【单晶硅生长炉制作技术工艺集】

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资料介绍
1、单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅生长炉,其特征在于在石墨坩埚口上设有分流导流筒,且在主加热器周围设有竖直分流筒,使氩气气流被竖直分流筒分隔成两股,一股进入竖直分流筒内经过主加热器排出腔体,另一股直接从竖直分流筒外排出腔体;并可通过排气阀门调整两股气流的流量,从而调整热场的分布以及减少热量散失。本套资料的单晶硅生长炉,能显著降低功耗,缩短晶锭生长周期,降低生产成本。
2、单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅生长炉,其特征在于在石墨坩埚口上设有分流导流筒,且在主加热器周围设有竖直分流筒,使氩气气流被竖直分流筒分隔成两股,一股进入竖直分流筒内经过主加热器排出腔体,另一股直接从竖直分流筒外排出腔体;并可通过排气阀门调整两股气流的流量,从而调整热场的分布以及减少热量散失。本套资料的单晶硅生长炉,能显著降低功耗,缩短晶锭生长周期,降低生产成本。
3、一种单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料提供一种单晶硅生长炉,包括:坩埚;支撑所述坩埚并使所述坩埚旋转的底座;收容所述底座的基底腔室,所述基底腔室带有石墨导管,所述底座下部收容在所述石墨导管内;其中,收容在所述石墨导管内的底座下部设有外螺纹。本套资料的单晶硅生长炉,通过对坩埚底座进行简单的结构改进,便可有效解决坩埚掉落物在石墨导管中堆积导致的种种问题,减少了坩埚底座磨损、开裂等损坏,减少了因坩埚震动导致的漏液,有效避免了石墨尘埃造成的污染,并大大地减少了由于掉落物造成的底座卡顿事故。
4、一种单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料提供一种单晶硅生长炉,包括:坩埚;支撑所述坩埚并使所述坩埚旋转的底座;收容所述底座的基底腔室,所述基底腔室带有石墨导管,所述底座下部收容在所述石墨导管内;其中,收容在所述石墨导管内的底座下部设有外螺纹。本套资料的单晶硅生长炉,通过对坩埚底座进行简单的结构改进,便可有效解决坩埚掉落物在石墨导管中堆积导致的种种问题,减少了坩埚底座磨损、开裂等损坏,减少了因坩埚震动导致的漏液,有效避免了石墨尘埃造成的污染,并大大地减少了由于掉落物造成的底座卡顿事故。
5、一种用于单晶硅生长炉的热屏及单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉,所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部,所述热屏包括屏壁和屏底,所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口,所述屏底包括上层、下层和侧壁,所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口,所述下层朝向所述熔体的液面,所述下层设为齿状结构,用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁;通过将屏底的下层设置为齿状结构,可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收,从而避免晶体表面热补偿过高,有效优化晶体纵向温度梯度,提高硅片径向的质量均匀性。
6、一种双副室单晶硅筒生长炉及单晶硅生长方法
      [摘要]  本套资料公开了一种双副室单晶硅筒生长炉,包括主室,主室连接有真空泵,主室内安装有坩埚,主室的顶部对称设置有两个与主室连通的副室,主室内表面安装有加热装置;副室顶部通过转盘安装有提拉电机,提拉电机通过提拉线连接有夹持机构,夹持机构夹持有籽晶硅筒,副室底部安装有导流筒,导流筒内设置有冷却水循环管。本套资料能够改进现有技术的不足,提高提拉法制作晶体硅筒靶材的良品率。
7、用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构
      [摘要]  本套资料涉及单晶硅制备设备,旨在提供一种用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构。该用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构包括锁紧块、锁紧钩、传递套、气动件、控制元件,用于副炉室和隔离阀进行锁紧与松开。本套资料既能使实现副炉室单独升降保持松开状态,也能使副炉室与隔离阀同步升降时保持锁紧状态,保证了副炉室和隔离阀同步升降时候的安全性。
