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《薄膜,磁性薄膜类专题技术光盘》

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1、在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
[简介]: 本发明涉及在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶,其由含有Co的金属基质相、和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6~14摩尔%的氧化物的相以下,称为“氧化物相”构成,其特征在于,除构成所述金属基质相和氧化物相的成分之外...

2、在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
[简介]: 本发明公开了一种非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料及制备方法。材料分子结构式为Sn1-xMexO2,x=0-17%Me代表Zn、Mg或Al。方法:脉冲喷雾蒸发化学气相沉积PSE-CVD,Pulsedspray-evaporationchemicalva...

3、非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料及制备方法
[简介]: 本实用新型公开了一种荧光磁性镭射防伪薄膜,包括基材、镭射层、荧光油墨层及磁性层;其中,基材的下表面设置镭射层,镭射层的下表面模压出激光全息图文,基材的上表面设置荧光油墨层,荧光油墨层上表面设置磁性层。本实用新型...

4、一种荧光磁性镭射防伪薄膜
[简介]: 本实用新型公开了一种薄膜表面磁性粉屑去除装置,包括轮轴及设在所述轮轴上可绕轮轴旋转的滚轮,在所述滚轮内所述轮轴的一侧上设有使磁性粉屑吸附在所述滚轮表面的磁铁;该薄膜表面磁性粉屑去除装置,在薄膜经过滚轮时,薄...

5、一种薄膜表面磁性粉屑去除装置
[简介]: 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、PbZr0.52Ti0.48O3基体和NiFe2O4纳米线;NiFe2O4纳米线均匀分布在PbZr0.52Ti0.48O3基体中,形成沉积于MgAl2O4单晶基片(001)取向表...

6、一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法
[简介]: 一种磁性疏水薄膜的制备方法,本发明涉及一种磁性疏水薄膜的制备方法。本发明具体方法为:一、用水热法制备四氧化三铁粒子;二、沸腾无皂乳液聚合的方法制备四氧化三铁聚甲基丙烯酸甲酯微球;三、用四氧化三铁聚甲基丙烯酸甲...

7、一种磁性疏水薄膜的制备方法
[简介]: 本发明涉及一种磁性防伪薄膜,该薄膜由基底膜、磁性膜及覆盖膜复合而成,磁性膜覆盖在基底膜上,覆盖膜设在磁性膜上,磁性膜上设有标识、图案、文字或符号的防伪特征,该防伪特征可通过检测仪器读取。与现有技术相比,本发明具有...

8、一种磁性防伪薄膜
[简介]: 本发明公开了一种导磁性材料网,所述的导磁性材料网(020)是由电阻率较小的、环保的、无*的导磁性金属材料板材冲制而成的,也可以是所述的金属材料丝编制而成的,是一种平面形状的网状结构体,在高频脉冲电磁功率的作用下可...

9、用于可塑性薄膜熔合粘接的导磁性金属网
[简介]: 本发明公开了一种纳米磁性结构及其制造方法,所述纳米磁性结构包括一器件衬底、设置于所述器件衬底上的多个纳米磁性复合材料层,其中,所述多个纳米磁性复合材料层彼此间设有粘合剂层。金属绕组与所述多个纳米磁性复合材料...

10、使用由粘合剂粘合的层状纳米复合材料薄膜的磁性器件
[简介]: 本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种纳米磁性金属或合金薄膜的制备方法。该薄膜制备步骤为:(1)配置反应溶液:将磁性金属盐溶于蒸馏水,然后依次将含有氨基、羧基、羟基三种官能团中的至少一种的有机络合剂、强碱、还原剂、能...

11、具有纳米结构的磁性金属或合金薄膜的制备方法
[简介]: 本发明提供一种磁性光变薄膜、薄膜碎片及其制造方法。该磁性光变薄膜包括磁性层、第一介质层、第二介质层、第一半吸收层以及第二半吸收层。磁性层包含至少一种含镍铬的合金,其具有第一主表面以及相对的第二主表面。第一介质层...

