【晶体硅清洗工艺】

光盘版 优盘版 电子版 全新精编
咨询电话:028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
资料介绍
1、晶体硅清洗方法
      [摘要]  本套资料实施例公开了一种晶体硅清洗方法,该方法包括:将晶体硅置于纯水中进行超声或兆声加热预清洗;将晶体硅置于混合酸溶液中进行腐蚀;采用纯水对所述晶体硅进行冲洗;将所述晶体硅烘干。本套资料所提供的晶体硅清洗方法,采用物理清洗和化学清洗相结合的方式对晶体硅进行清洗,能有效地去除晶体硅(尤其是回收料)表面的杂质和颗粒,而且可减少化学药液的用量,减小化学药液对人、设备及环境的危害,减轻化学药液对晶体硅的腐蚀损耗,减轻后续对废液的处理工作,从而可降低清洗成本。
2、晶体硅清洗方法
      [摘要]  本套资料实施例公开了一种晶体硅清洗方法,该方法包括:将晶体硅置于纯水中进行超声或兆声加热预清洗;将晶体硅置于混合酸溶液中进行腐蚀;采用纯水对所述晶体硅进行冲洗;将所述晶体硅烘干。本套资料所提供的晶体硅清洗方法,采用物理清洗和化学清洗相结合的方式对晶体硅进行清洗,能有效地去除晶体硅(尤其是回收料)表面的杂质和颗粒,而且可减少化学药液的用量,减小化学药液对人、设备及环境的危害,减轻化学药液对晶体硅的腐蚀损耗,减轻后续对废液的处理工作,从而可降低清洗成本。
3、一种晶体硅运输清洗装置
      [摘要]  本套资料提供的一种晶体硅运输清洗装置,包括:多个上料治具、上料治具输送系统、上料治具提升系统,上料治具提升系统、吸片系统、吸片输送系统、缺陷产品处理系统、产品排列模块、多个工艺处理模块、出料暂缓堆栈系统、应急装料系统、其在太阳能光伏硅片生产环节能够整合目前市场上的全自动插片机和链式清洗机功能,达到插片到分检机无缝对接,代替槽式硅片清洗机,优化掉插片、槽式清洗环节工装治具,直接将清洗完成的硅片输送到分检机,能够代替槽式清洗的功能,发挥链式清洗的上下料优势,提高周转效率,减少损耗率、减少人工投入;其在太阳能光伏电池片制绒、刻蚀生产环节能够代替滚轴式链式制绒机、刻蚀机的功能,大大降低设备投入成本。
4、一种晶体硅片的清洗工艺方法
      [摘要]  本套资料公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法,包括以下步骤:1、将硅片进行酸腐蚀处理;2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;3、再将硅片放入温度控制在60-80℃,体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐蚀处理;4、将碱腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;5、然后将硅片流转至体积浓度在5-15%的HF混合溶液中浸泡,对硅片表面的氧化物进行有效去除;6、将酸洗后的硅片用纯水清洗;7、将以上处理过的硅片进行干燥处理。套资料提出的工艺方法既可以保留原有的背面刻蚀和去PSG功能,又增加了背面抛光功能,大大提高了硅片的光转换效率,同时降低了生产成本。
5、一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅片预清洗液,由以下质量百分含量的组分组成:柠檬酸钠3~15%,异丙醇3%-15%,余量为水。该该预清洗液成分简单,成本低,去除晶体硅片表面杂质残留效果好,对晶体硅片无损伤。还公开了利用上述晶体硅片预清洗液对晶体硅片进行预清洗的工艺,将待清洗的晶体硅片置于预清洗液中,在加热和超声波作用下对晶体硅片进行预清洗处理,该预清洗工艺工艺简单,清洗晶体硅片效率高,清洗效果好,经济安全,过程稳定,无污染;可以有效果的去除硅片表面的金属杂质残留、有机物污染残留、颗粒残留等,提升了晶体硅电池的良品率和效率。
6、一种太阳能电池晶体硅的清洗装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅的清洗装置,安装轴之间安装有废料收集箱,废料收集箱的下端设有鼓风机,废料收集箱上设有进料口,废料收集箱内设有出风通道,出风通道上设有出风阀,安装轴的一侧安装有电机,安装轴上安装有第二活塞,第二活塞上安装有第二活塞轴,第二活塞轴上安装有第三活塞,第三活塞上安装有第三活塞轴,第三活塞轴上安装有防滑板,安装轴上端安装有蓄水箱,安装轴的一侧安装有第一活塞,第一活塞上安装有第一活塞轴,第一活塞轴上安装有增压泵,增压泵上安装有喷嘴安装轴,喷嘴安装轴上安装有喷头,喷头上设有多个喷嘴,喷嘴通过连通管与增压泵连通,增压泵通过传输管与蓄水箱连通。本套资料能够有效提高单晶硅片的清洗效率和质量。
7、一种金刚线切割的晶体硅的清洗方法
      [摘要]  本套资料涉及一种金刚线切割的晶体硅的清洗方法,所述方法包括如下步骤:(1)预清洗;(2)试剂清洗;(3)漂洗;(4)烘干;沿工序步骤,所述方法的处理温度逐步升高;步骤(4)的烘干温度≤65℃;每个工艺单元均各包括一个清洗槽;步骤(1)的第一次预清洗工艺单元的清洗槽温度较烘干温度低30~35℃;所述相邻两个清洗槽的温度差值≤10℃;所述晶体硅片在每个清洗槽中的浸泡时间≤210s。本套资料选用合适的清洗工艺、清洗槽温度和浸泡时间,获得了适合于金刚石线切割的晶体硅片的清洗方法,所述方法能够有效清洗晶体硅片,同时降低崩边率,降低破片率,降低制程损耗,还能够缩短工艺时间。
8、一种晶体硅片的清洗工艺方法