8、一种单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置
      [摘要]  本套资料是关于单晶硅生长炉领域,特别涉及一种单晶硅生长炉一炉多次掺杂装置。包括掺杂筒;掺杂机构包括外筒,外筒内壁为N边形,其中N-1条边每条边上设有一轴座,每个轴座上设有心轴;掺杂筒底部筒壁上设有一偏心孔,心轴装设于偏心孔内;外筒内顶部设有封盖,转轴手柄通过轴承与密封圈与封盖相连,封盖上设有若干止动孔,止动孔的位置与掺杂筒相对应;转轴手柄下端穿过封盖与挡板固连,上端与定位止动销相连,止动销底端插入其中一个定位孔内,挡板上设有缺口。本套资料采用多次掺杂技术,保证掺杂元素均匀分布在晶棒里,提高晶棒的品质,提高收益;可以解决原有的一次只能掺杂一份掺杂剂的不足。
9、一种单晶硅提拉炉和生长单晶硅的拉制方法
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅提拉炉和生长单晶硅的拉制方法,一种单晶硅提拉炉,包括:炉腔,炉腔内设置有用于加热的管式反应器、坩埚、单晶硅提拉机构、用于对坩埚进行加热的加热器,气体硅源在管式反应器内热分解反应生成硅粉,硅粉或者硅粉熔融成为熔融硅进入到坩埚内,单晶硅提拉机构设置于坩埚上方,单晶硅提拉机构用于提拉籽晶将坩埚内的熔融硅拉制生长单晶硅。本套资料省略了固体硅料的生产步骤,可以降低能耗,还可以节约生产及处理固体硅料所需的巨额投资,可以避免固体硅料引入污染问题,从而保证生成的单晶硅的纯度,相对于固体硅料的连续补料,气体硅源热分解补充熔融硅料可以更为简便地实现,并且补充熔融硅料的速度可以做到精确的控制。
10、一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构,所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合;在此基础上,本套资料还提供一种单晶硅生长炉,所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上;本套资料提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,在热辐射波长范围内具有良好的反射性能,当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时,能够提高热屏对热能的反射能力,降低熔融的硅熔体热量的耗散,提高热能利用率;并且有利于热场的保温性能,从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
13、一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构,包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构,所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置;在此基础上,本套资料还提供一种单晶硅生长炉,所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上;本套资料提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能,当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时,能够提高热屏对热量的反射能力,减少硅熔体热量的耗散,起到对热场的保温作用,从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
14、一种直拉法单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料涉及直拉单晶硅技术领域,且公开了一种直拉法单晶硅生长炉,包括固定箱和高温计,所述固定箱内腔左部固定安装有保温筒一,所述保温筒一的内壁固定安装有加热元件,所述固定箱的顶部右侧固定安装有籽晶。通过生长箱的设置,使得对多晶硅的融化与单晶硅体拉取的场所进行分离,并通过石英坩埚不断的融化多晶硅形成熔体为在生长箱的内部拉取单晶硅体提供原料,避免石英坩埚中的热场不均匀降低单晶硅体的质量,保证生长箱中的生长界面温度能够保持在一定范围内,降低温度控制难度,同时,石英坩埚和生长箱的设置保证了原料的充足,并通过旋转装置的设置,提高了一次性拉取单晶硅体的数量,增加生产效率。
15、一种单晶硅生长炉水冷套装置
