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《靶材,薄膜类专题技术光盘》

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1、Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件
[简介]: 本发明提供一种Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件,该Cu-Mn合金溅射靶材能够减少由于含有高浓度的Mn、杂质的氧化物等的异物所造成的溅射时的异常放电。该Cu-Mn合金溅射靶材以含有平均浓度5原...

2、Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件
[简介]: 本发明提供:可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材,所述Mo合金溅射靶材是低电阻的,耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异,适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射...

3、Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材
[简介]: 提供一种Cu-Ga系合金粉末,以原子%计,含有25%以上且不足40%的Ga,余量包含Cu和不可避免的杂质,氧含量为200ppm以下。该粉末能够制造用于制造太阳能电池的光吸收薄膜层的低氧Cu-Ga系溅射靶材。

4、氧含量低的Cu-Ga系合金粉末、Cu-Ga系合金靶材、以及靶材的制造方法
[简介]: 一种钨钛合金靶材、背板及钨钛合金靶材组件,所述钨钛合金靶材包括溅射面和焊接面,所述焊接面包括第一焊接区域、第二焊接区域以及第三焊接区域;所述第二焊接区域通过所述第三焊接区域与所述第一焊接区域连接,所述第一焊接...

5、钨钛合金靶材、背板及钨钛合金靶材组件
[简介]: 本发明提供了一种铜硅合金溅镀靶材及一种铜硅合金记录层。该铜硅合金溅镀靶材及该铜硅合金记录层均由Cu<>a<>Si<>b<>M<>c<>合金组成,其中,M为镍、铬、钼或钛,a为0.55至0.93,b为0.05至0.25,c为0.02至...

6、铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层
[简介]: 本发明公开了属于靶材制备技术领域的一种高纯NiPt合金靶材及其制备方法,其特征在于通过热锻进行开坯,采用冷轧结合再结晶热处理控制合金微观组织。具体工艺流程为:热锻、冷轧、真空热处理、精加工等。通过上述方法得到的高纯...

7、一种高纯NiPt合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种镀膜用的W-Ti合金靶材组件扩散焊接方法。本发明的方法为将将W-Ti合金靶材粉末原料及对应的待焊接复合的板坯材料置于热压模具内置于热压烧结炉内,一次进行靶坯热压烧结成型、靶坯与...

8、一种W-Ti合金靶材组件扩散焊接方法
[简介]: 本发明公开了属于靶材制造技术领域的一种镍或镍合金靶与背板焊接方法。该方法首先在靶材与背板焊接面进行表面处理,在处理后,外加包套再利用扩散焊接方法将镍或镍合金靶材焊接在背板上。本发明的扩散方法可以实现大面积镍...

9、一种镍或镍合金靶材与背板的焊接方法
[简介]: 本发明公开了属于靶材制备技术领域的一种W-Ti合金靶材及其制造方法。本发明的方法先热压烧结出初始W-Ti合金靶坯,相对密度达到95%以上,这样靶坯无内部-表面贯通气孔,可直接进行无包套热等静压处理,消除了因包套漏气致使...

10、一种W-Ti合金靶材及其制造方法
[简介]: 本发明公开了一种Ni-W-Cr合金靶材的制造方法。该方法依次包括配料步骤,熔炼、铸锭步骤,锻造步骤,一次热处理步骤,轧制步骤、二次热处理步骤和机加工生产成品步骤。通过本发明方法制造的Ni-W-Cr合金靶材具有成品成分控制精确...

11、Ni-W-Cr合金靶材的制造方法
[简介]: 本发明提供了一种Ni-Fe-W合金靶材及其制造方法。该靶材按原子百分比由以下元素组成:Fe2-20%,W2-15%,Ni65~96%。其制造方法依次包括配料步骤,熔炼、铸锭步骤,锻造步骤,热处理步骤,轧制步骤和机加工生产成品步骤。采用本发明...

12、Ni-Fe-W合金靶材及其制造方法
[简介]: 一种钼合金靶材的制法,其步骤为:(1)将钼粉与选自钛、铬、铌及钽族群的至少一种金属元素与碳的粉末混合成均匀的合金粉;(2)将该合金粉添入加压容器中,在真空下将加压容器进行除气制程,并密封除气孔;(3)利用热等静压工艺加...

