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1、一种比例可调的锐钛矿金红石二氧化钛异质晶体低温制备方法
[简介]： 一种比例可调的锐钛矿金红石二氧化钛异质晶体低温制备方法，涉及一种比例可调的锐钛矿金红石二氧化钛异质晶体低温制备方法。是要解决现有方法制备的TiO2晶相比例不可控，制备方法的条件复杂，不易控制的问题。方法：一、将...
2、一种比例可调的锐钛矿金红石二氧化钛异质晶体低温制备方法
[简介]： 一种用于太阳电池的薄膜硅晶体硅异质pn结结构，其特征在于，在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。所述的本征非晶硅锗层是单一组分...
3、一种用于太阳电池的薄膜硅晶体硅异质pn结结构
[简介]： 异质晶体半导体器件100及其制作方法200包括非单晶半导体层110、140和纳米结构层120，纳米结构层120包括与非单晶半导体层110、140的微晶体112成为一体的单晶半导体纳米结构122、124。
4、异质晶体半导体器件及其制作方法
[简介]： 本套资料涉及通过矿物破坏所得到的用作药剂的纳米颗粒。这样的纳米颗粒表现出高的内在活性、抗菌作用、抗病*作用，而且还可以用于癌症治疗及伤口治愈。优选地，将金红石、榍石、铈铌钙钛矿、钙钛矿、锐钛矿、钛铁矿、白钛石、铁氧体...
5、用作药剂的异质晶体矿物的纳米颗粒及其生产方法
[简介]： 本套资料提出一种后栅工艺的异质栅隧穿晶体管的结构及其形成方法，包括：衬底；形成在衬底之中的沟道区，沟道区两侧的源区和漏区，所述漏区和源区的掺杂类型相反；还包括形成在沟道区之上的栅堆叠，包括栅介质层，在栅介质层之上...
6、异质栅隧穿晶体管及其形成方法
[简介]： 本套资料提供一种具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：衬底；形成在衬底中的沟道区以及沟道区两侧的掺杂类型相反的源区和漏区；形成在沟道区上的栅介质层和位于栅介质层上的栅极，栅介质层包括靠近源...
7、具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
[简介]： 本套资料提供一种具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：衬底；形成在所述衬底中的沟道区；形成在所述衬底中、所述沟道区两侧的源区和漏区，所述源区为第一类型重掺杂所述漏区为第二类型重掺杂；和形成在...
8、具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
[简介]： 本套资料提供一种在异质材料支撑衬底21，22上形成多晶半导体薄膜26的方法。所述方法涉及在衬底上沉积金属薄膜23，在金属表面上形成金属氧化物和或金属氢氧化物的薄膜24，并且在金属氧化物和或金属氢氧化物的薄膜上...
9、在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法
[简介]： 本套资料涉及一种交叉异质排列光子晶体天线，该光子晶体天线包括介质基板、贴片天线和微带馈线，贴片天线和微带馈线固定在介质基板的正面，贴片天线和微带馈线相连接，在介质基板正面，设有周期性排列的圆孔和金字塔锥孔以形成...
10、一种交叉异质排列光子晶体天线
[简介]： 本套资料涉及一种嵌入异质光子晶体结构的贴片天线其结构的特点是：包括介质基板、贴片天线和微带天线，其特征是：贴片天线形状为矩形金属框，钻孔型异质光子晶体嵌在矩形框的中间。本套资料的优点是在禁带范围内天线传播的电磁...
11、一种嵌入异质光子晶体结构的贴片天线
[简介]： 本套资料涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层的位错密度；其具体测定步骤是：1先按照异丙醇、*、乙醇的顺序...
12、异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
[简介]： 一种在衬底上制备晶体薄膜或多晶薄膜的方法，包括利用屈服性超薄衬底的材料转化和横向微型结构来降低外延异质晶体的内应力；以及通过离子注入，在有内应力的薄膜下面形成非晶层后，利用高温处理来消除内应力和降低薄膜的晶...
13、屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法
[简介]： 给出了一种异质双极型晶体管、尤其是在GaAs基极上的制造方法及其优势性的构造，它允许低成本地制造出长期稳定的元件。
14、制造异质双极型晶体管的方法和异质双极型晶体管
[简介]： 本套资料提出一种具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述源区和漏区的掺杂类型相反；和形成在沟道区之上的栅堆叠，其中，栅堆叠包括...
15、具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
[简介]： 本套资料提出一种基于异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述漏区为第一掺杂类型，所述源区为第二掺杂类型；和形成在所述沟道区之上的栅...
16、基于异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
[简介]： 本套资料涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正...
17、薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池
[简介]： 本专利主要内容为一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下...
18、一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池
[简介]： 本套资料主要内容为一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化...
19、带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括：在p型晶体硅衬底背表面进行硼扩散形成p+p结构，形成硼的重掺背场；在p型晶体硅衬底前表面淀积本征纳米硅薄膜；在本征纳米硅薄膜上淀积n型非晶硅薄膜；在衬底背...
20、一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
[简介]：本技术主要内容为一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池结构，包括有晶体硅原片，所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜，本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜，并分别形成异质结...
