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氮化硅陶瓷生产技术资料


本套《氮化硅陶瓷生产技术资料》含详细的技术原理及工艺制造流程,设备类含有图纸(PDF格式),全套售价人民币260元。

1、一种氮化硅陶瓷
[摘要]  一种氮化硅陶瓷,各组分及组分的重量份数如下:氮化硅80-100份、氧化镁20-30份、氧化铝15-18份、氟化镁20-25份、三氧化二铁15-18份、高岭土5-8份、聚乙二醇5-8份、硅烷偶联剂2-5份、水30-40份。本技术提出的氮化硅陶瓷耐磨性好、韧性好、润滑性好,使用寿命长,其抗蠕变性提高三个数量级。
2、一种氮化硅陶瓷
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅陶瓷,属于陶瓷制备领域。本技术提供一种氮化硅陶瓷,该陶瓷的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa。该氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域,尤其适用于制作轴承滚动体。
3、氮化硅陶瓷制造方法
[摘要]  本技术公开了属无机非金属材料制备技术领域的一种氮化硅陶瓷制造方法。是以稀土化合物为烧结助剂;采用放电等离子烧结工艺在真空中烧结成氮化硅陶瓷,再在氮气气氛中在高温条件下对氮化硅陶瓷进行加热处理,制造出同时具有高热导率和高强度的氮化硅陶瓷。本方法具有升温速度快、烧结时间短、烧结组织均匀细小的特点,并且可以净化氮化硅晶粒,提高热导率。
4、氮化硅陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术提出了一种氮化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:1)按重量份数计算,称取氮化硅70~80份、稀土氧化物5~10份与烧结助剂1~4份混合均匀,加入至球磨机中,形成混合粉料,然后在电热真空干燥箱中110~120℃温度下连续干燥,完全干燥后在温度为?20℃~0℃条件下,氢气气流中过筛,得到复合粉料;2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中,抽真空后进行放电等离子烧结,加热速度为12~15K/s,加热温度为1450~1700℃,保温时间为3~8min,获得致密的氮化硅陶瓷;其中,所述烧结助剂为氧化铝与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒,提高热导率。
5、氮化硅陶瓷电路板结构
[摘要]  本技术主要是有关于一种氮化硅陶瓷电路板结构。本技术主要是先提供一陶瓷基板,且此陶瓷基板可以是氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)或氮化铝(AlN),其中最好是氮化硅;之后,在所述的陶瓷基板二侧同时的镀上一层钛金属层,在所述的钛金属层之上则再镀上一层的铜层;待铜层镀完后,则以350~500度的高温以及4±1Kg/mm2的压力将一层厚铜板直接地压合固定在上述的铜层上;待厚铜板和前述的铜层结合后,则以黄光显影的方式将所需要的图形蚀刻出来,则完成了陶瓷电路板的制作。
6、氮化硅陶瓷电加热器
[摘要]  本技术提供一种氮化硅陶瓷加热器,涉及香烟加工领域,包括加热芯、外壳;所述加热芯内部设有均匀分布绕制在条形基质上的加热丝,所述加热丝外部包有氮化硅陶瓷基材;所述外壳下方设有空槽,所述加热芯安装在空槽内部,所述加热芯与外壳之间安装有铂电阻PT100;本装置主要是对烟支加工国产中的包装进行快速固定,如烟支滤嘴、烟杆、外部包装盒等,由于陶瓷加热芯内部的加热丝分布的均匀,加热时发热区的温升也均匀,冷态阻值低,随温度上升阻值递增,热效率高,实现温度上升快,无明火,使用安全,发热丝与空气绝缘,防止氧化等特点。
7、氮化硅陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术公开了一种氮化硅陶瓷的制备方法,将碳化硅粉、烧结助剂、添加剂、粘结剂以及设定量的无水乙醇均匀混合形成混合浆料,将混合浆料进行球磨至少24h后,对混合浆料进行干燥,得到混合物粉末;再进行造粒,然后在不低于16MPa压力下进行干压成型,得到素坯;然后在氮气气氛条件下,并在不低于1750℃的烧结温度下,将素坯进行常压烧结,控制烧结保温时间不低于2h,完成烧结工艺后,再进行冷却,即得到氮化硅陶瓷材料。本技术方法能实现在常压下烧结制备氮化硅陶瓷,工艺简单,可操作性强,生产周期较短,制备成本低廉,所制备的氮化硅陶瓷强度高、抗热震性能好、热效率较高,便于大规模生产制造。
8、氮化硅陶瓷滤砂管
