【碳化硅半导体生产设计工艺】

光盘版 优盘版 电子版 全新精编
咨询电话:028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
资料介绍
1、碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置
      [摘要]  本技术涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。碳化硅外延基板(51)具备:一导电型的碳化硅单晶基板(10)、上述一导电型的第1碳化硅层(21)、上述一导电型的第2碳化硅层(22)、和上述一导电型的第3碳化硅层(23)。碳化硅单晶基板(10)具备第1杂质浓度。第1碳化硅层(21)在碳化硅单晶基板(10)上方设置,具有比第1杂质浓度低的第2杂质浓度。第2碳化硅层(22)在第1碳化硅层(21)上方设置,具有比第1杂质浓度高的第3杂质浓度。第3碳化硅层(23)在第2碳化硅层(22)上方设置,具有比第2杂质浓度低的第4杂质浓度。
2、碳化硅半导体器件
      [摘要]  提供在高速切换时也具有高可靠性的台面型pn结二极管碳化硅半导体器件。具备:第1导电类型的碳化硅半导体基板(1);第1导电类型的漂移层(2),形成于碳化硅半导体基板(1)上;第2导电类型的阳极层(3),形成于漂移层(2)上;台面构造,外周部形成平坦的台面底面,具有从阳极层(3)到漂移层(2)的剖面的侧面相对阳极层(3)的表面倾斜地形成的台面侧面;第2导电类型的低掺杂区域(4),以从阳极层(3)的端部至台面底面包括台面侧面的方式形成为使与漂移层(2)之间的界面的剖面相对阳极层(3)的表面倾斜;以及第2导电类型的高掺杂区域(5),形成于与阳极层(3)的端部相接的低掺杂区域(4)内的台面侧面侧的区域及在台面侧面的下部与台面底面相连的部位,且第2导电类型杂质浓度比低掺杂区域(4)高。
3 碳化硅半导体装置
4 碳化硅半导体器件
5 碳化硅半导体器件
6 碳化硅半导体器件
7 碳化硅半导体器件
8 碳化硅半导体器件
9 碳化硅半导体装置
10 碳化硅半导体器件
13 碳化硅半导体器件
14 碳化硅半导体装置
15 碳化硅半导体装置
16 碳化硅半导体装置
17 碳化硅半导体装置
18 碳化硅半导体装置
19 碳化硅半导体装置
20 碳化硅半导体器件
21 碳化硅半导体器件
22 碳化硅半导体装置
25 碳化硅半导体器件
26 碳化硅沟槽半导体器件
27 碳化硅半导体器件
28 碳化硅半导体器件
29 碳化硅半导体装置
30 碳化硅半导体器件
31 碳化硅半导体装置
32 碳化硅半导体器件
33 碳化硅半导体器件
34 碳化硅半导体装置
37 碳化硅半导体器件
38 碳化硅半导体器件
39 碳化硅半导体元件
40 碳化硅半导体装置
41 碳化硅半导体装置
42 碳化硅半导体装置
43 碳化硅半导体器件
44 碳化硅半导体器件
45 碳化硅半导体器件
46 碳化硅半导体器件
49 碳化硅半导体装置
50 碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置
51 碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置
52 碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件
53 碳化硅半导体装置
54 碳化硅半导体装置
55 碳化硅半导体器件
56 碳化硅半导体器件
57 碳化硅半导体器件
58 碳化硅半导体装置
61 碳化硅半导体器件
62 碳化硅半导体装置
63 碳化硅半导体装置
64 碳化硅半导体装置
65 碳化硅半导体器件
66 碳化硅半导体元件
67 碳化硅半导体器件
68 碳化硅半导体器件
69 碳化硅半导体器件
70 碳化硅半导体器件
73 碳化硅半导体器件
74 碳化硅半导体器件
75 碳化硅半导体器件
76 碳化硅半导体器件
77 碳化硅半导体器件
78 碳化硅半导体器件
79 碳化硅半导体器件
80 碳化硅半导体器件
81 碳化硅半导体器件
82 碳化硅沟槽半导体器件
85 碳化硅半导体器件
86 碳化硅半导体装置
87 碳化硅半导体装置
88 碳化硅半导体器件
89 碳化硅半导体装置
90 碳化硅半导体器件
91 碳化硅半导体开关器件
92 碳化硅半导体器件
93 碳化硅半导体器件
94 碳化硅半导体器件
97 碳化硅半导体装置
98 碳化硅半导体器件
99 碳化硅半导体构件
100 碳化硅半导体装置
101 碳化硅半导体装置
102 碳化硅半导体装置
103 碳化硅半导体装置
104 碳化硅半导体装置
105 碳化硅半导体装置
106 碳化硅半导体器件
109 碳化硅半导体装置
110 一种碳化硅半导体元件
111 碳化硅半导体装置
112 一种碳化硅半导体
113 碳化硅半导体器件
114 碳化硅半导体器件
115 碳化硅半导体装置
116 碳化硅半导体器件
117 碳化硅半导体器件
118 碳化硅半导体器件
121 碳化硅半导体装置
122 碳化硅半导体器件
123 碳化硅半导体器件
124 碳化硅半导体器件
125 碳化硅半导体器件
126 碳化硅半导体装置
127 碳化硅半导体装置
128 碳化硅半导体装置
129 碳化硅半导体器件
130 碳化硅半导体装置
133 一种碳化硅半导体组件
134 碳化硅半导体装置
135 碳化硅半导体器件
136 碳化硅半导体衬底
137 碳化硅半导体器件
138 碳化硅半导体装置
139 碳化硅半导体装置
140 碳化硅半导体装置
141 碳化硅半导体装置
142 碳化硅半导体装置
 
(责任编辑:xiaomi)

1、资料内容


包含以上目录列出的全部技术内容,包括详细的工艺,技术要点,配方,图纸,原理,结构等 技术要素。

2、资料数量

本套资料包括目录列出的所有内容,文件位于一个优盘中。

       

3、资料价格

全套资料仅售228元,货到付款,包邮。

4、资料格式

U盘或者移动硬盘中资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

5、资料说明

资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。平均每一项4-10页,多的有几十页的

6、资料价值

囊括了该行业从1985年到2021年间大部分专利文献,是行业内顶尖、新颖独特技术的汇集,代表行业先进的核心技术和经验,具有很高的研究参考价值。

7、售后服务

购买本套资料可享两个售后服务,1)、如U盘或者移动硬盘丢失,可免费通过网传补发;2)、今后如有本套新资料出现,免费赠送,如有需要可每六个月主动联系我们免费索取


gongye168.com专业资料适合技术人员创业者
 
当前位置: 主页 > 路桥建筑 > 路桥建筑 >
金鼎工业资源网-版权所有
成都运营中心
Tel:028-87023516   Mob(+86) 18980857561 /18190762281
中国 成都 高新区创业路18号
电邮:853136199@qq.com