      [摘要]  本套资料公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法,包括以下步骤:1、将硅片进行酸腐蚀处理;2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;3、再将硅片放入温度控制在60-80℃,体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐蚀处理;4、将碱腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;5、然后将硅片流转至体积浓度在5-15%的HF混合溶液中浸泡,对硅片表面的氧化物进行有效去除;6、将酸洗后的硅片用纯水清洗;7、将以上处理过的硅片进行干燥处理。套资料提出的工艺方法既可以保留原有的背面刻蚀和去PSG功能,又增加了背面抛光功能,大大提高了硅片的光转换效率,同时降低了生产成本。
9、一种晶体硅运输清洗装置
      [摘要]  本套资料提供的一种晶体硅运输清洗装置,包括:多个上料治具、上料治具输送系统、上料治具提升系统,上料治具提升系统、吸片系统、吸片输送系统、缺陷产品处理系统、产品排列模块、多个工艺处理模块、出料暂缓堆栈系统、应急装料系统、其在太阳能光伏硅片生产环节能够整合目前市场上的全自动插片机和链式清洗机功能,达到插片到分检机无缝对接,代替槽式硅片清洗机,优化掉插片、槽式清洗环节工装治具,直接将清洗完成的硅片输送到分检机,能够代替槽式清洗的功能,发挥链式清洗的上下料优势,提高周转效率,减少损耗率、减少人工投入;其在太阳能光伏电池片制绒、刻蚀生产环节能够代替滚轴式链式制绒机、刻蚀机的功能,大大降低设备投入成本。
10、一种晶体硅金属清洗设备
      [摘要]  本套资料提供一种晶体硅金属清洗设备,包括制绒槽,所述制绒槽左端面安装水洗槽一,所述水洗槽一左端面安装碱洗槽,所述碱洗槽左端面安装水洗槽二,所述水洗槽二左端面安装酸洗槽,所述酸洗槽左端面安装水洗槽三,且酸洗槽通过水管连接循环泵,所述酸洗槽内部安装喷淋管,且酸洗槽前端面下侧安装排放阀门,所述喷淋管通过连接管与循环泵相连接,所述酸洗槽后端面上侧安装加液管一,所述加液管一另一端安装截止阀,所述截止阀通过水管连接热交换器,所述热交换器通过加液管二连接储液桶,与现有技术相比,本套资料具有如下的有益效果:将扩孔工序提前有利于药液的浸入,采用喷淋加循环排放可降低金属盐浓度的累积。
13、一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法,一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液由氢氟酸和表面活性剂组成;其中氢氟酸的体积分数为6%-10%,表面活性剂的体积分数为0.016%-0.04%;纯水的体积分数为89.96%--93.984%。将所述的清洗液温度控制在20-30℃之间,然后将硅片放入清洗液中的反应时间为200-400s。使用本套资料方法能够更好将扩散产生磷硅玻璃清洗干净,并能够通过化学方法彻底解决槽式去磷硅设备在PECVD镀膜后产生的花篮齿印及由于慢提拉拉不干引起的其他问题。
14、一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法
      [摘要]  本套资料提供了一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法,该清洗剂包括以下组分:0.1wt%~5wt%的氢氧化钠;1wt%~8wt%的过氧化氢;余量为水。本套资料将待处理的晶体硅置于上述清洗剂中,依次进行第一超声处理和第二超声处理,完成对晶体硅的清洗。本套资料提供的清洗方法仅经过两次超声处理即可实现对晶体硅制绒前的清洗,步骤少,操作简单,易于控制,有利于效率的提高。而且,本套资料提供的清洗剂能够较彻底的实现对晶体硅的清洗,有利于后续制绒工序的进行。实验结果表明,采用本套资料提供的清洗剂和清洗方法对晶体硅进行清洗后制绒,得到的绒面晶体硅的合格率得到了提高、对光的反射率得到了降低,提高了绒面晶体硅的性能。
15、一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅片预清洗液,由以下质量百分含量的组分组成:柠檬酸钠3~15%,异丙醇3%-15%,余量为水。该该预清洗液成分简单,成本低,去除晶体硅片表面杂质残留效果好,对晶体硅片无损伤。还公开了利用上述晶体硅片预清洗液对晶体硅片进行预清洗的工艺,将待清洗的晶体硅片置于预清洗液中,在加热和超声波作用下对晶体硅片进行预清洗处理,该预清洗工艺工艺简单,清洗晶体硅片效率高,清洗效果好,经济安全,过程稳定,无污染;可以有效果的去除硅片表面的金属杂质残留、有机物污染残留、颗粒残留等,提升了晶体硅电池的良品率和效率。
16、一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法
      [摘要]  本套资料公开了一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法,包括如下步骤:(1)配置清洗液:将HF溶液和H2O2溶液进行混合,然后用碱液调节pH值,使其pH值控制在2~5之间,即可得到清洗液;其中,HF和H2O2的摩尔比为1:2~8,清洗液中HF的摩尔浓度为10~40mol/L;(2)将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗,使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq。本套资料开发了一种电池片的清洗方法,利用了氧化和去氧化结合的方法,可以较好地控制反应速度,从而易于控制腐蚀深度;同时,本套资料的清洗液不会引入其他金属或有机杂质,反应后硅片表面易于清洗。
