【晶体硅太阳能电池板工艺】

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资料介绍
1、晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干圆形的小孔。本套资料的主栅上均布有若干圆形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
2、晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干三角形的小孔。本套资料的主栅上均布有若干三角形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
3、晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干方形或菱形的小孔。本套资料的主栅上均布有若干方形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
4、晶体硅系太阳能电池及其制造方法
      [摘要]  本套资料的目的是提供即使在硅晶体基板的厚度小的情况下也能抑制基板的翘曲,还具有高光电转换效率的异质结型太阳能电池。晶体硅基板1的厚度为50μm~200μm,至少在光入射侧主面具有凹凸结构。光入射侧透明导电层4的光入射侧表面具有凹凸结构。优选光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的高低差小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的高低差,并且光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的间隔小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的间隔。优选光入射侧透明导电层4具有厚度为300nm~2500nm的氧化锌层,并且氧化锌层含有在(10-10)面、(11-20)面或(10-11)面方向优先取向的六方晶体氧化锌。
5、一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池
      [摘要]  一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池,包括p型硅衬底(1),在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2),在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3),以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一种本征薄膜硅层(5);亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7);在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。
6、一种双面玻璃晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料公开了一种双面玻璃晶体硅太阳能电池组件,包括晶硅电池片,所述晶硅电池片的上表面和下表面均设有胶膜层,且胶膜层的上表面和下表面均设有玻璃层,所述晶硅电池片位于分隔固定层的内腔,所述分隔固定层的内腔均匀设有固定板,且相邻两组固定板之间均匀设有分隔板,且相邻两组分隔板和固定板之间形成分隔固定腔,所述分隔固定腔的外壁均开有导线槽,所述晶硅电池片通过导线穿过导线槽互相串联。本双面玻璃晶体硅太阳能电池组件,防止电池组件产生位移造成短路,提高太阳电池组件的使用寿命。
7、一种晶体硅纳米太阳能电池制备方法
      [摘要]  本套资料公开一种晶体硅纳米太阳能电池的制备方法,通过对晶硅电池背面抛光、制备介质膜、制备纳米线阵列、制备金属电极并通过测试分选制成晶体硅纳米太阳能电池。本套资料可以有效的与现有晶硅电池制备工艺兼容,在节约升级成本的同时可以有效提升电池效率,降低成本。
8、具有反射器的双面晶体硅太阳能板
      [摘要]  提供一种双面晶体太阳能电池及其相关的太阳能板系统。所述电池包括p型晶体硅层和阻挡层。该板包括至少两行电池。每行中的电池彼此串联连接。各行之间并联连接。采用反射器以反射光至板的下侧。反射器的长轴设置为平行于电池的各行。
9、一种晶体硅背结太阳能电池制备方法
      [摘要]  本套资料的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为,首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区,再进行表面介质层钝化,然后进行激光掺杂工艺形成集电区,制作电极、电极栅线、母线,最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构,即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺,在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散,形成与发射区极性相反,与硅片衬底极性相同的掺杂集电区;简化了工艺流程,有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率;采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。
10、光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池
