极的预处理纯钛片和作为阴极的石墨片放入氧化溶液中，采用直流稳压电源提供20V的电压环境下氧化处理30s～3000s，纯钛表面生成结构规整有序的高密度氧化钛纳米管阵列膜；该阳极和阴极之间的电极间距为3cm，氧化溶液包括0.5wt％氢氟酸、0.1wt％冰醋酸和0.1wt％聚乙二醇混合的电解液，作为络合剂的冰醋酸，作为稳定剂的聚乙二醇。
29、一种阵列碳纳米薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料提供了一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法，包括以下步骤：将基底置于PECVD腔体中的金属网罩中，金属网罩上方放置依次叠加的两块催化剂金属板；在PEVCD腔体中通入反应气体，加热后接通电源，反应后在基底表面得到催化剂薄膜；将PEVCD腔体加热后通入碳源和载气，接通电源，反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜。本申请催化剂薄膜和阵列碳纳米管薄膜在同一PECVD腔体内完成，且能够实现连续制备，提高了阵列碳纳米管薄膜制备的效率；另一方面，低温制备使得阵列碳纳米管薄膜能够应用于很多不耐高温的领域。
30、二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料公开了一种二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)第一次预处理；(2)第一次阳极氧化反应；(3)第二次预处理；(4)第二次阳极氧化反应。本套资料提供的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，通过两次阳极氧化反应过程，控制优选的工艺参数，制备得到的二氧化钛纳米管阵列薄膜的纳米管排列规则、结构完整、表面形貌优异，所得纳米管大小均匀，管长较长，管径较大，壁厚均匀。本套资料的制备方法操作简单，条件温和，易控制，节约反应时间，减少成本；避免了纳米管顶端倒伏的发生。
31、氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
[摘要] 本套资料属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本套资料的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。
32、磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法
[摘要] 本套资料属于纳米磁性功能材料技术领域，涉及一种磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法。反点阵列呈高度有序的六方形紧密排列结构，反点呈规则的正六边形或圆形。其制备方法为：用聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板，在Ar气氛围下通过磁控溅射向模板缝隙间沉积金属，通过调制溅射功率轻易控制反点阵列的形貌，得到所述磁性纳米反点阵列薄膜。本套资料的磁性纳米反点阵列薄膜可以兼顾高有序度、高矫顽力和反点形貌可调等基本要素。本套资料的制备方法工艺简单、易于操作。本套资料所得到的孔径100～500nm的磁性纳米反点阵列薄膜可以广泛用于高密度磁存储介质、高效催化剂及传感器等领域。
33、铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法
[摘要] 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本套资料通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备，而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制；材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。
34 硅纳米线阵列膜电极的制备方法
37 一种LaVO4纳米棒阵列薄膜的制备方法
38 一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法
39 二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法
40 图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法
41 二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法
42 一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用
43 一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法
44 一种CoTiO<base:Sub>3</base:Sub>纳米阵列湿敏薄膜制备方法
45 一种制备聚偏氟乙烯纳米阵列孔膜的方法
46 五氧化二钽微-纳米柱阵列膜的制备方法
