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1、一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法
[简介]： 本套资料涉及一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法，属于半导体表面抛光技术领域，特别涉及一种用于半导体硅片化学机械抛光CMP的抛光组合物领域。该组合物包括胶体二氧化硅磨粒、抛光加速剂、表面保护剂、分...
2、一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于半导体晶片抛光药液的组合物，包括次氯酸锂、碳酸氢盐和硅溶胶。本套资料还涉及了一种包括所述组合物的抛光药液以及制备方法。本套资料提供的抛光药液可以针对（111）特殊角度的半导体晶片，以达到光滑均匀，没...
3、用于半导体晶片的抛光药液组合物、抛光药液及制备方法
[简介]： 本套资料涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片...
4、抛光垫以及抛光半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于制造抛光的半导体晶片的方法，所述方法包括以下顺序的多个步骤：-由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，-对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及-抛光半导体晶片的所述至少一侧，其中，在所述材...
5、用于制造抛光的半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于局部抛光半导体晶片的一面的方法，其中用可旋转抛光头压着所述半导体晶片，将其要抛光的一面对着位于旋转抛光板上并含有固着磨料的抛光垫，其中所述抛光头带有弹性膜，并通过气垫或液垫径向细分成多个室...
6、局部抛光半导体晶片的方法
[简介]： 用于抛光半导体晶片的方法，包括使用抛光垫对半导体晶片第一面进行FAP固定研磨剂抛光，所述抛光垫包括平均粒径为0.1～1.0μm的固定接合的研磨剂，向FAP抛光的半导体晶片第一面涂敷厚度至多为3μm的胶合层，通过FAP抛光的第...
7、用于抛光半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于抛光半导体晶片的边缘的方法，其包括：a提供其表面已经被抛光并具有圆形边缘的半导体晶片；b将所述半导体晶片固定在中心旋转的卡盘上，传送该半导体晶片和中心旋转的抛光鼓，并将半导体晶片和所述抛...
8、抛光半导体晶片边缘的方法
[简介]： 本套资料主要内容为属于半导体照明LED芯片、精密仪器仪表制造技术领域的一种用于蓝宝石晶片循环抛光的抛光组合物。该抛光组合物包含磨料和水，其特征在于，还包含抛光促进剂、螯合剂和抛光稳定剂，其中，按重量百分含量，抛光促进剂...
9、一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物
[简介]： 本套资料提供了用于制造半导体器件的装置。该装置包括用于对晶圆实施抛光工艺的抛光头。该装置包括可旋转地连接至抛光头的保持环。保持环可用于紧固将被抛光的晶圆。该装置包括位于保持环内的软材料部件。软材料部件比硅软。软...
10、用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置
[简介]： 本套资料涉及一种用于化学地和机械地抛光半导体衬底的边缘的设备，所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分离步骤的诸如Smart-CutTM的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌。为了能除...
11、用于抛光半导体衬底的边缘的设备
[简介]： 本套资料涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面...
12、用于抛光半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料提供一种化学机械抛光垫，包括：具有抛光表面的抛光层；和光稳性聚合物终点检测窗，该检测窗包括含有氨基部分的芳香聚胺与异氰酸酯封端、含有未反应-NCO部分的预聚多元醇进行聚氨酯反应的产物，以及包括至少一种UV吸收...
13、具有光稳性聚合物终点检测窗的化学机械抛光垫及相应的抛光方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于制造未抛光半导体晶片的方法，包括以下步骤：a拉制半导体材料的单晶，b将半导体晶片研磨成圆形，c从该晶体分离半导体晶片，d磨圆该半导体晶片的边缘，e表面研磨半导体晶片的至少一侧，f用蚀刻剂处理...
14、未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料的方法制备了层状开放网络抛光垫，所述抛光垫用于对磁性基材、半导体基材和光学基材中的至少一种进行抛光。使得可固化聚合物的第一和第二聚合物板或膜受能源作用，在所述第一和第二聚合物板中产生作用图案，所述作用...