[摘要]  本技术公开了氮化硅陶瓷滤砂管,包括中心管、氮化硅陶瓷环,所述中心管上依次并列套装多个氮化硅陶瓷环并且中心管在套装氮化硅陶瓷环的位置开设均布的径向通孔。所述氮化硅陶瓷环的内径径向厚度小于外径径向厚度,即该陶瓷环的横截面类似梯形。所述氮化硅陶瓷环轴向两端面设置有凸台。所述套装在中心管上的氮化硅陶瓷环的整体轴向两端设置有同样套装在中心管上的压帽,分别为上压帽和下压帽。所述压帽和中心管之间设置焊接套,焊接套焊接在中心管上,然后压帽通过丝扣的方式拧在焊接套外壁夹紧氮化硅陶瓷环。本技术可有效防止井下高温砂液的冲刷,极大地延长稠油热采井的防砂有效期,降低作业成本,提高整体开发效果。
9、一种氮化硅增韧陶瓷
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅增韧陶瓷,属于陶瓷制备领域。本技术提供一种氮化硅增韧陶瓷,该陶瓷的相对密度为98.6%~99.4%、断裂韧性为10.5MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、维氏硬度为21.8GPa~22.6GPa。该氮化硅增强陶瓷强度高、致密性好、韧性明显提高,且耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域。
10、氮化硅陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法,属于特种陶瓷基数领域,包括配料、成型和烧成,其特征在于其配料重量百分组成为:α-Si3N4粉82-88%、AL2O35-10%、ZrO23-6%和Y2O31-3%;将配料以水为介质球磨混合均匀后,再加入总配料重量的0.8-1.2%的聚乙烯醇混合1.5-3小时获得浆料,烘干造粒,在110-180MPa压力下等静压成型得坯体;将坯体装入氮化炉中,以氮气氛保护,控制烧成温度为1550-1720℃。成本低,易于实现产业化生产,拓宽其应用领域。
13、一种氮化硅增韧陶瓷
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅增韧陶瓷,属于陶瓷制备领域。本技术提供一种氮化硅增韧陶瓷,该陶瓷的相对密度为98.6%~99.4%、断裂韧性为10.5MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、维氏硬度为21.8GPa~22.6GPa。该氮化硅增强陶瓷强度高、致密性好、韧性明显提高,且耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域。
14、氮化硅陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法,属于特种陶瓷基数领域,包括配料、成型和烧成,其特征在于其配料重量百分组成为:α-Si3N4粉82-88%、AL2O35-10%、ZrO23-6%和Y2O31-3%;将配料以水为介质球磨混合均匀后,再加入总配料重量的0.8-1.2%的聚乙烯醇混合1.5-3小时获得浆料,烘干造粒,在110-180MPa压力下等静压成型得坯体;将坯体装入氮化炉中,以氮气氛保护,控制烧成温度为1550-1720℃。成本低,易于实现产业化生产,拓宽其应用领域。
15、一种氮化硅增韧陶瓷球
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅增韧陶瓷球,属于陶瓷制备领域。本技术提供一种氮化硅增韧陶瓷球,一种氮化硅增韧陶瓷球,所述陶瓷球的相对密度为98.6%~99.4%、断裂韧性为10.5MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、维氏硬度为21.8GPa~22.6GPa、球度≤0.07μm,表面粗糙度≤0.008μm。该增韧陶瓷球强度高、致密性好、韧性明显提高,且耐高温和耐磨优异,可广泛用作轴承的滚动体。
16、一种氮化硅陶瓷球
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅陶瓷球,属于陶瓷制备领域。本技术的目的是提供一种氮化硅陶瓷球,该陶瓷球的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa,球度≤0.07μm,表面粗糙度≤0.008μm。该氮化硅陶瓷球具有相对密度高、高硬度、低摩擦系数,耐磨、自润滑及刚性好等,可广泛用作轴承的滚动体。
17、氮化硅陶瓷球的制备方法及氮化硅陶瓷球
[摘要]  一种本技术的氮化硅陶瓷球的制备方法及氮化硅陶瓷球。制备方法包括(1)将氮化硅粉、助烧剂、表面活性剂和石蜡类粘结剂共混加热搅拌,得到预混料;(2)将预混料、氮化硅粉和高聚物粘结剂混合并破碎,得到注射颗粒料;(3)将注射颗粒料注射成型,所得球形素坯经脱脂、烧结后,得到氮化硅陶瓷球。本技术的制备方法可制备出球形度高的氮化硅陶瓷球,磨削加工余量小,效率高,且生产成本较低。