12、磁性光变薄膜、薄膜碎片及其制造方法
[简介]: 本发明属于纳米磁性功能材料技术领域,涉及一种磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法。反点阵列呈高度有序的六方形紧密排列结构,反点呈规则的正六边形或圆形。其制备方法为:用聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板,在Ar气氛围下...

13、磁性纳米反点阵列薄膜及其制备方法
[简介]: 磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜,属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1-x薄膜中掺杂H且其含量2at%-35at%,获得居里温度>270K的磁性半导体薄膜。

14、磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜
[简介]: 本发明公开的在锦纶织物表面制备磁性纳米四氧化三铁颗粒薄膜的方法,首先对锦纶织物进行预处理;然后在制备磁性纳米四氧化三铁颗粒的同时,直接对锦纶织物纤维表面进行改性;最后将锦纶织物以1∶30~50的浴比,在70~90℃条件下...

15、在锦纶织物表面制备磁性纳米四氧化三铁颗粒薄膜的方法
[简介]: 一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法,属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子(纳米氧化物或者金属)稀释AFM材料,调节界面未补偿磁矩的数量和状态,减小AFM材料的晶粒尺寸,提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方...

16、一种提高交换偏置薄膜磁性和热稳定性的方法
[简介]: 一种适合高频操作的磁性多元合金薄膜。此磁性多元合金薄膜用于改善薄膜电感在高频操作下的品质因子,并可提高其电感值。此磁性多元合金薄膜主要是引入多元高熵合金的材料设计概念,利用多元高熵合金所具备的一些材料特性,...

17、软磁薄膜电感器及磁性多元合金薄膜
[简介]: 本发明涉及一种用于磁性非磁性磁性多层薄膜的核心复合膜,包括*磁性层、隔离层和被钉扎磁性层。该核心复合膜可以是仅隔离层为LB膜层;该隔离层为具有绝缘的、导电的、或有半导体性质的材料组成的有机LB膜。该核心复合膜...

18、用于磁性非磁性磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途
[简介]: 本发明提出一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器,其是基于有机电致发光材料Alq3的有机半导体薄膜器件,所述磁性传感器为层状薄膜结构,结构由下至上为:衬底、导电透明阳极ITO、有机材料功能层和LiFAl阴极...

19、一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器
[简介]: 本发明涉及铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法,采用超高真空对向靶磁控溅射镀膜机,在对向的靶头上安装一对纯度为99.99%的Ti靶,在Ti靶的表面放上Cr片,开启对向靶磁控溅射设备,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽...

20、铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法
[简介]: 结合被包括在挤出薄膜制剂中的接受磁性的颗粒的实际应用将产生具有将附着于磁体的性能的接受磁性的薄膜。此外,结合共挤出技术可以产生具有接受磁性的核同时保持第一层和第三层未改变的印刷介质。

21、接受磁性的挤出薄膜
[简介]: 本发明涉及一种微波循环器,其使用薄膜交换耦合结构件来提供围绕该循环器的面内磁场。交换耦合结构件包括铁磁层和反铁磁层,所述铁磁层的面内磁化取向为大致围绕循环器,所述反铁磁层与所述铁磁层交换耦合而向所述铁磁层提...

22、具有薄膜交换耦合磁性结构件的微波循环器
[简介]: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层,所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面ABS的相对侧上,以施加...

23、具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头
[简介]: 本发明涉及弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及加工设备,其中高分子薄膜为添加到高分子中的弱磁性纳微米粒子在基底内呈条状或阵列排列或图案化的定向取向的高分子薄膜,该高分子薄膜是由试样容器、磁场调制器...

24、弱磁性纳微米粒子图案化的高分子薄膜、加工方法及加工设备
[简介]: 提供一种兼具高MR比和低磁致伸缩的隧道磁阻薄膜。所述隧道磁阻薄膜为具有磁化固定层、隧道势垒层、磁化*层的隧道磁阻薄膜,所述隧道势垒层为具有001取向的氧化镁晶粒的氧化镁膜,所述磁化*层为第一磁化*层与第二...

