砷化镓单晶,砷化镓单晶生产工艺原料配方配比技术

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1、一种单晶砷化镓薄膜制备技术

[简介]：一种单晶砷化镓薄膜制备技术，属于半导体制造技术领域，该技术可以有效缓解生产难度，提高生产效率，其步骤包括：a.提供可供预处理的砷化镓基底；b.清洗；c.将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d.在砷化镓基底上表面生长一...

2、一种单晶砷化镓薄膜制备技术

[简介]：本套资料主要内容为一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台...

3、一种砷化镓单晶的生长方法

[简介]：一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，包括：1使用X射线衍射定向仪对晶体进行定向，定出<100>晶面；2使用内圆切片机切取<100>方向小面，将晶体固定在卡具上，调整晶体与刀片成45°夹角，开启切片机切取<100>面，作为固定...

4、一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法

[简介]：本技术公布一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器，属半导体材料制备设备领域。脱舟器主体为长方形箱体，箱体的一个端面上焊接一排呈半圆状排列的喷射管，喷射管在脱舟器箱体内有喷射口。化学溶剂在磁力泵的推动下，从进液口依次...

5、一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器

[简介]：本套资料涉及一种采用水平温度梯度法制备方柱状或平板状砷化镓GaAs晶体的一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法，采用高纯50mol％的Ga和50mol％的As在密闭反应室内合成GaAs多晶原料，所述的坩埚采用热解氮化硼坩埚PBN，其坩...

6、一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法

[简介]：本技术主要内容为一种砷化镓单晶制备设备，包括炉壳、四区热场控制器、行走装置、传动装置、碳化硅导热装置、导轨装置、升降装置、支座、电控装置，传动装置与行走装置之间的连接为软连接，导轨为滚柱直线导轨。本实用新型同现有技...

7、砷化镓单晶制备设备

[简介]：本技术主要内容为一种砷化镓单晶开管热处理装置，包括：惰性气体导入单元、石英帽、石英管、热扩散炉和尾气处理单元，其中，惰性气体导入单元与石英帽和石英管相连接，所述石英管放置于热扩散炉中，并与尾气处理单元连接。采用该...

8、砷化镓单晶开管热处理装置

[简介]：本技术主要内容为一种生长砷化镓单晶的抽真空装置，包括抽真空系统、加热系统和容器支撑系统。加热系统包括加热器和加热器升降装置，加热器升降装置由涡轮、导轨和升降手轮组成；容器支撑系统由底座、固紧螺钉、轴承座、滚动轴...

9、一种生长砷化镓单晶的抽真空装置

[简介]：生长砷化镓单晶的温控炉，属炉子结构和温控技术领域。其特点是炉体不平移，炉腔温度分布场空间分为高温T1区，中温T2区，低温T3区；高温T1区有连续10段组成，从右至左分布；每段与每区均有受计算机控制的独立加热炉丝，独立温度...

10、生长砷化镓单晶的温控炉

[简介]：水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法属砷化镓单晶生长技术领域，其特点是：生长单晶的炉体不平移；温度场高温区T1温度，按单晶成形点的温度逐段下降，下降速率与单晶生长速率相吻合；不仅保证了单晶生长质量，还省去了...

11、水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法

[简介]：可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2𴡀cm-2的平面平均位错密度，2.5-20.0�cm-3的碳浓度，2.0-20.0�cm-3的...

12、砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法

[简介]：一种单晶硅、砷化镓、蓝宝石加工设备，包括动力装置、装夹装置、定位装置和控制系统，所述动力装置包括控制主轴升降的伺服电机和控制主轴旋转的交流电机，控制装置包括电脑箱和X光机定位仪操作台，所述定位装置包括X光机定位仪...

13、单晶硅、砷化镓、蓝宝石加工设备

[简介]：本技术实施例提供了一种砷化镓单晶炉电气控制系统，系统包括：中心控制部分、运动控制部分、气体控制部分、温度控制部分、水路检测部分和操作面板，所述运动控制部分、气体控制部分、温度控制部分、水路检测部分和操作面板分...

14、一种砷化镓单晶炉电气控制系统

[简介]：本套资料实施例提供了一种砷化镓单晶炉电气控制系统，系统包括：中心控制部分、运动控制部分、气体控制部分、温度控制部分、水路检测部分和操作面板，所述运动控制部分、气体控制部分、温度控制部分、水路检测部分和操作面板分别与...

15、一种砷化镓单晶炉电气控制系统

[简介]：一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本套资料方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。

16、砷化镓单晶的生长方法

[简介]：本技术提供一种工艺装置较为简单，生产过程中产生的杂质沾污少的生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置。该装置设有环形保温筒，保温筒上盖的内环边沿设有截锥形保温罩，保温罩的下圆浸入到坩埚中的液封层中。

17、一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置

[简介]：一种砷化镓或锗单晶生长方法，属于晶体生长领域，其先将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将PBN用去离子水洗净；将PBN在180-220℃的真...

18、砷化镓或锗单晶生长方法

[简介]：本套资料涉及一种应用于VGFVB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装...

19、一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统

[简介]：本技术涉及一种应用于VGFVB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固...

20、一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统

[简介]：本技术主要内容为一种中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉，涉及砷化镓单晶生长装置。它包括籽晶杆、石墨加热器，在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板，电极板与电极杆连接。...

21、生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置

22、生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置

23、砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片

24、非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法

25、内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺

26、大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法

27、一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置

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