21、一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法
22、一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法
23、一种纳米硅晶体硅异质结光伏电池
24、一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片
25、一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片
26、一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片
27、一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片
28、Ⅲ-Ⅴ半导体核-异质壳纳米晶体
29、一种用于薄膜硅晶体硅异质结太阳电池的陷光结构
30、在冶金级Si衬底上基于外延晶体硅薄膜的太阳能异质结电池设计
31、晶体硅-非晶硅异质结太阳电池
32、基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法
33、异质接面双极晶体管的功率晶体管
34、用于单质和异质双极型结式晶体管的超自对准集电极器件及其制造方法
35、异质接面双极晶体管制造方法
36、氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
37、非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
38、CaAsSbInP双异质结晶体三极管及其制备方法
39、具有异质结构的非ZSM-48引晶的ZSM-48晶体的合成
40、变形异质接面双极性晶体管
41、异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法
42、异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法
43、基于硅-锗硅异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法
44、基于源体异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法
45、一种一维金属半导体纳米异质结晶体管及其制备方法
46、一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
47、一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
48、一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
49、用于异质结构的场效应晶体管的屏蔽罩
50、一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
51、一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
52、一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
53、锗硅异质结双极型晶体管的制造方法
54、锗硅异质结双极型晶体管的基区结构
55、具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管
56、锗硅异质结NPN晶体管及制造方法
57、锗硅异质结双极型晶体管及其制造方法
58、硅锗异质结双极型晶体管
59、半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法
60、一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管
61、一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管
62、一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管
63、一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼扩散的方法
64、基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管
65、异质结双极型晶体管及其制备方法
66、GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法
67、异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构
68、具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
69、低集电极基极电容SiGe异质结双极晶体管结构及制造方法
70、基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
71、异质结双极晶体管制造方法和包括异质结双极晶体管的集成电路
72、源场板异质结场效应晶体管及其制作方法
73、双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
74、一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法
75、一种给体材料晶体取向排列的准有序异质结有机太阳能电池的制备方法
76、SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法
77、异质结构倒T场效晶体管
78、超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
79、金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
80、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
81、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
82、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
83、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
84、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
85、波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
86、锗硅异质结双极晶体管结构
87、异质结双极晶体管的形成方法及其异质结双极晶体管
88、制造异质结双极晶体管的方法和异质结双极晶体管
89、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
90、一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
91、具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法
92、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
93、硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法
94、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
95、具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件
96、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
97、锗硅异质结双极晶体管的制造方法
98、一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
99、低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法
100、异质结构的一维光子晶体
101、一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
102、一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
103、一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
104、硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法
105、一种制作异质结双极型晶体管的方法
106、双异质结双极晶体管结构
107、实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法
108、异质结场效应晶体管
109、锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容及制造方法
110、氧化铝光子晶体异质结及其制备方法
111、NPN异质结双极型晶体管激光器
112、槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法
113、基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管
114、凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管
115、绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
116、Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
117、凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管
118、硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
119、异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统
120、高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法
121、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
122、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
123、锗硅异质结双极晶体管多指结构
124、锗硅异质结双极晶体管
125、锗硅异质结双极晶体管
126、锗硅异质结双极晶体管
127、锗硅异质结双极晶体管的制造方法
128、异质结型场效应晶体管及其制造方法
129、锗硅异质结双极晶体管及制造方法
130、InA1NGaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法
131、二维异质结光子晶体可调谐滤波器
132、L形硅锗异质结晶体管及其制备方法
133、磷化铟异质结双极型晶体管自对准*极的制作方法
134、SiGe异质结双极晶体管多指结构
135、硅锗异质结晶体管及其制造方法
136、单晶外部基极和*极异质结构双极晶体管及相关方法
137、SiGe异质结双极晶体管的*极制作工艺方法
138、SiGe异质结双极晶体管的制作方法
139、超高频硅锗异质结双极晶体管
140、高热稳定性功率异质结双极晶体管
141、高压GaN基异质结晶体管的终止结构和接触结构
142、高压GaN基异质结晶体管的终止结构和接触结构
143、高电压GaN基异质结晶体管结构及其形成方法
144、异质结构沟道绝缘栅极场效应晶体管的制造方法及晶体管
145、异质结双极型晶体管及其制造方法
146、氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
147、多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管
148、场效应异质结构晶体管
149、导电态聚苯胺纳米晶体TiO2异质结二极管及制备方法
150、异质结构双极型晶体管
151、氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
152、宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
153、自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法
154、半导体异质结及其发光晶体管
155、基于肖特基SiGe异质结晶体管
156、利用光子晶体异质结提高有机电致发光器件色纯度的方法
157、异质结双极晶体管及其形成方法
158、具有单晶基极的异质结双极晶体管及相关方法
159、用于异质结双极晶体管的局部集电极注入结构及其形成方法
160、异质结构场效应晶体管
161、抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
162、抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
163、非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
164、异质结双极型晶体管及其制造方法
165、形成异质结双极晶体管的方法及相关结构
166、具有异质结双极晶体管的射频功率放大模块
167、一种异质结双极晶体管及其制备方法
168、异质结双极晶体管及其制造方法
169、高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法
170、补偿亚稳定化合物基异质结双极晶体管
171、集电极耦合功率异质结双极晶体管单元
172、SiGe异质结双极晶体管中的迁移率增强
173、制造异质结双极晶体管的方法
174、异质结双极晶体管及制造方法
175、异质结双极型晶体管及其制造方法
176、制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法
177、异质结双极晶体管及其制造方法
178、制造异质结双极晶体管的方法
179、异质结双极晶体管及其制造方法
180、异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件
181、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