13、钼合金靶材的制法
[简介]: 得到无裂纹、破裂、无相对密度和Ga浓度的波动的圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材。使用热等静压法,在厚度为1.0mm以上且小于3.5mm的圆筒形的包套1中以填充密度为60%以上的方式填充Cu-Ga合金粉末或Cu-Ga合金成型体,进行热等静压,...

14、圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材和其制造方法
[简介]: 本发明提供了一种钛铝铬合金靶材及其制备方法。该合金靶材按原子百分比由以下成分组成:钛5-75%,铝10-90%,铬1-20%。其制备方法包括:制备合金粉末、冷等静压处理、脱气处理、热等静压处理以及机加工步骤。本发明的钛铝铬合金靶...

15、钛铝铬合金靶材及其制备方法
[简介]: 提供一种溅射中没有裂纹的Fe-Co系合金溅射靶材。该Fe-Co系合金溅射靶材,由下式1:Fe<>X<>-Co<>100-X<><>100-Y<>M<>Y<>...1式中,原子比是0≤X≤100,4≤Y≤28,M元素含有Nb、Ta、Mo、W、Cr和V中...

16、Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法和软磁性薄膜层及使用了它的垂直磁记录介质
[简介]: 提供一种磁记录用软磁性合金,其以at.%比计,100FeFe+Co是0~70,并且,以at.%计,含有:10~30%的A从Mo和W所构成的群中选择的一种或两种;0~5%的B从Ti、Zr和Hf所构成的群中选择的一种或两种以上;0~0.5%的C从V、Nb和Ta所...

17、磁记录用软磁性合金和溅射靶材以及磁记录介质
[简介]: 一种轧制加工高纯度、高致密度钼合金靶材的方法,属于有色靶材制备技术领域,其步工艺骤包括:混粉、压块、预烧还原、真空处理、整型、热等静压用包套加工、包套装料、包套脱气封焊、热等静压处理、带包套轧制、加工成品。本发明通过...

18、一种轧制加工高纯度、高致密度钼合金靶材的方法
[简介]: 一种高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法,属于有色靶材制备技术领域。其步骤包括:混粉、压块、预烧还原、真空处理、整型、热等静压用包套加工、包套装料、包套脱气封焊、热等静压处理、加工成品。本发明所制备的钼合金靶...

19、高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法
[简介]: 本发明提供原子比的组成式表示为Fe<>a<>-Co<>100-a<><>100-b-c-d<>-Ta<>b<>-Nb<>c<>-M<>d<>0<a≤80、0≤b≤10、0≤c≤15、5≤b+c≤15、2≤d≤20、15≤b+c+d≤25,M表示选*Mo、Cr和W组成...

20、Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法
[简介]: 本发明提供了用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金和用于溅射的靶材,以及使用该合金的垂直磁记录介质。该合金是一种CrTi系合金,其具有按原子比计由Cr,Mo,W<>x<>Ti,Ta,Zr<>100-X<>,40≤X≤70表...

21、用于在磁记录介质中使用的粘合膜层用CrTi系合金,使用其获得的用于溅射的靶材和垂直磁记录介质
[简介]: 本发明涉及一种钼合金靶材的制作方法。其特点是,包括如下步骤:首先将钼粉和铌粉装入模具中混合,其中按重量计Mo粉:Nb粉5~15:85~95,然后将模具放入烧结炉中升温至900~1100℃,保温60~180分钟,然后升温至1900~2200℃,保温60...

22、一种钼合金靶材的制作方法
[简介]: 本发明公开了一种用四元素合金圆形靶材制备铜锌锡硫薄膜的方法,该方法所用的四元素合金靶材为Cu2ZnSnS4,该方法包括如下步骤:(1)将沉积有钼层的玻璃基底板加热至300~400℃,采用溅射法,调节溅射功率至30~200W,溅射得到第...

23、一种用四元素合金靶材制备铜锌锡硫薄膜的方法
[简介]: 本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法,包括以下步骤:以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层;以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层;以铜铟镓硒合金作为靶材在富...

24、一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种采用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法,该方法包括如下步骤:(1)将沉积有钼层的基底加热至300~400℃,采用溅射法,调节溅射功率至30~200W,溅射得到第一层薄膜,所述第一层薄膜表面呈贫铜富锌状态;(2)调...

25、一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法
[简介]: 本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法,包括以下步骤:以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层;以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜...

