材料碳电介质,沸石生产工艺原料配方配比技术

请记住资料编号：GY10001-21914 资料价格:198元

1、反应合成法制备二碳化钡电介质块体材料

[简介]：本套资料主要内容为一种新型碳化物介电材料。它以石墨粉、*粉或碳酸钡粉或氢*粉或草酸钡粉末为原料，通过压制成型，在真空条件下高温反应合成二碳化钡BaC2绝缘块体材料，生成的块体二碳化钡具有高致密度，杂质少等特征...

2、反应合成法制备二碳化钡电介质块体材料

[简介]：为了提高膜电容器的耐热性，作为位于互相对置的第一和第二对置电极5，6之间的电介质树脂膜3，4的材料，使用使混合具有羟基10～38重量％的碳原子重复数为100以上的聚乙烯醇缩醛、具有异氰酸酯基1～50重量％的聚异氰酸酯的混...

3、膜电容器用电介质树脂组合物及其制造方法、以及膜电容器

[简介]：本套资料描述形成氧化硅层的方法。本方法包括以下步骤：将不含碳的含硅前驱物与氮*基前驱物进行混合，以及在基板上沉积含硅及氮的层。通过使含氢及氮的前驱物流至等离子体中，在等离子体中形成氮*基前驱物。在沉积含硅及...

4、使用氧化物衬垫的可流动电介质

[简介]：本文描述了修复材料中的孔隙的方法，该方法包括：a提供具有大量活性硅烷醇基团的材料；b提供至少一种活性表面改性剂；和c使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。本文还描述了恢...

5、受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复

[简介]：本套资料公开一种阴极保护聚合物混合物。该混合物具有可流动材料作为粘合剂，碳质导电介质分散在该可流动材料中，牺牲金属颗粒也分散在该可流动材料中。碳质导电介质用作碳基电子转移剂并且是颗粒、片、纤维、管或它们的组合的...

6、含碳质导电介质的阴极保护涂层

[简介]：本套资料涉及一种良好导热型的高介电常数、低介电损耗聚合物电介质的配方及其制备工艺。导热型高介电常数低介电损耗聚合物电介质的组方及制备工艺属于电工材料和化工产品制造技术交叉领域。它由原料聚偏氟二乙烯、表面改性处...

7、一种聚合物电介质材料及其制备方法

[简介]：本套资料的具体实例一般而言是提供一种用于沉积含硅薄膜的方法。在一具体实例中，一种用于将含硅材料薄膜沉积在基板上的方法包含下列步骤：将含有氮和碳的化学物流入沉积腔室内；将具有硅-氮键的含硅源化学物流入处理腔室内...

8、硅基电介质的化学气相沉积方法

[简介]：本套资料提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处...

9、高电介质薄膜的改性方法和半导体装置

[简介]：一种电压可切换电介质VSD材料组合物，其包含一种浓度的芯壳粒子，所述芯壳粒子各自包含导体芯和壳，每个芯壳粒子的壳都是i多层的和或ii非均质的。如图示的，VSD材料100包括基质粘合剂105和多种粒子组分，以多种浓度分...

10、含有导电芯壳粒子的电压可切换电介质材料

[简介]：主要内容为一种使用超临界二氧化碳钝化溶液来钝化二氧化硅基低k材料的方法，所述钝化溶液包括甲硅烷基化剂。所述甲硅烷基化剂优选是有机硅化合物，其包括具有五个碳原子的有机基团，例如六甲基二硅氮烷HMDS和氯三甲基硅烷T...

11、在晶片处理中低电介质材料的钝化方法

[简介]：在此描述了形成沸石—碳掺杂氧化物CDO复合电介质材料的方法。沸石颗粒可以被分散在溶剂中。然后，沸石溶剂溶液被沉积在基础层例如晶片或其他介电层上。随后，至少一些溶剂被除去以形成沸石膜。然后，CDO可以被沉积在沸石膜...

12、沸石-碳掺杂氧化物复合低K电介质

[简介]：一种电介质陶瓷组合物，该陶瓷组合物所含元素Nd、K、Ti和O的配比满足化学式Nd0.5K0.5TiO3，该介质陶瓷组合物由选自碳酸钾或醋酸钾或*钾或氯化钾的含钾原料、氧化钕或*钕的含钕原料、钛酸丁酯或二氧化钛的含钛原料作为...

13、一种电介质陶瓷组合物及其制备方法

[简介]：本套资料提供了一种用于增强在低介电常数低k电介质层上CVD或ALD沉积的膜层的成核和或附着的方法，所述低k电介质层例如为聚合物电介质或掺碳氧化物。在一个实施例中，所述方法包括向沉积室中提供衬底。在衬底上方形成具有...

14、在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法

[简介]：本套资料涉及一种在电力传输线中作为电介质的新型发泡聚合物材料。本套资料泡沫电介质通过挤出聚合物合金和超临界流体特别是二氧化碳获得。具体地，所述泡沫聚合物电介质通过以下方法制备：1将聚合物合金送入挤出机中并将所...

15、用于传输线的微孔泡沫电介质

[简介]：主要内容为一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中，该结构包括碳化硅层，位于碳化硅层上的二氧化硅层，位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层，该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数，和与绝缘材料接触的...

16、碳化硅半导体结构上的层叠电介质

[简介]：本套资料提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本套资料提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二...

17、改善低k电介质对导电材料粘附性的方法

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