15、制备层状开放网络抛光垫的方法
[简介]： 本套资料描述了用于抛光半导体基材的软性抛光垫。该软性抛光垫包含模塑均匀抛光体，该抛光体具有硬度为约20绍尔D至45绍尔D的热固性闭孔聚氨酯材料。
16、用于抛光半导体基材的软性抛光垫
[简介]： 本套资料涉及一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法。该方法包括通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述...
17、抛光半导体晶圆的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种半导体用抛光剂，当该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光二氧化硅类材料层的表面时，其显示出优异的分散稳定性。该抛光剂具有用于抛光的优异的平坦化特性。本套资料具体主要内容为一种化学机械抛光用...
18、半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法
[简介]： 本套资料的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本套资料的抛光垫包...
19、用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法
[简介]： 本套资料提供一种在半导体集成电路的平坦化过程中用于化学机械抛光的抛光液，所述抛光液至少具有：由式1表示的苯并*化合物A、酸B和水溶性聚合物C，在式1中，R01至R05的每一个表示独立地表示氢原子或烷基，并且R0...
20、抛光液及使用该抛光液的抛光方法
[简介]： 描述了一种用于形成半导体晶片用抛光垫的聚氨酯层，其中所述聚氨酯层包含：发泡聚氨酯，其中所述聚氨酯泡沫具有约640至约960kgm3的密度和多个平均直径为约20至约200微米的孔；和具有小于35mNm临界表面能并具有3至100微米...
21、制备结构化开放网络抛光垫的方法
22、制备结构化开放网络抛光垫的方法
23、制备开放网络抛光垫的方法
24、用于抛光具有应变松弛Si1-xGex层的半导体晶片的方法
25、聚合物阻隔移除抛光浆料
26、一种用于改善晶圆表面被固定磨料抛光垫刮伤的装置
27、半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法
28、用于抛光半导体晶片的方法及用该方法制造的半导体晶片
29、含有多晶硅抛光平整剂的化学机械抛光组合物
30、硅酸盐复合物抛光垫
31、抛光液和抛光方法
32、光学元件超光滑表面的抛光装置
33、具有多模态孔径分布的抛光垫
34、裸半导体晶片的单面抛光的方法
35、一种铝掺杂的氧化锆复合抛光粉的制备方法
36、一种铈掺杂的氧化锆复合抛光粉的制备方法
37、用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液
38、用于抛光半导体晶片的方法
39、抛光装置和抛光方法
40、抛光衬底的方法和装置
41、一种聚氨酯抛光片生产装置
42、一种聚氨酯抛光片生产装置
43、一种仿生表面结构抛光垫及制造方法
44、用于抛光含硅基材的方法和组合物
45、抛光设备
46、基于葵花籽粒分布结构的仿生抛光垫及制造方法
47、化学机械抛光设备用抛光台温度控制装置
48、低污染抛光组合物
49、抛光台装置
50、抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
51、抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
52、一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法
53、胶体液流动压空化射流抛光装置及方法
54、衬底抛光设备
55、抛光组合物以及使用该抛光组合物的抛光方法
56、化学机械抛光浆料及抛光基板的方法
57、一种半导体晶片抛光系统
58、抛光组合物和使用该抛光组合物的抛光方法
59、抛光组合物及利用该抛光组合物的抛光方法
60、钌-阻挡层抛光浆料
61、应用纳米胶体射流抛光元件表面的方法
62、应用纳米胶体射流抛光元件表面的方法
63、抛光用组合物及使用该组合物的抛光方法
64、抛光组合物及利用该组合物的抛光方法
65、抛光设备和方法
66、用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料
67、经抛光的半导体晶片及其制造方法
68、用来除去聚合物阻挡层的抛光浆液
69、一种化学机械抛光用纳米抛光液
70、基片抛光设备和基片抛光方法
71、抛光设备
72、稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物及其涉及的方法
73、稳定的、可浓缩并且无水溶性纤维素的化学机械抛光组合物
74、用于CMP的抛光流体和方法
75、制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件
76、晶片卡盘和抛光电镀托座之间的测量对准
77、抛光方法
78、抛光设备
79、抛光设备
80、抛光设备
81、抛光设备
82、抛光设备
83、使用物体清洁器的用于抛光物体的设备和方法
84、抛光液及使用该抛光液的抛光方法
85、一种用于抛光衬底的抛光部件
86、抛光垫、其生产方法及使用其生产半导体器件的方法
87、磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
88、磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