25、隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置
[简介]: 本发明提供隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置。在维持用作交换耦合用非磁性层的Ru层为薄膜的状态下,改良耐热性,即使经过高温退火,Ru层也良好地呈现交换耦合磁场,MR比高。在隧道磁阻薄膜中,将夹着交换耦合用非磁性层5层...

26、隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置
[简介]: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法,属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质:低电阻率的材料为莫特Mott变程跃迁电阻,中间电阻率的材料为埃弗洛斯Efros变...

27、电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明设计的一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法,其特征在于:该Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得;其具体方法是:选择合金成分为Fe50Mn50~Fe70Mn30的合金制得直径为50-60mm、厚度...

28、一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种在磁性颗粒表面包覆二氧化钛晶态薄膜的方法,由下述步骤组成:1将纳米或微米级磁性颗粒用乙醇、水依次清洗,干燥后,浸入离子型表面活性剂的水溶液中,浸泡8-12h,从溶液中磁性分离出颗粒;2置于氟钛酸铵...

29、一种在磁性颗粒表面包覆二氧化钛晶态薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种合成Fe3O4-Au磁性沉积薄膜的新方法。其特征在于运用湿化学法将金离子持续不断还原到氨基或巯基功能化的磁性纳米粒子上,实现样品的制备。此方法制备Fe3O4-Au磁性沉积薄膜快速、直观,是一种操作简单、快速、...

30、一种制备Fe3O4-Au磁性沉积薄膜的新方法
[简介]: 本发明公开了一种在恒温水浴的条件下采取加入过渡金属盐制备磁性ZnO纳米棒阵列薄膜的方法,其步骤依次如下:1基底用*和乙醇室温超声洗涤,在100℃左右干燥10~80min,取出备用;2将水合锌盐、过渡金属盐和有机胺溶解在...

31、过渡金属盐掺杂制备磁性氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法,该方法为:在室温下,利用光子能量为2.0eV-3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜;在进行上述步骤的同时,对铁磁体CrO2薄膜施加外加电场,以调控在激光诱导下...

32、利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法
[简介]: 本发明提供一种制备含氟磁性涂层聚酰亚胺复合薄膜制备方法,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆掺杂磁粉的含氟乳液中,然后在带有电磁铁的干燥烧结炉中干燥烧结获得。克服了现有方法通过混合或其他化学物理方法生产磁性聚酰亚胺...

33、一种含氟磁性涂层聚酰亚胺复合薄膜制备方法
[简介]: 本发明提供在具有绝缘性的同时,具有永磁体功能,并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体。形成磁性薄膜3时,对于包含含有在具有绝缘性的同时具有永磁体功能ε型氧化铁系化合物的磁性粒...

34、磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体
[简介]: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷的制备方法,本发明使用SrCO3、Fe2O3、Cr2O3、MoO3粉末,将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理,将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在5%H295%Ar混合气下,在1473K的温度下烧...

35、室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷和薄膜的制备方法
[简介]: 一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法,涉及一种在高频通讯芯片中用于集成电感器件的纳米颗粒型磁性薄膜及其制备工艺。本发明使用非连续多层膜交替磁控溅射法,得到玻莫合金-SiO2磁性纳米颗粒薄膜,所述的玻...

36、一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法。本发明利用超高真空团簇束流系统制备出由团簇纳米颗粒组装的薄膜,从而实现了在纳米尺度上控制薄膜的性质,并因此获得了室温下铁磁性增强的BiFeO3薄膜,其饱和磁化强度达...

37、一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法
[简介]: 【課題】平均粒径15nm以下、好ましくは10nm以下でも強磁性の特性を有する酸化鉄ナノ磁性粒子粉とその製造方法、当該酸化鉄ナノ磁性粒子粉を含む酸化鉄ナノ磁性粒子薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】出発原料として、βFeO(OH)(酸化水酸化鉄)ナノ微粒...

38、带有改进的反铁磁耦合薄膜的磁性器件
[简介]: 公开了一种带有改进的反铁磁耦合薄膜的磁性器件。本发明公开的磁性器件是一种磁阻传感器或一种磁沟道结器件,其铁磁结构带有以一种改进的AFC薄膜反铁磁耦合在一起的两个铁磁层。AFC薄膜是一种Ru100-xFex合金,x是大约10和...

