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发生硅工艺技术及生产制造方法

发生硅工艺技术及生资料封面
请记住资料编号:GY10001-433302    资料价格:198元
1、催化剂、催化剂的制造方法和使用了该催化剂的含氢气体的制造方法、氢发生装置、燃料电池系统、以及负载硅的CeZr系氧化物
        [简介]: 本套技术的目的在于,提供一种表现出自发热功能、反应起始温度低、进而即便重复反应也能够抑制碳蓄积的催化剂等。本套技术的催化剂的特征在于,其为由CeZr系氧化物、硅、催化活性金属组成的催化剂,前述CeZr系氧化物满足Ce<>x<...
2、催化剂、催化剂的制造方法和使用了该催化剂的含氢气体的制造方法、氢发生装置、燃料电池系统、以及负载硅的CeZr系氧化物
        [简介]: 本套技术主要内容为防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法。根据本套技术的一种太阳能电池片的处理方法,其特征在于,包括:在太阳能电池片的受光面形成第一绝缘层;在太阳能电池片的背场面形成含干燥剂的第二绝缘层。第...
3、防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法
        [简介]: 基于硅基环形谐振腔的高阶高斯脉冲光学发生装置,涉及光纤通信、微波光子技术。该装置包括:比特序列发生器(1)、高斯脉冲发生器(2)、射频信号功分器(3)、连续波激光器(4)、射频信号移相器(5)、马赫增德尔调制器(6)、第一硅基环形...
4、基于硅基环形谐振腔的高阶高斯脉冲光学发生装置
        [简介]: 一种以发生氢气为目的的硅粉体组成物,涉及新能源技术领域,其由含硅粉末和可形成水中溶解度小于1%的硅酸盐的金属元素的化合物质以及碱性物质构成,氢气发生使用的硅粉体组成物同水接触能平稳产生氢气,且发生的氢气会转换...
5、一种以发生氢气为目的的硅粉体组成物
        [简介]: 一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法,包含有下列步骤:制作一硅微细结构,其具有一基板,其上具有一结构层,该结构层具有一已被释放的释放部;将该硅微细结构放置于一充满顺磁性的气体的气室中,以及提供一...
6、避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备
        [简介]: 本套技术涉及整体部件,所述整体部件包括不具有包含铁和硅和镧系元素的合金的磁致热材料,其特征在于:所述部件包括设置在由第一方向Dx和第二方向Dy限定的第一平面中的基部和一组N个刚性地连接至所述基部的单元叶片La...
7、包括不具有包含铁和硅和镧系元素的合金的磁致热材料的整体部件和包括所述部件的热发生器
        [简介]: 本套技术涉及一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器,其包括输出端相依次连接的温度补偿电流源、工艺补偿电路、V-I转换电路、环路振荡电路和整形电路,温度稳定电流源用以提供进行温度补偿后的电流;工艺补偿电路用于提供减少...
8、一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器
        [简介]: 本套技术涉及一种多晶硅除硼加气系统,具体涉及一种多晶硅除硼的防爆水蒸气发生系统,包括进水管和进空气管,进水管和进空气管均与汽化器相连,汽化器连接有送气管,其特征在于送气管的最低点位置处连接有管道回路,管道回...
9、多晶硅除硼的防爆水蒸气发生系统
        [简介]: 本套技术主要内容为一种带有旋转硅堆的直流高压发生器,包括两列竖直排布的多级高压电容和呈Z字形连接在两列高压电容的连接点上的硅堆,所述相邻两个硅堆呈<形连接在水平硅堆旋转轴上,所述硅堆旋转轴的一端设置有旋转传动...
10、一种带有旋转硅堆的直流高压发生器
        [简介]: 本套技术涉及矿用电铲电控系统技术领域,尤其是一种用于矿用电铲可控硅整流柜触发脉冲发生装置,它包括底板,装设在底板上的信号输入输出插针、电源模块、同步信号采集滤波电路、同步信号校准电路、信号转换电路、触发脉冲发...
11、矿用电铲可控硅整流柜触发脉冲发生装置
        [简介]: 本套技术主要内容为一种自适应可控硅调光信号发生电路及方法,所述的电路包括:相角检测模块、反相器、滤波器和比较器。该电路能够根据输入信号的导通相角信号产生相应的调光信号。本套技术是对传统的可控硅调光信号的改进,可以减小...
12、一种自适应可控硅调光信号发生电路及方法
        [简介]: 本套技术主要内容为一种硅烷发生反应器,包括带有夹套的圆筒形的壳体,壳体直立设置,壳体上端设置有固体粉料进口管和气体出口,壳体下端设置有出料口,壳体内纵向设置有转轴,转轴穿出所述的壳体的上端与外部的电机连接,特点...