89、一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液
90、阻挡层抛光流体
91、用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
92、化学机械抛光用抛光垫的制备方法
93、ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物
94、用于铜的受控抛光的组合物和方法
95、抛光组合物
96、带有窗口的抛光垫片
97、用于修整抛光垫的方法和设备
98、衬底保持装置和抛光装置
99、具有边缘表面处理的抛光垫片
100、用于抛光和研磨光学和半导体表面的流体动力学径向流设备
101、一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法
102、一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法
103、使用多个调节盘调节化学机械抛光设备的系统和方法
104、用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
105、含可释修光微粒的抛光垫
106、用于铜的低下压力抛光的组合物和方法
107、一种钨化学机械抛光后的清洗方法
108、衬底保持装置以及抛光装置
109、用于抛光铜的组合物和方法
110、一种用于电化学机械抛光的抛光部件
111、一种用于电化学机械抛光的抛光部件
112、抛光垫
113、再循环从半导体处理工艺、特别是从化学机械抛光工艺中产生的含浆料的废水的再循环方法和装置
114、高速阻挡层抛光组合物
115、用于半导体晶片的抛光组合物
116、无磨料的化学机械抛光组合物
117、一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法
118、平面化用的抛光垫片
119、半导体晶片抛光装置和方法
120、用于高效清洁抛光半导体晶片的组合物和方法
121、对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
122、对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
123、可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
124、钨抛光溶液
125、防剥离的抛光垫
126、用于形成软膏抛光垫的方法和装置
127、一种用于加工基材的抛光制品
128、可调控的去除阻隔物的抛光浆料
129、半导体晶片抛光浆料供应量的控制
130、金属抛光液和使用该金属抛光液的抛光方法
131、抛光垫调节
132、化学机械抛光心轴传动装置
133、金属抛光液和抛光方法
134、用于抛光由半导体材料构成的基材的方法
135、一种用于CMP抛光头的气路正压通路系统
136、一种用于CMP抛光头多腔室的压力控制系统
137、一种用于CMP抛光头多区的气压控制系统
138、一种用于CMP抛光头的压力控制系统
139、用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
140、抛光组合物
141、一种半导体晶片单面抛光机用抛光盘
142、一种半导体晶片单面抛光机用抛光盘
143、一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物
144、化学机械抛光垫
145、一种化学机械抛光工艺哑元填充的启发式方法
146、一种化学机械抛光工艺哑元填充方法
147、包括二氧化硅涂覆铈土的抛光淤浆
148、扩散抛光片单侧主扩散制作方法
149、一种建立铜互连化学机械抛光工艺模型的方法
150、抛光组合物
151、金属基板化学-机械抛光方法
152、抛光用组合物及其抛光方法
153、金属抛光组合物和使用它的化学机械抛光方法
154、抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
155、用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备
156、抛光液
157、抛光工具及制造所述工具的组合物
158、化学机械抛光用运载器安全装置
159、抛光组合物
160、改进的抛光垫及其抛光方法
161、半导体器件制造方法和抛光装置
162、半导体器件制造方法和抛光装置
163、使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
164、抛光液
165、在化学机械抛光期间调节低k对铜除去速率的方法和浆料
166、含沸石的用于铜的化学机械抛光组合物
167、用于增强半导体化学－机械抛光过程中金属去除率的方法
168、用于半导体晶片的化学机械抛光设备的装载装置
169、抛光液自动滴液装置
170、用于抛光高阶梯高度氧化层的自动停止研磨剂组合物
171、用双面抛光加工半导体晶片的方法
172、抛光头
173、研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法
174、用于化学机械抛光的三维网络结构
175、阻挡层用抛光液
176、用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆
177、化学机械抛光心轴装置
178、使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
179、抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
180、用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法
181、高精度复合抛光液及其生产方法、用途