17、一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺,包括以下步骤:(1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗;(2)制备清洗溶液,该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液,并且HF、HCl和H2O2按体积比为3~15:3~15:1~5;(3)使用清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4~15min。本套资料的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢,确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响,适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程;工艺过程简单,无需经过碱洗和二次酸洗,大大减少了工艺流程,节省了原料,减低生产成本,适合产业化生产;废液排放量大幅减少,减轻了后续处理的负担。
18、一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺,首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗;然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸=1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗;之后再次进行去离子水清洗;然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶5的混合溶液在60℃~75℃进行二次清洗刻蚀,二次清洗时间控制在5~15分钟的范围;完成后用0.5%浓度的HF溶液进行沾洗;最后用去离子水进行清洗。本套资料适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程,更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。
19、一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法
      [摘要]  本套资料涉及一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法,所述方法包括如下步骤:(1)预清洗;(2)试剂清洗;(3)漂洗;(4)烘干;沿工序步骤,所述方法的处理温度逐步升高;步骤(4)的烘干温度≤65℃;每个工艺单元均各包括一个清洗槽;步骤(1)的第一次预清洗工艺单元的清洗槽温度较烘干温度低30~35℃;所述相邻两个清洗槽的温度差值≤10℃;所述晶体硅片在每个清洗槽中的浸泡时间≤210s。本套资料选用合适的清洗工艺、清洗槽温度和浸泡时间,获得了适合于金刚石线切割的晶体硅片的清洗方法,所述方法能够有效清洗晶体硅片,同时降低崩边率,降低破片率,降低制程损耗,还能够缩短工艺时间。
20、太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法,该方法的步骤如下:用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底,然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液,完成后再用去离子水冲洗衬底;接着将衬底浸泡于含有2%盐酸和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;接着将衬底浸渍在配比为1:1:6、温度为60℃~80℃的盐酸:过氧化氢:水的混合液中洗涤10~15min,之后再用去离子水冲洗,然后将衬底表面烘干待用;接着将干燥的衬底进行刻蚀处理,然后再用去离子水冲洗;本套资料方法能够提高衬底表面的洁净度,使其平整光滑,从而改善制备的太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子,提升电池光电转换性能。
21、一种太阳能电池晶体硅清洗用辅助装置
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池晶体硅清洗用辅助装置,包括:框架和空气压缩机构,其中:框架包括底板和相对布置在底板两侧的第一侧板、第二侧板;底板为镂空结构,底板设有多个,各底板沿其高度方向分层布置,且每一层底板的上板面上均设有多个由第一侧板向第二侧板方向间距布置并在任意相邻的两个隔板之间形成卡槽的隔板,各隔板的内部均具有第一夹腔和第二夹腔,且任意一个隔板上均设有与其第一夹腔连通的第一通孔和与第二夹腔连通的第二通孔;空气压缩机构通过输气管路分别向各第一夹腔、第二夹腔内输送高压空气。本套资料可以有效提高工件的清洗效果。
22、一种废晶体硅的自动酸碱清洗反应设备
      [摘要]  一种废晶体硅的自动酸碱清洗反应设备,涉及废晶体硅处理清洗设备,反应清洗池内设置有酸碱喷淋器,池内设置有捞料输送机,捞料输送机与出液面前上端有清洗物料喷头和喷气口,捞料输送机把清洗除杂后的物料输送的同时并进行吹气风干送出机外;在反应清洗池与过滤池间设置有反流口,液面喷射口设置于反应清洗池中与反流口相对的位置,反应清洗池内还设置有清洗物料喷头,把捞料输送机捞出的物料经过液体表面时进行喷洒液体清洗物料表面杂质,并把池内液体表面与捞料输送机相接触的部位进行清除表面漂浮的杂质;反应清洗池上部设置有废气处理回收装置。本套资料的有益效果是:可高效地处理废晶体硅,清洗效果好。