      [摘要]  本套资料公开了一种光面晶体硅太阳能电池,它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠,其折射率由上至下梯度增大;所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上,所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。本套资料通过选取合适的高透陷光膜、氧化膜钝化层材质,优化高透陷光膜、氧化膜钝化层与光面晶体硅的折射率,可提高晶体硅对太阳光高效吸收而不产生晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利影响,且制造简单,成本低。
13、晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗、腐蚀制绒;(2)将硅片的正面进行Si离子和B离子注入,在正面形成本征非晶硅薄膜;在硅片的背面进行Si离子和B离子注入,在背面形成本征非晶硅薄膜;(3)对硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻;(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层;(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层;(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层;(7)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本套资料获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池,形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面,提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
14、晶体硅系太阳能电池及其制造方法
      [摘要]  一种晶体硅系太阳能电池,在晶体硅基板(1)的一个主面从晶体硅基板侧起依次具备本征硅系薄膜(21)和导电型硅系薄膜(22)。晶体硅基板在表面具有金字塔状的凹凸结构。设置于凹凸的顶部上的硅系薄膜的膜厚小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。优选设置于凹凸的谷部上的硅系薄膜的膜厚也小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。
15、一种太阳能电池晶体硅用插片装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅用插片装置,包括:主杆体和位于主杆体的一侧且其一端与主杆体连接的支杆,其中:支杆设有多个,各支杆沿主杆体的长度方向等间距布置,且各支杆远离主杆体的一端均设有吸附机构,吸附机构包括吸杆、安装在吸杆一端的吸嘴和用于使吸杆内部产生负压的负压发生器,所述吸杆远离吸嘴的一端与支杆活动连接,且吸杆具有第一位置状态和第二位置状态,当其处于第一位置状态时,吸杆与支杆位于同一直线上,当其处于第二位置状态时,吸杆垂直于支杆;每个支杆上均安装有用于驱动支杆在第一位置状态和第二位置状态之间循环切换的动力机构,且各支杆上的动力机构统一动作。本套资料可以有效提高单晶硅片的生产效率。
16、一种太阳能电池晶体硅的清洗装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅的清洗装置,安装轴之间安装有废料收集箱,废料收集箱的下端设有鼓风机,废料收集箱上设有进料口,废料收集箱内设有出风通道,出风通道上设有出风阀,安装轴的一侧安装有电机,安装轴上安装有第二活塞,第二活塞上安装有第二活塞轴,第二活塞轴上安装有第三活塞,第三活塞上安装有第三活塞轴,第三活塞轴上安装有防滑板,安装轴上端安装有蓄水箱,安装轴的一侧安装有第一活塞,第一活塞上安装有第一活塞轴,第一活塞轴上安装有增压泵,增压泵上安装有喷嘴安装轴,喷嘴安装轴上安装有喷头,喷头上设有多个喷嘴,喷嘴通过连通管与增压泵连通,增压泵通过传输管与蓄水箱连通。本套资料能够有效提高单晶硅片的清洗效率和质量。
17、一种双面玻璃晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料公开了一种双面玻璃晶体硅太阳能电池组件,包括晶硅电池片,所述晶硅电池片的上表面和下表面均设有胶膜层,且胶膜层的上表面和下表面均设有玻璃层,所述晶硅电池片位于分隔固定层的内腔,所述分隔固定层的内腔均匀设有固定板,且相邻两组固定板之间均匀设有分隔板,且相邻两组分隔板和固定板之间形成分隔固定腔,所述分隔固定腔的外壁均开有导线槽,所述晶硅电池片通过导线穿过导线槽互相串联。本双面玻璃晶体硅太阳能电池组件,防止电池组件产生位移造成短路,提高太阳电池组件的使用寿命。
18、一种晶体硅太阳能电池组件工艺流程
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅太阳能电池组件工艺流程,它包括以下几个步骤:(1)电池分选;(2)正面焊接;(3)背面串接;(4)清洗;(5)层压敷设;(6)组件层压;(7)修边;(8)逆电流测试;(9)装框;(10)焊接接线盒;(11)高压测试;(12)组件测试;(13)包装入库。本套资料具有工艺流程简单、合理,提高产品质量,降低废品率的同时还能提高工作效率的优点。
19、晶体硅型太阳能电池及其制造方法
      [摘要]  本套资料的目的在于提供一种使载流子的再结合速度充分降低、同时可以廉价地制造的晶体硅型太阳能电池及其制造方法。在背面电极层和第1半导体层之间形成具有5~30nm的膜厚的第2钝化膜。然后,通过烧成,背面电极层的电极材料通过第2钝化膜,扩散至第1半导体层,由此使第1半导体层与背面电极层导通,同时在第2钝化膜和第1半导体层之间形成具有高于第1半导体层的第1导电型杂质浓度的第1导电型高浓度半导体层。因此,不需要光刻法所代表的电极的图案化(不会增加制造成本),可以充分降低载流子的再结合速度。