26、一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
[简介]: 本发明涉及一种铝钕合金靶材的生产方法,其包括(1)将铝锭和金属钕块切割成细条,表面超声波清洗,烘干,称量装炉,将炉体抽真空,氧化铝坩埚升温至800~1000℃,真空中频感应熔炼,停电、铜质水冷模浇铸铸锭,随炉冷,破真空取锭;(...

27、一种铝钕合金靶材的生产方法
[简介]: 本发明提供一种溅射用铜铟合金靶材,其中,铜的质量百分比含量为37.0~45.5%,铟的质量百分比含量为54.5~63.0%。本发明还提供上述溅射用铜铟合金靶材的制备方法,其包括以下步骤:(1)配料;(2)冶炼;(3)定向凝固;(4)切割;(5)热...

28、一种溅射用铜铟合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种钼钠合金旋转溅射管形靶材的制备工艺,包括如下步骤:1)备料:所用粉末为钼粉、钼酸钠粉末;粉末的物理性质为:钼粉的Mo含量≥99.95%,粒度3~5μm;钼酸钠粉,钼酸钠含量≥99.0%,粒度20~40μmμm;2)配粉:将钼粉、钼酸...

29、一种钼钠合金旋转溅射管形靶材的制备工艺
[简介]: 一种钼铌合金靶材的生产工艺,其特征在于:把高纯的钼粉和铌粉在混料机内混合均匀,铌粉和钼粉按照1:8-9的重量比置于混料机中,在1400~1900℃高温真空煅烧炉内煅烧成钼铌合金,把烧结块用油压机破碎成小块后在玛瑙球磨机中,...

30、钼铌合金靶材的生产工艺
[简介]: 本发明涉及一种锡锗砷合金靶材中锗、砷量的测定方法,采用电感耦合等离子体*光谱法,包括:1样品用盐硝混酸低温溶解;2以去离子水稀释,摇匀;3设置等离子体原子*光谱仪工作参数,功率为1.0~1.2Kw,雾化压力为46~5...

31、锡锗砷合金靶材中锗、砷量的测定方法
[简介]: 本发明提供一种溅射用铜镓合金靶材,其中,铜的质量百分比含量为38.0~68.0%,镓的质量百分比含量为32.0~62.0%。本发明还提供上述溅射用铜镓合金靶材的制备方法,其包括以下步骤:(1)配料;(2)冶炼;(3)定向凝固;(4)切割;(5)热...

32、一种溅射用铜镓合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明提供了一种铌合金靶材的制备方法,首先将铌合金管坯进行热挤压,然后将热挤压后的铌合金管坯进行内孔的加工,从而得到铌合金靶材。本发明在制备铌合金靶材的过程中,首先在铌合金管坯表面涂抹了玻璃粉,由于铌合金管坯...

33、一种铌合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种高致密铬合金靶材的生产方法,其包括依次进行的真空脱气、阶段性升温加、保压炉冷、热锻、退火、热轧、退火以及机加工步骤,其中:采用-200目、纯度为99.95wt%以上、氧含量为1000ppm以下的铬粉以及合金金属的粉体为...

34、一种高致密铬合金靶材的生产方法
[简介]: 本发明公开了一种钨硅合金靶材的制备方法。本发明包括如下步骤:(1)将钨粉、硅粉和成形剂充分混合,得到钨硅合金粉末;(2)将步骤(1)所得钨硅合金粉末冷压得预成形坯;(3)将步骤(2)所得预成形坯进行真空热压成形,冷却后得烧结...

35、一种钨硅合金靶材的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法,是采用了氢化钛代替传统的部分纯钛,并将钨粉、钛粉和氢化钛粉按一定的质量比置于三维混料器中,在一定的转速条件下混合得到钨钛合金粉末,而后把填...

36、半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种钌及钌合金靶材的加工方法,包括:提供钌及钌合金靶材坯料;对所述的钌及钌合金靶材坯料进行车削,所述车削采用HRC大于70的刀具,所述车削时加工的转速为50-200转分钟,所述车削时的进刀量为0.1-0.5mm;对车...

37、一种钌及钌合金靶材的加工方法
[简介]: 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金,其在室温展现低饱和磁通密度,并且具有在高温小的饱和磁通密度下降。该合金包含,按原子%计,Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种...

38、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金,溅射靶材,以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
[简介]: 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金,相对于室温的饱和磁通密度,其在高温具有高饱和磁通密度。该合金包含按原子%计的:一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素;Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上,或...