39、带有改进的反铁磁耦合薄膜的磁性器件
[简介]: 本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法,所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxOx0.2~0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法,得到具有单晶单相的纤维锌矿...

40、高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法
[简介]: 本实用新型公开了一种粘接可塑性薄膜的导磁性材料网,是一种由导磁性金属材料制成的导磁性材料网(020),在高频脉冲电磁功率的作用下可以发热升温。导磁性材料网(020)是由环保的、无*的导磁性金属材料制成的一种用于可塑性...

41、粘接可塑性薄膜的导磁性材料网
[简介]: 本发明公开了一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法,其特征是半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构,颗粒膜结构是由尺寸介于17-35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。本发明薄膜具有室温铁磁性,其磁化强度随磁...

42、无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法
[简介]: 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法,所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO,其中0≤x≤0.03,0≤y≤0.03。掺杂Cr和或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁...

43、具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1把99.99%的铝箔退火;2退过火的铝箔在草酸中一次氧化;3清洗;4二次氧化;5除去未被氧化的铝;6清洗;7沉积铁、镍;8退火。本发明的优点是:1制备简单,费用低廉;2纳米...

44、纳米磁性网络结构薄膜的制作方法
[简介]: 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料,锰在硅中的含量为1-10%摩尔比的薄膜材料。其厚度为1-10000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤:在硅薄膜材料真空锰溅射的方法,制成含锰量为1-10%的厚度为1-10微米的硅薄膜,然...

45、掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法
[简介]: 本实用新型公开了一种用于测试磁性薄膜材料力和磁耦合的测试装置,包括光源、起偏镜、检偏镜、第一分光镜、第二分光镜、第一光栅、第二光栅、透镜、过滤屏、第一光线采集装置和第二光线采集装置,所述第一分光镜、第二分光镜、第一...

46、用于测试磁性薄膜材料力和磁耦合的测试装置
[简介]: 本发明公开了一种用于测试磁性薄膜材料力和磁耦合的测试装置及检测方法,包括光源、起偏镜、检偏镜、第一分光镜、第二分光镜、第一光栅、第二光栅、透镜、过滤屏、第一光线采集装置和第二光线采集装置,所述第一分光镜、第二分光镜...

47、用于测试磁性薄膜材料力和磁耦合的测试装置及测试方法
[简介]: 沿列方向设置主电源配线PLma及主接地配线GLmb,以从存储区域55a及55b的一侧第1方向供给电源;沿列方向设置主电源配线PLmb及主接地配线GLma,以从存储区域55a及55b的另一侧与第1方向相反的第2方向供给...

48、抑制电源配线的磁场噪声影响的薄膜磁性体存储装置
[简介]: 程序元件180设有,在第一与第二节点190、195之间电连接的磁性体层160#。磁性体层160#的至少一部分,构成设计成可通过来自外部的激光照射熔断的接线部185。磁性体层160#在与MTJ存储单元中的隧道磁电阻元件相同的...

49、设有程序元件的薄膜磁性体存储装置
[简介]: 在MRAM器件中,将存储块MA分为四个区A~D,对应于四个区A~D分别设置四个恒流电路13~16。位线驱动器10~12从四个区A~D按每区两条选择八条位线BL,在各位线BL上流入对应于该位线BL的恒流电路的输出电流。因此...

50、设有含磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
[简介]: 本发明提供一种防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置。通过使磁阻效应元件在芯块C内部与绝缘层处于邻接状态,芯块安装在台板上,台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板,过渡基板上形成的接点部与芯块的磁阻效应...