20、一种晶体硅背结太阳能电池制备方法
      [摘要]  本套资料的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为,首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区,再进行表面介质层钝化,然后进行激光掺杂工艺形成集电区,制作电极、电极栅线、母线,最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构,即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺,在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散,形成与发射区极性相反,与硅片衬底极性相同的掺杂集电区;简化了工艺流程,有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率;采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。
21、一种晶体硅纳米太阳能电池制备方法
      [摘要]  本套资料公开一种晶体硅纳米太阳能电池的制备方法,通过对晶硅电池背面抛光、制备介质膜、制备纳米线阵列、制备金属电极并通过测试分选制成晶体硅纳米太阳能电池。本套资料可以有效的与现有晶硅电池制备工艺兼容,在节约升级成本的同时可以有效提升电池效率,降低成本。
22、晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗、腐蚀制绒;(2)将硅片的正面进行Si离子和B离子注入,在正面形成本征非晶硅薄膜;在硅片的背面进行Si离子和B离子注入,在背面形成本征非晶硅薄膜;(3)对硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻;(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层;(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层;(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层;(7)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本套资料获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池,形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面,提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
25、晶体硅系太阳能电池及其制造方法
      [摘要]  本套资料的目的是提供即使在硅晶体基板的厚度小的情况下也能抑制基板的翘曲,还具有高光电转换效率的异质结型太阳能电池。晶体硅基板1的厚度为50μm~200μm,至少在光入射侧主面具有凹凸结构。光入射侧透明导电层4的光入射侧表面具有凹凸结构。优选光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的高低差小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的高低差,并且光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的间隔小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的间隔。优选光入射侧透明导电层4具有厚度为300nm~2500nm的氧化锌层,并且氧化锌层含有在(10-10)面、(11-20)面或(10-11)面方向优先取向的六方晶体氧化锌。
26、晶体硅太阳能增强栅线导电性方法
      [摘要]  本套资料设计的晶体硅太阳能增强栅线导电性方法,包括如下步骤:1.太阳电池通过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产;2.在太阳电池正面沉积上一层透明导电薄膜,或通过喷涂/焊接方式在电极区域,覆盖上导电材料。其中所述的导电材料为金、银、铜。本套资料所得到的晶体硅太阳能增强栅线导电性方法与现有技术相比具有的优点是:1)减少印刷浆料的用量,印刷、烧结只要满足接触性即可;2)增强导电性,电流的收集能力进一步增强,且并没有增加遮光面积。
27、晶体硅太阳能栅线用导电银浆
      [摘要]  本套资料公开一种晶体硅太阳能栅线用导电银浆,所述导电银浆由下列重量份的组分组成:银粉75~92份、有机溶剂5~12份、有机载体2~3份、玻璃微珠粉0.8~5.3份、触变剂0.1~2份、烷基酚聚氧乙烯醚0.5~3份;所述玻璃微珠粉的粒径D50为1~2μm;所述玻璃微珠粉由以下组分组成:二氧化碲、氧化铋、氧化锌、氧化钼、氧化锂、氧化镁、氧化铝、硼酸、氧化钾;所述玻璃微珠粉投入松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、油酸和聚乙烯吡咯烷酮形成的混合液中,保温获得具有有机包覆层的球状玻璃珠。本套资料提高了浆料体系润滑性,增加透墨性,避免细栅线条中缺料问题,浆料在烧结时熔融玻璃不易流动,保持精细线型,适合窄开口网版细线印刷,无缺料情况,线宽窄,高宽比大。
28、一种太阳能电池晶体硅插片装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅插片装置,第一安装板通过第一滑轮在第一滑槽上滑动,第一安装板上安装有第三活塞和第三活塞轴,第三活塞轴上通过第一弹性板安装座安装有第一弹性板,第一活塞通过第二滑轮在第二滑槽上滑动,第一活塞上安装有第一活塞轴,第一活塞轴内设有第三滑槽,第二滑板通过第三滑轮在第三滑槽上滑动,第二滑板上安装有第二安装板,第二安装板的一侧安装有第四活塞,第四活塞上安装有第四活塞和第四活塞轴,第四活塞轴上通过第二弹性板安装座安装有第二弹性板。本套资料能够有效提高单晶硅片的插片效率和质量。