      [摘要]  本套资料提供一种单晶硅生长炉水冷套装置,包括水冷法兰、两个进水管、两个出水管和水冷筒;水冷筒包括内筒,外筒和设置于内筒与外筒之间的第二隔水板;所述内筒外壁,外筒内壁和第二隔水板的板壁配套组成两个独立的水冷筒冷却水回路,每个独立的水冷筒冷却水回路包括一条竖直的直线回路和一条S形回路;所述直线回路顶端设置水冷筒进水口,底端连接S形回路底端;所述S形回路顶端设置水冷筒出水口;可以有效提高拉晶速率,减少晶棒生长时间;加装水冷套装置后,8.5寸单晶棒的等径生长平均拉速提高到1.2?1.3mm/min,可以获得高收率、高品质,成本更低的晶锭。
16、一种单晶硅生长炉电极升降机构
      [摘要]  本套资料涉及单晶炉设备技术领域,具体是一种单晶硅生长炉电极升降机构,包括安装在单晶炉炉底盘上的第一主电极、第一辅助电极、第二主电极、第二辅助电极、第一副电极和第二副电极这六个电极单元,其中:第一主电极和第一辅助电极通过第一连接轴联动形成第一对电极组,所述第一主电极与第一辅助电极共同连接第一侧部加热器。本套资料的有益效果是,热场的侧部加热器和底部加热器可以随坩埚位置变化而变化,热场温度更均衡,有利于晶体生长,提升生长晶棒的品质。
17、一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件
      [摘要]  本套资料涉及单晶硅生长炉领域,旨在提供一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件。该种用于单晶硅生长炉的挂接板组件包括连接体螺钉、挂接板和开关组件,开关组件包括开关组件A和开关组件B,开关组件A用于控制单晶硅生长炉的副炉室、炉盖能否进行运动,开关组件B用于控制副炉室是单独运动还是与炉盖同时运动,通过连接体螺钉和挂接板的配合,能实现单晶硅生长炉的副炉室与炉盖间的连接和脱离。本套资料可以实现随时在中途方便安全取晶,不用随炉体慢慢冷却后才实现取晶动作,节省冷料时间和再次余料加热时间,降低了生产成本,提高了生产效率。
18、一种直拉法单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料涉及直拉单晶硅技术领域,且公开了一种直拉法单晶硅生长炉,包括固定箱和高温计,所述固定箱内腔左部固定安装有保温筒一,所述保温筒一的内壁固定安装有加热元件,所述固定箱的顶部右侧固定安装有籽晶。通过生长箱的设置,使得对多晶硅的融化与单晶硅体拉取的场所进行分离,并通过石英坩埚不断的融化多晶硅形成熔体为在生长箱的内部拉取单晶硅体提供原料,避免石英坩埚中的热场不均匀降低单晶硅体的质量,保证生长箱中的生长界面温度能够保持在一定范围内,降低温度控制难度,同时,石英坩埚和生长箱的设置保证了原料的充足,并通过旋转装置的设置,提高了一次性拉取单晶硅体的数量,增加生产效率。
19、一种单晶硅生长炉气缸锁紧机构
      [摘要]  本套资料涉及单晶炉设备技术领域,具体是一种具有气缸锁紧机构的单晶硅生长炉,包括至少两组安装在单晶硅生长炉上的气缸锁紧机构,每组气缸锁紧机构包括锁紧气缸、气缸支座、固定座、锁紧臂、锁紧块、转轴及无油衬套。本套资料的有益效果是,通过气缸锁紧机构来对上炉筒与隔离阀之间实现自动锁紧和脱离、炉盖与炉筒水冷法兰之间自动锁紧和脱,不仅实现自动化作业,简化操作,且相较于原先的螺栓紧固,密封性能更好,稳定度更好,使用期限更长。
20、一种单晶硅生长炉的加料器
      [摘要]  本套资料提供了一种单晶硅生长炉的加料器,包括加料管和长杆,所述加料管的下端设有投料口并置于所述生长炉中,所述加料管内部轴线位置处具有供所述长杆上下运动的通管,所述加料管在所述投料口的上方具有向内收缩的颈部,所述长杆的下端具有一锥体状的闭口部,所述闭口部置于所述颈部与所述投料口之间并可随所述长杆的上下运动与所述颈部卡接或分离。本套资料可以在单晶硅的生产过程中,不断向坩埚中加入硅原料以增加单次开炉的总投料量,从而可以大大降低生产成本。同时,本套资料的加料器与单晶硅原料直接接触的部分均采用石英材料,避免了单晶硅原料的污染。
21、单晶硅生长炉用导流筒及其应用
      [摘要]  本套资料提供一种单晶硅生长炉用导流筒。该导流筒包括锥形导流内筒和外筒,内筒和外筒之间具有填充保温碳毡的保温层,外筒与保温层之间设有金属钼或钨制备的隔热层。通过锥形内筒吸收来至晶锭的辐射热,并整流气体冷却晶锭,提高晶锭的轴向温度梯度。同时借助导流筒整流气体,提高气体的流速,降低熔体液面处的SiO分压,从而降低熔体中的氧含量。提高晶锭的品质,加快晶体生长速率,降低生产成本。本套资料还提供一种借助该导流筒消除石英坩埚壁多晶颗粒的应用方法。
22、一种单晶硅生长炉的外部装料机构