13、一种硅烷发生反应器
        [简介]: 本套技术提供一种制备SiOC键合的聚有机硅氧烷的方法以及由该方法制备的化合物及其用途,所述方法包括在一种或多种第三主族和或第三过渡族元素的化合物作为催化剂存在下,将含羟基化合物与化学计量过量的含有-SiH单元且...
14、使聚有机硅氧烷发生反应的方法及其用途
        [简介]: 主要内容为一种方法和装置,用于使用改进的差分触发信号生成短电脉冲,所述差分触发信号一部分是模拟正弦电压,并且一部分是可选择的DC电压。将该差分触发信号施加到具有与非门14和与门12的差分基带脉冲发生器38,60。该触...
15、使用硅锗脉冲发生器生成微调时间偏移量
        [简介]: 本套技术涉及一种用于干法硅烷制造的硅烷发生器,其包括发生器筒体、若干层隔料板、主轴以及搅拌电机;其中,所述若干层隔料板收容于发生器筒体内,并呈堆叠设置;所述主轴竖直延伸入发生器筒体内,其顶部连接所述搅拌电机;...
16、一种用于干法硅烷制造的硅烷发生器
        [简介]: 本套技术主要内容为一种硅烷发生器浆料中氨的回收利用方法,特点是包括以下步骤:(1)将过滤干燥器抽真空放入硅烷发生器浆料;(2)将氨气压力控制为0.3-0.6MPa充入过滤干燥器,利用100~1000目的滤网,压滤得到的液氨送入低温液氨储...
17、硅烷发生器浆料中氨的回收利用方法
        [简介]: 本套技术主要内容为一种用于多晶硅尾气淋洗塔中的叶片式湍流发生器,包括壳体、内芯和叶片,所述的内芯设置在壳体轴心部,所述叶片宽端连接在壳体内周面上,窄端连接在内芯外周面上,且均匀排列于壳体内周面和内芯外周面,所述...
18、用于多晶硅尾气淋洗塔中的叶片式湍流发生器
        [简介]: 掺杂剂杂质被离子注入进分配给场效应晶体管的有源区(60a/60b)中,其后,从掺杂区上的一个钛层(86)中形成硅化钛层(87—92);当掺杂剂杂质被离子注入进掺杂区中时,光刻胶离子注入掩模(76/81)防止没有分配给任何电路元件的一...
19、硅化物层和绝缘层之间不发生分离的半导体器件加工工艺
        [简介]: 一种卤钨射灯电压发生器可控硅控制装置,包括卤钨射灯电压发生器电路;其特征是单片机输入端与轻触开关的一端相连接,通过电阻与电源正极相连接,其公共端接地。轻触开关分别为电源开、电源关、亮度升、亮度降开关。单片机输出...
20、一种卤钨射灯电压发生器可控硅控制装置
        [简介]: 硅橡胶臭氧发生器,涉及一种以硅橡胶作为绝缘介质的臭氧发生器。本套技术的特点是将传统的臭氧发生器中作为绝缘介质的玻璃、陶瓷、搪瓷等材料替换成硅橡胶,其它无需改变,即可制成硅橡胶臭氧发生器。根据臭氧发生器元件的...
21、硅橡胶臭氧发生器
        [简介]: 本套技术属于不定形特种耐火材料。提出的煤气发生炉、工业硅炉、重碱废液焚烧炉的抗酸碱磨蚀耐火浇注料其组分及配比wt%为:作为骨料的高铝质、粘土质颗粒料60~70;细微粉25~30,细微粉可以是粘土质、硅质、高铝质和刚玉质的...
22、煤气发生炉、工业硅炉、重碱废液焚烧炉的抗酸碱磨蚀耐火浇注料
        [简介]: 本套技术属于环保、卫生消*装置。其特征是硅胶管套入紫铜管外径,不锈钢网包裹在硅胶管圆周表面;将组装好后的放电极管芯,装入塑料管外壳内,将外壳两端堵头用胶封牢;高压脉冲加在电极两端,即可在电极硅胶管圆周表面产生...
23、硅胶管式臭氧发生器
        [简介]: 一种门信号发生装置,它包括用于鉴别每次通电后U相和X相可控硅(3U、3X)的断开时间间隔是否大于或小于预定的时间间隔的U相和X相置位电路、用于探测U相和X相电路的复位电路不提供输出、根据U相或X相置位电路的输出而置位并根...
24、可控硅开关用的门信号发生装置
        [简介]: 本套技术涉及一种交直流电功率变换的设备,特别是可控硅整流设备中的移相脉冲发生器。该发生器一般包括锯齿波发生、移相控制和脉冲形成、放大电路。本套技术在Kc-1型集成移相脉冲发生器线路原理的基础上,采用一块双集成...

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  • 开本:16开
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