39、在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金,溅射靶材,以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质
[简介]: 本发明提供一种具有低矫顽力的垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金。该合金包含如下成分:选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上;W和Sn中的1种或2种其中,W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换;根...

40、垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
[简介]: 本发明提供一种记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟。尤其是提供一种包含CuaSibxM1-x合金的合金靶材、记录层、光记录媒体与包含其的蓝光光碟,以解决传统双记录层的相转变温度过高而*光记录媒体的烧录速...

41、记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟
[简介]: 本发明公开了一种钛硅合金靶材的制造方法,该方法以硅粉、钛粉为原料,按一定的比例机械混合,装入石墨模具中,通过真空感应热压烧结,制出不同成分和不同尺寸规格的钛硅合金靶材。本发明提供的方法制备的钛硅合金靶材具有晶...

42、一种钛硅合金靶材的制造方法
[简介]: 本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是,一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材10,其由...

43、Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管
[简介]: 本发明涉及一种金砷合金靶材中砷量的测定方法,采用电感耦合等离子体*光谱法,包括:1样品用王水低温溶解,蒸至近干,加*驱赶氮氧化物;2以去离子水稀释,摇匀;3将等离子体原子*光谱仪开机预热半小时,开启循环...

44、一种金砷合金靶材中砷量的测定方法
[简介]: 本发明公开了一种高纯硫系相变合金靶材及其制备方法,特点是主要由以下各组份及其重量百分比组成:锗0-20%;锑20-40%;碲50-70%,由以上各原料组成的混合料的重量数之和为100%,再在混合料中0.1wt%添加镁条和300ppm的TeCl4,...

45、一种高纯硫系相变合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种新型的垂直磁记录介质软磁性底层用合金靶材FeCoTaZr的制造方法,包括下述步骤,按量取Fe、Co、Ta、Zr四种元素原材料放入坩埚中,进行真空熔炼,采用高温精炼和低温精炼相结合的方法,配合电磁搅拌工艺浇注到模...

46、一种新型的垂直磁记录介质软磁性底层用合金靶材FeCoTaZr的制造方法
[简介]: 本发明提供一种以at.%计包含:0.5%以上的A选自Ta、Nb及V中的元素的1种或2种以上;0.5%以上的B选自Cr、Mo及W中的元素的1种或2种以上;0~5%的C选自Ti、Zr及Hf中的元素的1种或2种以上;0~30%的D选自Ni及Mn中的元素的1种...

47、磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
[简介]: 本发明公开了属于合金靶材制备技术领域的一种用于大电流密度M型阴极敷膜的合金靶材制备方法。在对原料粉末提纯的基础上,利用等离子体球化技术制备OsRe、OsRu、OsIr、OsRh、OsW、WRe等预合金粉末,有助于获得高纯和高均匀的靶...

48、一种用于大电流密度M型阴极敷膜的合金靶材制备方法
[简介]: 本实用新型公开了一种低熔点带有内衬管合金旋转靶材的连铸装置,包括模具,所述模具内设置有胚料管和内衬管,所述内衬管固定在所述胚料管内,它还包括设置在模具底部的电机,所述电机通过传动丝杆与所述胚料管相连接,所述电...

49、一种低熔点带有内衬管合金旋转靶材的连铸装置
[简介]: 本发明涉及一种垂直磁记录介质中的合金靶材,其特征在于所述合金靶材的原子比组成式为(CoX-Fe100-X)100-(Y+Z)-TbY-MZ,其中,5≤X≤20,15≤Y≤40,2≤Z≤15,所述组成式中的M元素为从Ta、Nb、Zr中选出的一种或两种元素,其中:Fe的原...

50、垂直磁记录介质中的合金靶材及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种低熔点带有内衬管合金旋转靶材的连铸装置,包括模具,所述模具内设置有胚料管和内衬管,所述内衬管固定在所述胚料管内,它还包括设置在模具底部的电机,所述电机通过传动丝杆与所述胚料管相连接,所述电机带...