51、有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置
52、有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置
53、薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
54、抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器
55、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
56、具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器
57、并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器
58、FePtCoPt-非磁氧化物磁性复合薄膜的制备方法
59、图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法
60、抑制了内部的磁噪声的薄膜磁性体存储器
61、能按照自基准方式读出数据的薄膜磁性体存储装置
62、一种磁性金属薄膜型霍尔器件及其制备方法
63、多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置
64、设有伪单元的薄膜磁性体存储装置
65、数据读出精度高的薄膜磁性体存储器
66、一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法
67、磁性墨水及喷墨打印柔性电磁波吸收薄膜的制备方法
68、设有数据读出参照用伪单元的薄膜磁性体存储装置
69、数据读出数据线充电时间缩短的薄膜磁性体存储装置
70、薄膜磁性体记忆装置和采用其的流通及制造工序管理系统
71、薄膜磁性体存储器及其信息编程方法
72、通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体记忆装置
73、通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置
74、不用基准单元进行数据读出的薄膜磁性体存储器
75、具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置
76、具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置
77、在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器
78、包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
79、具有冗余结构的薄膜磁性体存储装置
80、一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
81、一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法
82、能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置
83、具有数据读出电流调节功能的薄膜磁性体存储器
84、具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器
85、具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置
86、磁性p-n结薄膜材料及制备方法
87、可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器
88、各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法
89、高速且稳定地进行数据读出工作的薄膜磁性体存储器
90、备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置
91、具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器
92、容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器
93、产生磁性偏置场的多层薄膜结构
94、产生磁性偏置场的多层薄膜结构
95、一种利用导电氧化物作为缓冲层的叠层铁电磁性多铁性磁电复合薄膜及其制备方法
96、一种L10型超高密度磁性记录金属薄膜的制备方法
97、由芳香族聚酰胺和或芳香族聚酰亚胺制成的薄膜以及使用该薄膜的磁性记录载体
98、含有吡啶环的聚合物及其配合物磁性薄膜材料与制备方法
99、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金,溅射靶材,以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
100、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金,溅射靶材,以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
101、铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
102、铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
103、GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
104、磁性薄膜干涉器件或颜料及其制造方法、含这种磁性薄膜干涉器件的印刷油墨或涂料组合物、秘密文件以及应用
105、一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法
106、一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法
107、磁性编码薄膜材料及其制备方法
108、具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法
109、具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO<>2<>纳米磁性薄膜的制备方法
110、Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法和软磁性薄膜层及使用了它的垂直磁记录介质
111、在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
112、非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法
113、非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法
114、磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用
115、反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用
116、利用多个电阻膜研磨薄膜磁性元件条的方法
117、磁性薄膜材料面内单轴各向异性测试方法
118、一种具有室温铁磁性的C-Al2O3-δ复合薄膜材料及其制备方法
119、一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法
120、垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
121、磁性薄膜及其成膜方法以及磁性薄膜的应用装置
122、酮亚胺固化剂及由其制得的快速固化磁性记录介质和薄膜
123、一种Ru非磁性薄膜及其制备方法
124、磁性薄膜电感器
125、磁性薄膜电感器
126、强磁场下制备Sm-Fe合金磁性薄膜的方法
127、磁性纳米复合薄膜及其溶胶凝胶制备方法
128、一种取向生长的铁掺杂氮化钛铁磁性薄膜的制备方法
129、一种超疏水纳米磁性薄膜的制备方法
130、磁性体薄膜及其制造方法和磁头
131、一种具有室温铁磁性的Ge-SiN复合薄膜材料及其制备方法
132、一种磁记录磁性薄膜的制备方法
133、一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜及其制备方法
134、在薄膜磁性传感器内形成垂直间隙的过程
135、高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件
136、一种聚乙烯醇磁性薄膜的制备方法
137、一种强磁性薄膜介质及其制备方法
138、一种磁性薄膜的制备方法
139、磁性薄膜及其制造方法和使用其的各种应用装置
140、使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法
141、等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序
142、使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法
143、周期结构的铁磁性薄膜吸波材料
144、铁氧体磁性薄膜的制备方法
145、磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法
146、磁性薄膜和磁阻效应元件
147、一种将TiO2光催化剂负载于铁磁性金属薄膜的方法
148、一种在柔性基材上沉积磁性薄膜的方法
149、一种在柔性基材上沉积磁性薄膜的方法

资料说明:
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