加热晶片,加热器生产工艺原料配方配比技术

请记住资料编号：GY10001-159243 资料价格:198元

1、通过加热衬底和冷却电解质在硅通孔（TSV）中电沉积芯片到芯片、芯片到晶片以及晶片到晶片铜互连的方法

[简介]：在电解金属镀层系统中利用包括氧化还原中介物的电解池在硅衬底的高深宽比孔中电沉积金属以形成硅通孔（TSV）的方法，该电解金属镀层系统包括卡盘和温度控制装置，该卡盘适用于夹持该硅衬底并将该硅衬底加热至第一温度，该温...

2、通过加热衬底和冷却电解质在硅通孔（TSV）中电沉积芯片到芯片、芯片到晶片以及晶片到晶片铜互连的方法

[简介]：本套资料提供一种通过提高均热性，能够减小施加于半导体晶片等的热的偏差的晶片加热装置。晶片加热装置1具备：上表面为平面的基底构件3；埋设有加热电极的绝缘层5；粘接于绝缘层5的上表面且上表面为晶片侧的均热板1...

3、晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法

[简介]：本套资料提供一种电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、一种制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、一种蓝宝石单晶锭以及一种蓝宝石晶片。根据实施方式，电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器包括：腔室；坩埚，所述坩埚被包括在所述腔室内并且...

4、电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、蓝宝石单晶锭和蓝宝石晶片

[简介]：本技术公开一种LED晶片共晶焊接设备的加热装置，包括有一脉冲电流加热装置和一恒温加热装置，所述脉冲电流加热装置设置在待加热晶片的上方，而所述恒温加热装置设置在所述待加热晶片的下方。本实用新型加热速度快、能够...

5、LED晶片共晶焊接设备的加热装置

[简介]：本套资料提供一种用于在冷离子注入中消减凝露的离子注入系统、方法及设备。离子注入设备构造为将离子提供至放置在加工室中的工件。在该工件暴露于复数个离子的过程中，低温夹具支撑该工件。该低温夹具进一步构造为冷却该工件...

6、使用光的注入晶片后加热

[简介]： 1.本外观设计名称为晶片加热铲，主要用于晶片加热。2.本外观设计主要设计要点为立体图的图案部分。3.本外观设计产品的立体图最能表明设计要点。4.后视图与主视图对称，省略后视图。

7、通过光通量加热晶片的方法

[简介]：本套资料实施例提供一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器，该晶片承载装置包括导热层，设置于支撑基座上，导热层耦接至加热电路；多个孔洞，穿过导热层及支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至加热电路且延伸穿过...

8、用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器

[简介]：一种采用一种液态传热介质加热晶片的方法和装置。热量是由一加热源产生的。加热源的热量被传递给流态传热介质，从而使其的一液态部分气化。流态传热介质包含在一形成在加热源与固态传热介质之间的空间之内。蒸汽的热量传递...

9、晶片加热装置以及使用其加热晶片的方法

[简介]：本套资料涉及一种能够减小被加热物表面的面内温度差，且能够短时间将被加热物加热到所期望的温度的加热器。该加热器具有板状体，该板状体具有第1主面与第2主面，其第1主面为放置被加热物的置载面，其内部或第2主面具有电阻发...

10、加热器和晶片加热装置以及该加热器的制造方法

[简介]：一种半导体晶片的封闭式*线加热装置，包括带密封盖板的壳体内部为*线发生腔，壳体一侧设有由透射玻璃密封的透射窗口，所述腔中有两端分别安装在灯管排座和灯管座上的至少二根加热灯管，灯管另一侧装有反射板，各灯管...

11、半导体晶片的封闭式*线加热装置

[简介]：本套资料的目的是提供一种具有高度的均热性，可以几乎相同地加热装载于其上面的晶片等的加热器及使用该加热器的晶片加热装置以及其制造方法。为了达到上述目的，本套资料涉及一种加热器，其包括：板状体；形成在该板状体的表面，...

12、加热器和晶片加热装置及加热器的制造方法

[简介]：一种陶瓷加热器、晶片加热装置以及半导体基板的制造方法，在以板状陶瓷体的一主面作为加热面且在其板状陶瓷体的内部或另一侧主面配置电阻发热体的陶瓷加热器中，若反复快速升温或降温，板状陶瓷体和电阻发热体之间将出现裂...

13、陶瓷加热器、晶片加热装置以及半导体基板的制造方法

[简介]：本套资料提供一种通过提高加热器部的冷却速度可急速进行冷却的晶片加热装置，该加热器部由具有电阻发热体的板状体组成。该晶片加热装置包含：板状体，其具有对置的二个主面，其中一主面作为载置晶片的载置面，在另一主面上具有...

14、晶片加热装置及半导体制造装置

[简介]：一种晶片加热器，包括：硅穿孔与位于硅穿孔两端的第一金属层与第二金属层；其中，所述硅穿孔内填充导电材质；所述第一金属层包埋在所述晶片内，所述第二金属层暴露在所述晶片表面。此外，本套资料还提供一种电子迁移率检测装置。...

15、晶片加热器及电子迁移率检测装置

[简介]： 1.名称：晶片处理用加热器单元。2.用途：本产品是装配在对晶片进行等离子体处理的腔室内的用于处理晶片的加热器单元。如使用状态参考图所示，在腔室内与喷头相对地配置，该喷头作为电极与高频电源连接。3.设计要点：本外观设计...

21、用于将多个晶片放置在垂直式加热炉中的方法

22、通过优化电磁能的吸收加热半导体晶片的系统和方法

23、通过优化电磁能的吸收加热半导体晶片的系统和方法

24、电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺

25、晶片粘接时用于经加热基板的机械夹持器

26、一种应用远*线陶瓷加热技术的晶片沾银铜干燥系统

27、晶片的加热器及防止加热器污染的方法

28、晶片加热器组件

29、加热或冷却晶片的设备

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