51、磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材
52、磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材
53、磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
54、一种铝钛硅合金靶材及其制备方法
55、一种合金靶材的矫直装置
56、热等静压生产平板显示器用钼合金溅射靶材的方法
57、一种无铜环保镜合金溅射专用靶材
58、光伏吸收层溅射镀膜的铜镓合金旋转靶材及制备方法
59、Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜
60、Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜
61、磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质
62、CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法
63、一种锰合金靶材及其制造方法
64、一种靶材和利用靶材在铝或铝合金基材上镀膜的工艺方法
65、一种高密度、大尺寸、高均匀性钼钛合金靶材的制备方法
66、一种铜合金靶材的加工方法
67、一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法
68、钛铝合金靶材的真空感应熔炼方法
69、金属混合真空溅射合金靶材材料及其制作方法及用途
70、钛铝硅合金靶材的制备方法
71、铬铝合金靶材及其制备方法
72、铬铝硅合金靶材及其制备方法
73、钛铝锆合金靶材及其制备方法
74、一种FeCoTaZr系合金溅射靶材及其制造方法
75、一种采用冷等静压和液相烧结制备W-10Ti合金靶材的方法
76、钨钛合金靶坯及靶材的制造方法
77、一种平面显示器用钼钨合金溅射靶材及其制备方法
78、一种钛铝合金靶材的生产方法
79、一种铬铝合金靶材的生产方法
80、铬合金靶材及具有硬质薄膜的金属材料
81、一种W-Ti合金靶材的制备方法
82、铝钛合金溅镀靶材及其制作方法
83、一种钼钛合金靶材的制备方法
84、靶材用钼铌合金板的制备方法
85、多元素合金单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法
86、一种高纯度、高成分均匀性的镍铬合金靶材及其制备方法
87、钨钛合金靶材与铜合金背板扩散焊接方法
88、用于在垂直磁记录介质中的软磁膜层的合金溅射靶材及其制备方法
89、用于制备铝及铝基合金旋转靶材的模具
90、用于制备铝及铝基合金旋转靶材的模具及制作方法
91、一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法
92、铬铝合金靶材的粉末真空热压烧结制备方法
93、一种新型铁基合金靶材的制造方法
94、钼铌合金板靶材加工工艺
95、一种钨合金靶材及其制备方法
96、一种溅射靶材用钼铌合金板的制备方法
97、钨合金靶材铣削加工方法
98、多孔叠层金属或合金溅射靶材的制备方法
99、Al-Ni-B系合金溅射靶材
100、一种钨钛合金靶材结构的制作方法
101、钨钛合金靶材加工方法和加工装置
102、钨钛合金靶材加工方法和加工装置
103、光记录介质用铝合金反射膜以及用于形成该反射膜的溅射靶材
104、燃料电池的金属隔板用合金皮膜、其制造方法和溅射用靶材、以及金属隔板和燃料电池
105、显示装置用Al合金膜、显示装置以及溅射靶材
106、Co—Fe—Zr系合金溅射靶材及其制造方法
107、垂直磁记录介质中间层用镍基合金靶材及其制造方法
108、溅射靶材用钨钛合金板的制备方法
109、铝系合金靶材的制造方法及用该方法得到的铝系合金靶材
110、一种硅基合金旋转靶材及其制备方法
111、铜或铜合金溅射靶材包装件
112、铝或铝合金溅射靶材包装件
113、铜或铜合金溅射靶材的清洗方法
114、铝或铝合金溅射靶材的清洗方法
115、一种通过大强度电流生产铝钛合金靶材的方法
116、A1基合金溅射靶材的制造方法
117、铜靶材坯料与铜合金背板的焊接方法
118、一种钛铝合金靶材快速热压烧结成型工艺
119、铝靶材坯料与铝合金背板的焊接方法
120、银-金合金靶材、其制造方法及应用
121、一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材及其制备方法
122、高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法
123、铜合金靶材、其制造方法、及其制成的薄膜及太阳能电池
124、导电薄膜或其保护层用的合金靶材及其制造方法
125、一种钛铝合金靶材的粉末冶金制备方法
126、具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料
127、合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法
128、Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材
129、垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的制造方法
130、光记录介质的反射层形成用银合金溅射靶材
131、导电薄膜用的合金靶材及制作方法
132、用于反射型平面显示器的反射膜及溅镀靶材的合金材料
133、高耐热性铝合金配线材料和靶材
134、用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料
135、光信息记录用铝合金反射膜及其形成用靶材、记录介质
136、铝合金薄膜和具有该薄膜的配线电路以及形成此薄膜的靶材
137、特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
138、以气喷粉末制作铝合金溅镀靶材的方法
139、铝合金薄膜及靶材和使用它的薄膜形成方法
140、溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材
141、制备Mo合金制靶材料的方法
142、银合金、其溅射靶材料及其薄膜
143、对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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