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅生长炉的外部装料机构,包括生长炉炉体,生长炉炉体的两侧上端均固定连接有支撑板,支撑板的上端共同固定连接有安装板,安装板的两侧之间的距离比两个支撑板之间的距离大,安装板的一侧安装有上料机构,安装板的中部安装有注料机构,安装板的中部安装有四个辅助支撑机构,本套资料的安装板上设置了注料机构,注料机构的分流板插在生长炉炉体的内部,当单晶硅原料落入固定罩的内部时,分流板会将单晶硅原料分成多股,分流后的单晶硅原料会沿着分流板落到生长炉炉体的内侧壁上,并沿着生长炉炉体的内侧壁落到生长炉炉体的内部下端,可防止单晶硅原料直接进入生长炉炉体的内部,损坏生长炉炉体。
25、单晶硅生长炉真空支持系统
      [摘要]  一种单晶硅生长炉真空支持系统,包括:主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔,其中:主炉腔由主阀与主真空泵相连,由隔离阀与上炉腔相连,上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。本套资料在主真空支持存在故障时,可使用辅真空支持,安全性更高。
26、单晶硅生长炉真空尾气自动除尘装置
      [摘要]  本套资料公开了一种单晶硅生长炉真空尾气自动除尘装置,组成包括主罐体、主罐体上盖、毛刷固定架、毛刷、丝杆升降器、进出口管道组件、储气罐;所述过滤罐内含有滤芯、毛刷,主罐体上盖设有毛刷旋转机构;所述上盖提升机构,包含丝杆升降器、提升架。主罐体与丝杆升降器连接,丝杆升降器与提升架连接,提升架与主罐体上盖连接;所述储气罐与脉冲阀连接,脉冲阀与主罐体之间通过波纹管连接;所述进出口管道组件中出气接口与真空泵连接,应急接口与备用的自动清灰除尘罐连接。炉内的毛刷做间歇旋转运动,清理滤芯表面粉尘。又用储气罐内的气体喷吹除尘罐内的滤芯。毛刷和喷气清理同时进行,清理彻底,效率高,清理操作的自动化程度高,操作方便,使用安全。
27、一种单晶硅生长炉用支撑电极
      [摘要]  本套资料涉及一种单晶硅生长炉刚支撑电极,所述支撑电极从上至下依次包括加热器1、电绝缘段2、热绝缘段3,所述热绝缘段3的下部开设金属电极孔,且外部增设了保温层4。所述电绝缘段2采用耐高温电绝缘材料氮化硼、石英,所述热绝缘段3采用耐高温且热导率较低的氧化铝、氧化锆,所述保温层4采用碳毡。本套资料设计巧妙独特,结构稳定,便于安装,通过增加加热器和单晶炉之间的热阻,解决了单晶炉中加热器支撑电极热量损耗较大的问题,有效地降低了拉晶功率,能够减少设备耗电量10%以上。
28、一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件
      [摘要]  本套资料涉及单晶硅生长炉领域,旨在提供一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件。该种用于单晶硅生长炉的挂接板组件包括连接体螺钉、挂接板和开关组件,开关组件包括开关组件A和开关组件B,开关组件A用于控制单晶硅生长炉的副炉室、炉盖能否进行运动,开关组件B用于控制副炉室是单独运动还是与炉盖同时运动,通过连接体螺钉和挂接板的配合,能实现单晶硅生长炉的副炉室与炉盖间的连接和脱离。本套资料可以实现随时在中途方便安全取晶,不用随炉体慢慢冷却后才实现取晶动作,节省冷料时间和再次余料加热时间,降低了生产成本,提高了生产效率。
29、一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构
      [摘要]  本套资料涉及直拉单晶炉设备,旨在提供一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构。该种用于单晶硅生长炉的掺杂机构包括推动轴组件、真空腔体、磁钢、磁钢安装套、装料勺和操作杆,用于向单晶硅生长炉的石英坩埚内掺杂物质,石英坩埚设置在隔离阀座内,隔离阀座的内部是真空区域,隔离阀座设有一个连通口,真空腔体与隔离阀座的连通口密封连接,真空腔体的内部是真空区域;装料勺的末端与推动轴组件通过螺纹连接,并通过直线运动和旋转运动实现向石英坩埚内投放物质。本套资料通过操作杆控制,利用磁力作用实现直线运动和旋转运动,从而将事先储存在装料勺里的掺杂物质投入石英坩埚中,能够在单晶炉拉制过程中达到所需元素掺杂的目的。
30、单晶硅生长炉的石墨坩埚
      [摘要]  本套资料公开了单晶硅生长炉的石墨坩埚,其特征是:包括坩埚本体,所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成,所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接,所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。本套资料的优点是:能降低单晶硅生产中的氧含量,传热效率高,加热迅速。
31、一种直拉法单晶硅生长炉