25、一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置
      [摘要]  本套资料公开了一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置,包括:水槽、托盘组、以及用于提供高压气流的高压气流供给机构,其中:水槽的内侧壁上设有相对布置的第一滑槽、第二滑槽;托盘组包括至少一个托盘,且托盘的一侧设有第一滑块和远离第一滑块的一侧的第二滑块;托盘包括底板和若干个侧板,底板为镂空结构,底板的下方设有限位柱,各侧板均固定在底板的上方并在任意相邻的两个侧板之间预留间距以形成卡槽;各侧板的内均均设有夹腔,且各侧板上的夹腔通过管路彼此连通;任意相邻的两个侧板相互靠近的一侧侧壁上均设有与其夹腔连通的气孔;高压气流供给机构与所述管路可拆卸连接。本套资料可以有效提高工件的清洗效果,且无清洗死角。
26、太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法
      [摘要]  本套资料公开了一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法,该方法的步骤如下:用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底,然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液,完成后再用去离子水冲洗衬底;接着将衬底浸泡于含有2%氯化氢和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;接着将衬底浸渍在配比为1:1:6、温度为60℃~80℃的氯化氢:过氧化氢:水的混合液中洗涤10~15min,之后再用去离子水冲洗,然后将衬底表面烘干待用;接着将干燥的衬底进行刻蚀处理,然后再用去离子水冲洗;本套资料方法能够提高衬底表面的洁净度,使其平整光滑,从而改善制备的太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子,提升电池光电转换性能。
27、一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法
      [摘要]  本套资料公开了一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法,包括如下步骤:(1)配置清洗液:将HF溶液和H2O2溶液进行混合,然后用碱液调节pH值,使其pH值控制在2~5之间,即可得到清洗液;其中,HF和H2O2的摩尔比为1:2~8,清洗液中HF的摩尔浓度为10~40mol/L;(2)将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗,使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq。本套资料开发了一种电池片的清洗方法,利用了氧化和去氧化结合的方法,可以较好地控制反应速度,从而易于控制腐蚀深度;同时,本套资料的清洗液不会引入其他金属或有机杂质,反应后硅片表面易于清洗。
28、一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺
      [摘要]  本套资料公开了一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺,包括以下步骤:(1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗;(2)制备清洗溶液,该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液,并且HF、HCl和H2O2按体积比为3~15:3~15:1~5;(3)使用清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4~15min。本套资料的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢,确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响,适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程;工艺过程简单,无需经过碱洗和二次酸洗,大大减少了工艺流程,节省了原料,减低生产成本,适合产业化生产;废液排放量大幅减少,减轻了后续处理的负担。
29、一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺
      [摘要]  本套资料涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺,首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗;然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸=1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗;之后再次进行去离子水清洗;然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶5的混合溶液在60℃~75℃进行二次清洗刻蚀,二次清洗时间控制在5~15分钟的范围;完成后用0.5%浓度的HF溶液进行沾洗;最后用去离子水进行清洗。本套资料适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程,更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。