18、一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法
[摘要]  本技术是一种高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法,其原理为利用造孔剂和磷酸盐粘结作用在较低温度下形成高孔隙率的氮化硅多孔结构,在后续高温烧制过程中利用纳米硅粉的氮化原位生成氮化硅纳米线,起到增强多孔陶瓷力学性能的作用;具体过程为:将高纯纳米硅粉、α-氮化硅陶瓷粉、造孔剂、氧化物粉、液体磷酸进行球磨混合,经冷等静压处理,低温热处理后高温烧制,得到高孔隙率(≥40%)、高强度(≥50MPa)的氮化硅纳米线增强的氮化硅多孔陶瓷。本技术设备工艺简单,操作方便,无环境污染,成本低廉,所制备的高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于航空航天和高温烟气过滤等领域。
19、氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷制备方法
[摘要]  本技术涉及一种氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷制备方法,首先采用凝胶注模工艺制备Si3N4w-Si生坯,经氧化除胶后在氮气气氛下高温氮化,使Si粉转化为Si3N4nw,得到Si3N4w-Si3N4nw增强体预制体,然后采用聚合物浸渍裂解工艺(PIP工艺)在预制体中制备Si3N4基体,最终获得氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷。本技术分别通过调控浆料固相体积分数、浆料中Si3N4w与Si粉的相对含量,选择不同的Si3N4w和Si粉以及调控Si粉氮化工艺,实现对增强体总体积分数、增强体中Si3N4w与Si3N4nw的相对含量、Si3N4w与Si3N4nw的尺寸和形貌的设计与优化。因此,所制备氮化硅透波材料的显微结构和性能可设计性强。
20、氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术涉及陶瓷制备技术领域,尤其涉及一种氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法。本技术所设计的氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法,包括步骤:1)蛋白发泡:将硅粉、去离子水、烧结助剂、蛋白粉混合搅拌发泡,得到发泡浆料;2)坯体成型:将发泡浆料浇注模具内并振动处理,之后封闭模具并放入水浴炉中进行固化,最后将固化的浆料脱模干燥后得到成型的坯体;3)反应烧结:将坯体放入氮化炉中与氮气进行反应烧结,最后随氮化炉冷却到室温。本技术的氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法,能够提高氮化硅泡沫陶瓷的空隙率和强度。
21、一种氮化硅泥料及其制备方法和氮化硅陶瓷件
[摘要]  本技术涉及3D打印技术领域,尤其涉及一种氮化硅泥料及其制备方法和氮化硅陶瓷件。本技术公开了一种氮化硅泥料,按重量份数计,由以下组分制成:氮化硅粉体100份;聚乙二醇1~5份;聚丙烯酸1~5份;聚乙烯醇0.5~3份;2-氨基-2-甲基-1-丙醇0.5~3份;去离子水10~150份;氮化硅粉体包括氮化硅和Al2O3-Re2O3,所述Al2O3-Re2O3中的Re选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu。本技术中,氮化硅泥料组分简单,且固含量高,从而使得氮化硅泥料的制备时间缩短,稳定性提高,保存时间长。
22、氮化硅壳体强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法
[摘要]  本技术涉及陶瓷制备领域,尤其涉及一种氮化硅壳体强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法。包括步骤:1)浆料的制备:将硅粉、去离子水、烧结助剂、蛋白粉混合搅拌发泡,得到发泡浆料;2)将发泡浆料浇注模具内并振动处理,封闭模具并放入水浴炉中进行固化,最后将固化的浆料脱模干燥后得到成型的坯体;3)包覆碳粉:在坯体外表面包覆一层活性碳粉;4)氮化处理:将碳粉包覆的坯体放入氮化炉中进行氮化处理,最后随炉冷却到室温。本技术的氮化硅壳体强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法,能够提高氮化硅泡沫陶瓷的强度。




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