      [摘要]  本套资料涉及直拉单晶硅技术领域,且公开了一种直拉法单晶硅生长炉,包括固定箱和高温计,所述固定箱内腔左部固定安装有保温筒一,所述保温筒一的内壁固定安装有加热元件,所述固定箱的顶部右侧固定安装有籽晶。通过生长箱的设置,使得对多晶硅的融化与单晶硅体拉取的场所进行分离,并通过石英坩埚不断的融化多晶硅形成熔体为在生长箱的内部拉取单晶硅体提供原料,避免石英坩埚中的热场不均匀降低单晶硅体的质量,保证生长箱中的生长界面温度能够保持在一定范围内,降低温度控制难度,同时,石英坩埚和生长箱的设置保证了原料的充足,并通过旋转装置的设置,提高了一次性拉取单晶硅体的数量,增加生产效率。
32、一种单晶硅生长炉气缸锁紧机构
      [摘要]  本套资料涉及单晶炉设备技术领域,具体是一种具有气缸锁紧机构的单晶硅生长炉,包括至少两组安装在单晶硅生长炉上的气缸锁紧机构,每组气缸锁紧机构包括锁紧气缸、气缸支座、固定座、锁紧臂、锁紧块、转轴及无油衬套。本套资料的有益效果是,通过气缸锁紧机构来对上炉筒与隔离阀之间实现自动锁紧和脱离、炉盖与炉筒水冷法兰之间自动锁紧和脱,不仅实现自动化作业,简化操作,且相较于原先的螺栓紧固,密封性能更好,稳定度更好,使用期限更长。
33、一种单晶硅生长炉的加料器
      [摘要]  本套资料提供了一种单晶硅生长炉的加料器,包括加料管和长杆,所述加料管的下端设有投料口并置于所述生长炉中,所述加料管内部轴线位置处具有供所述长杆上下运动的通管,所述加料管在所述投料口的上方具有向内收缩的颈部,所述长杆的下端具有一锥体状的闭口部,所述闭口部置于所述颈部与所述投料口之间并可随所述长杆的上下运动与所述颈部卡接或分离。本套资料可以在单晶硅的生产过程中,不断向坩埚中加入硅原料以增加单次开炉的总投料量,从而可以大大降低生产成本。同时,本套资料的加料器与单晶硅原料直接接触的部分均采用石英材料,避免了单晶硅原料的污染。
34 单晶硅生长炉用导流筒及其应用
37 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法
38 热屏及单晶硅生长炉结构
39 热屏及单晶硅生长炉结构
40 单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺
41 一种单晶硅生长炉水冷套装置
42 一种单晶硅生长炉的石墨坩埚
43 能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉
44 一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构
45 一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置
46 一种用于单晶硅生长炉的籽晶夹持提拉装置
49 一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法
50 一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构
51 一种用于单晶硅生长炉的套环式水冷管
52 一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法
53 一种单晶硅生长炉用石墨/炭毡复合电极
54 一种单晶硅生长炉加热器节能支撑脚结构
55 半导体级单晶硅生长炉籽晶旋转提拉装置
56 一种用于单晶硅生长炉的籽晶夹持提拉装置
57 一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置
58 单晶炉、确定该单晶炉在单晶硅生长过程中操作参数的方法以及制备单晶硅的方法
 
(责任编辑:xiaomi)

1、资料内容


包含以上目录列出的全部技术内容,包括详细的工艺,技术要点,配方,图纸,原理,结构等 技术要素。

2、资料数量

本套资料包括目录列出的所有内容,文件位于一个优盘中。

       

3、资料价格

全套资料仅售228元,货到付款,包邮。

4、资料格式

U盘或者移动硬盘中资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

5、资料说明

资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。平均每一项4-10页,多的有几十页的

6、资料价值

囊括了该行业从1985年到2021年间大部分专利文献,是行业内顶尖、新颖独特技术的汇集,代表行业先进的核心技术和经验,具有很高的研究参考价值。

7、售后服务

购买本套资料可享两个售后服务,1)、如U盘或者移动硬盘丢失,可免费通过网传补发;2)、今后如有本套新资料出现,免费赠送,如有需要可每六个月主动联系我们免费索取


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