30、一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺
      [摘要]  本套资料涉及晶体硅太阳电池去金属离子清洗技术领域,尤其是一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺,由螯合剂1.0×10-5mol/L-1.0×10-3mol/L,使清洗液pH值范围在2-4的酸,及去离子水组成,第一步:使用HF溶液、HF+H2O2+H2O溶液或BOE+H2O2+H2O溶液中的一种在室温下清洗硅片1-5min;第二步:使用去离子水清洗硅片;第三步:室温下使用上述清洗液清洗2-10min;第四步:使用去离子水冲洗硅片,将残留在硅片表面的酸清洗掉。本套资料配方简单,成本低廉,去除晶体硅片金属离子污染效果好,清洗工艺在室温下进行,生产成本低,操作简单。
31、一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法
      [摘要]  本套资料提供了一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法。本套资料采用BOE蚀刻液与双氧水混合溶液对RIE制绒后晶体硅片进行清洗。其中,双氧水的作用是在RIE制绒后硅片表面生成一层氧化层,BOE蚀刻液中的HF溶液与氧化层反应,实现微腐蚀的效果。BOE蚀刻液能保持溶液的酸度,从而保证溶液腐蚀速率的稳定性。本套资料能够对RIE制绒后的硅片表面进行微腐蚀,既能实现去除表面损伤层和表面尖端结构的效果,又能控制RIE制绒后的硅片反射率的上升速度。本套资料清洗工艺可在室温下进行,清洗效果重复性好,避免使用控温设备,节约生产成本。
32、晶体硅太阳能电池组件玻璃回收后自动清洗方法和装置
      [摘要]  晶体硅太阳能电池组件玻璃回收后自动清洗方法和装置属于晶体硅太阳能电池组件自动化回收处理设备领域,具体涉及一种专门清除EVA残留物及其印痕的废弃晶体硅太阳能电池组件玻璃回收后自动清洗方法和装置。本套资料提供一种专门清除EVA残留物及其印痕的废弃晶体硅太阳能电池组件玻璃回收后自动清洗方法和装置。本套资料的废弃晶体硅太阳能电池组件玻璃回收后自动清洗装置,包括清洗烘干传输线,清洗烘干传输线上方设置有粗清洗装置、精清洗装置和烘干装置,所述粗清洗装置包括升降擦拭轮组箱,擦拭轮组箱内通过粗清洗驱动系统设置有粗擦拭轮组。
33、一种自动上料的流动式太阳能电池晶体硅清洗设备
      [摘要]  本套资料公开了一种自动上料的流动式太阳能电池晶体硅清洗设备,包括:清洗槽、循环机构和上料机构,其中:清洗槽包括多个排列布置的水槽;循环机构包括循环带和动力单元;循环带依次从各水槽内穿过,循环带上设有若干个由其一端向其一端方向等间距布置的凹槽,且凹槽的底部为镂空结构;动力单元用于驱动循环带进行循环传送动作,并使其每动作一次,其循环带移动量为凹槽之间的间距;排在首位的水槽的内部且位于其中一个凹槽的上方设有竖直布置的导向筒;上料机构用于将待清洗的工件向导向筒内部输送并使其成水平状态落入导向筒内。本套资料可以有效提高清洗效率和效果。
34 一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法
37 晶体硅臭氧清洗装置
38 一种晶体硅太阳能组件清洗器具
39 一种太阳能电池晶体硅的清洗装置
40 一种晶体硅运输清洗装置
41 一种节水型晶体硅片刻蚀清洗设备
42 一种晶体硅太阳能电池组件清洗桌
43 用于晶体硅片的清洗设备
44 一种晶体硅太阳能组件清洗器具
45 一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置
46 一种太阳能电池晶体硅清洗用辅助装置
 
(责任编辑:xiaomi)

1、资料内容


包含以上目录列出的全部技术内容,包括详细的工艺,技术要点,配方,图纸,原理,结构等 技术要素。

2、资料数量

本套资料包括目录列出的所有内容,文件位于一个优盘中。

       

3、资料价格

全套资料仅售228元,货到付款,包邮。

4、资料格式

U盘或者移动硬盘中资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

5、资料说明

资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。平均每一项4-10页,多的有几十页的

6、资料价值

囊括了该行业从1985年到2021年间大部分专利文献,是行业内顶尖、新颖独特技术的汇集,代表行业先进的核心技术和经验,具有很高的研究参考价值。

7、售后服务

购买本套资料可享两个售后服务,1)、如U盘或者移动硬盘丢失,可免费通过网传补发;2)、今后如有本套新资料出现,免费赠送,如有需要可每六个月主动联系我们免费索取


gongye168.com专业资料适合技术人员创业者
 
当前位置: 主页 > 精选专题 > 太阳能相关 >
金鼎工业资源网-版权所有
成都运营中心
Tel:028-87023516   Mob(+86) 18980857561 /18190762281
中国 成都 高新区创业路18号
电邮:853136199@qq.com