29、一种太阳能电池晶体硅切片装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅切片装置,箱体的外周设有传送带,箱体上安装有第一安装轴,第一安装轴上设有第一滑槽,滑板通过滑轮在第一滑槽上滑动,滑板上安装有第二安装轴,第二安装轴上设有第一限位机构,第一限位机构上设有第一活塞和第一活塞轴,第一活塞轴上设有第二限位机构,第一安装轴的上端安装有安装横板,安装横板内设有第二滑槽,第二滑槽内设有第三活塞和第三活塞轴,第三活塞轴上安装有第四活塞和第四活塞轴,第四活塞轴上设有第四限位板,第四限位板上通过切割刀安装座安装有第四电机,第四电机上通过驱动轴安装有切割刀。本套资料的太阳能电池晶体硅切片装置能够有效提高切片的效率和质量。
30、一种晶体硅太阳能硅板正银浆料
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅太阳能硅板正银浆料,一种晶体硅太阳能硅板用正银浆料,所述正银浆料包括银粉、无铅玻璃粉和有机载体,所述无铅正银浆料中还含有添加剂组合物,所述无铅玻璃粉与添加剂之间的重量比为1∶0.1-5。本套资料降低了无铅玻璃粉中的碱性物质对电池的封装材料EVA胶膜的腐蚀,避免了封装材料EVA胶膜因脱层而失去对电池的保护作用,提高了电池的使用寿命。
31、一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法,包括以下步骤:1)将待处理的晶体硅片置于扩散炉中,升温通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散;2)停止通入携磷源氮气,升温通入干氧和大氮进行推进;3)通入携磷源氮气及干氧,进行低温扩散;4)停止通入携磷源氮气,恒温推进;5)升温通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散;6)停止通入携磷源氮气,进行有氧限定源扩散;7)降温通入携磷源氮气、干氧及大氮,进行降温扩散;8)降温出舟即可。该种磷扩散方法简单易行,应用广泛,采用该种方法能有效提高硅片光电转换效率,改善太阳电池的电性能,适于推广应用。
32、具有反射器的双面晶体硅太阳能板
      [摘要]  本公开涉及具有反射器的双面晶体硅太阳能板。提供一种双面晶体太阳能电池及其相关的太阳能板系统。所述电池包括p型晶体硅层和阻挡层。该板包括至少两行电池。每行中的电池彼此串联连接。各行之间并联连接。采用反射器以反射光至板的下侧。反射器的长轴设置为平行于电池的各行。
33、一种晶体硅太阳能电池组件
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅太阳能电池组件,所述晶体硅太阳能组件采用聚烯烃材料封装,电池片采用聚光太阳能电池,本套资料在现有晶体硅组件技术的基础上,采用聚烯烃材料作为封装材料,增加了组件的可靠性,抗电势诱导衰减效果非常明显,从而扩展了晶体硅组件的应用范围,在一些较潮湿恶劣的环境下,组件均无功率衰减。本套资料采用聚烯烃作为封装材料,降低水汽透过率,增加组件的抗电势诱导衰减性能,增加后期系统的发电量,投资回报利益最大,并采用聚光太阳能电池有效提高了组件的发电效率。
34 可弯曲晶体硅太阳能组件
37 带保护膜的晶体硅太阳能电池组件
38 太阳能晶体硅线切割砂浆
39 太阳能晶体硅电池丝网印刷刮刀
40 一种晶体硅太阳能电池组件修边刀
41 一种聚光晶体硅太阳能电池组件
42 一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件
43 晶体硅太阳能组件包装箱及打包方法
44 一种太阳能电池晶体硅的打磨装置
45 一种节能太阳能晶体硅电池制作方法
46 一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法
49 一种太阳能电池板及其晶体硅片
50 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池
51 具有反射器的双面晶体硅太阳能板
52 带保护层的晶体硅太阳能电池组件
53 一种聚光晶体硅太阳能电池组件
54 光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池
55 晶体硅柔性太阳能板及制造工艺
56 一种晶体硅太阳能电池组件
57 晶体硅太阳能高效电池片
58 一种防溢出式晶体硅太阳能组件
 
(责任编辑:xiaomi)

1、资料内容


包含以上目录列出的全部技术内容,包括详细的工艺,技术要点,配方,图纸,原理,结构等 技术要素。

2、资料数量

本套资料包括目录列出的所有内容,文件位于一个优盘中。

       

3、资料价格

全套资料仅售228元,货到付款,包邮。

4、资料格式

U盘或者移动硬盘中资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

5、资料说明

资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。平均每一项4-10页,多的有几十页的

6、资料价值

囊括了该行业从1985年到2021年间大部分专利文献,是行业内顶尖、新颖独特技术的汇集,代表行业先进的核心技术和经验,具有很高的研究参考价值。

7、售后服务

购买本套资料可享两个售后服务,1)、如U盘或者移动硬盘丢失,可免费通过网传补发;2)、今后如有本套新资料出现,免费赠送,如有需要可每六个月主动联系我们免费索取


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