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硅锗,异质结双极晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构

[简介]：本套资料主要内容为一种锗硅HBT单管结构，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，其底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；*区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂多晶硅形成；外基区多晶硅...

2、锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构

[简介]：本套资料主要内容为一种锗硅功率HBT，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，它的底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；*区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂的多晶硅形成；外基区多晶硅...

3、锗硅功率HBT、其制造方法及锗硅功率HBT多指器件

[简介]：一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的...

4、锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底

[简介]：一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法，它涉及一种制备薄膜材料的离子液体电沉积方法。本套资料要解决现有异质薄膜材料制备困难的问题。本套资料方法如下：选择在ITO导电玻璃上生长的合适粒径的聚苯...

5、一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法

[简介]：一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅SiGePMOS沟道中锗Ge组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅SiN薄膜在硅Si中引入应变形成应变硅Si，并利用浅槽...

6、一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法

[简介]：含锗铟锌高铁硅锰物料中提取分离锗、铟、锌的方法，属湿法冶金技术。采用*和氟化物进行两次酸浸，可使锗的浸出率达90％以上，第二次酸性浸出渣含锗≤0.005％；铟的总浸出率达95％以上，尾渣含铟≤0.003％。用萃取法提锗所得锗精矿...

7、含锗铟锌高铁硅锰物料中提取分离锗、铟、锌的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳...

8、改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法，步骤一、在硅片表面生长一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤二、在所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的表面涂布一层负性光刻胶，利用有源区光刻版曝光、显影，将有源区...

9、改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法

[简介]：一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N+层和金属背电极，窗口层为p型微晶硅锗薄膜；该p型微晶硅锗薄膜的制备方法，步骤为：1将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本...

10、窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

[简介]：本套资料涉及湿法冶金技术领域，具体地说是一种从硅-锗合金废料中湿法回收锗的方法，采用碳酸钠-Na2O2熔融-磷酸中和-*蒸馏回收锗，具体包括氧化焙烧、磷酸中和、蒸馏分离锗、二氧化锗制备等工艺步骤，用此工艺方法来处理硅-...

11、湿法从硅-锗合金中回收锗的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种高锗浓度的锗硅外延方法，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的...

12、一种高锗浓度的锗硅外延方法

[简介]：本套资料主要内容为一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一...

13、形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

[简介]：一种基于硅-锗硅异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在绝缘体上硅晶片的顶层中形成SiGe外延层；对该SiGe外延层进行表面干氧氧化工艺，以形成第一导电类型SiGe体区，并且该干氧氧化工艺一直进行...

14、基于硅-锗硅异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法

[简介]：本套资料提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。

15、一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法

[简介]：本套资料提供一种形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法，包括由该方法所形成的1T-DRAM结构，1T-DRAM结构包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型...

16、形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构

[简介]：本套资料提供一种绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构，包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型硅层上设有由STI分隔开的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的沟...

17、绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法

[简介]：本套资料提供一种用于在晶体管中形成含硅锗的漏极源极区域以减少硅锗损失的方法。通过在高锗浓度之硅锗材料上设置保护层，可明显降低或甚至完全避免应变半导体材料之对应损失。该保护层可在关键清洗制程前形成且可维持...

18、用于在晶体管中形成含硅锗的漏极源极区域以减少硅锗损失的方法

[简介]：本套资料涉及一种方法和所得的包含硅-锗层和所述硅-锗层内的掺杂剂层的蚀刻终止层。所述硅-锗层包含小于约70％的锗且含有选*硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素。所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种...

19、提供纳米级、高度选择性和热弹性硅、锗或硅-锗蚀刻终止层的系统和方法

[简介]：一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法，该复合纳米线，为单晶的正交氧化硅晶相和单晶的正交氧化锗晶相复合生长而成，且为氧化硅氧化锗的孪晶，其长度10-40μm，宽度20-40nm，氧化硅和氧化锗质量比为0.1～5：1；本套资料以无定型氧...

20、一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法

[简介]：基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHVCVD系统中，在硅片上生长...

21、一种制备非晶硅非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置

22、一种制备非晶硅非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置

23、一种硅基锗外延结构及其制备方法

24、一种硅基锗外延结构及其应用

25、锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方法

26、一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法

27、晶体硅中锗或和锡杂质浓度的测量方法

28、基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法

29、一种湿法去除硅锗合金锅底料中金属杂质的方法

30、三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法

31、周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法

32、锗硅多晶硅栅BiCMOS器件及制造方法

33、一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法

34、一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池

35、一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法

36、超高压锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

37、一种磁性锗硅GeSi量子环及其制备方法

38、金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

39、金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

40、锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法和器件结构

41、锗硅HBT器件的集电区引出结构及其制造方法

42、锗硅HBT器件的集电区引出结构及其制造方法

43、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

44、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

45、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

46、自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

47、一种锗硅HBT器件及其制造方法

48、应用于非制冷*焦平面的硅锗薄膜平行转移方法

49、绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法

50、磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法

51、锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法

52、改善锗硅*极多晶硅掺杂扩散均一性的方法

53、锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法

54、锗硅HBT器件及制造方法

55、锗硅异质结双极型晶体管及其制造方法

56、本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法

57、锗硅异质结双极晶体管结构

58、超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法

59、一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池

60、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法

61、锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法

62、锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法

63、改善锗硅膜层厚度均一性的方法

64、锗硅薄膜的形成方法及形成装置

65、具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法

66、一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法

67、锗硅异质结双极晶体管及制造方法

68、超高压锗硅HBT器件及其制造方法

69、锗硅选择性外延生长预处理方法

70、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法

71、与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法

72、锗硅异质结双极晶体管及制造方法

73、具有深赝埋层的锗硅HBT器件及其制造方法

74、锗硅HBT器件及其制造方法

75、一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法

76、一种锗硅异质结三极管器件结构及其制造方法

77、一种定向凝固去除硅锗合金中金属杂质的方法

78、锗硅异质结双极晶体管及制造方法

79、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法

80、与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管

81、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及其制造方法

82、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及其制造方法

83、锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管及制造方法

84、锗硅异质结双极晶体管的制造方法

85、锗硅HBT器件及其制造方法

86、与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法

87、锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法

88、一种绝缘体上纳米级硅锗材料及其制备方法

89、一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

90、一种锗硅硼外延层生长方法

91、一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构及其制作方法

92、锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法

93、锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法

94、有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件

95、锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法

96、一种锗硅外延层生长方法

97、锗硅HBT*级光刻对准精度优化的方法

98、锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法

99、低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法

100、一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法

101、自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法

102、自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法

103、锗硅异质结双极型三极管功率器件及制造方法

104、一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法

105、一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法

106、硅锗纳米粒子墨水、用于合成纳米粒子的激光热解反应器和相关方法

107、锗硅工艺中监控*极和基极因接触孔而串通的测试结构

108、硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法

109、一种生长有序硅基锗量子点的方法

110、形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法

111、锗硅异质结双极型晶体管的制造方法

112、提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法

113、锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容及制造方法

114、锗硅BiCMOS工艺中的可变电容及制造方法

115、锗硅异质结双极型晶体管的基区结构

116、锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法

117、硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

118、硅锗酸铋混晶及其制备方法

119、用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法

120、锗硅HBT结构、其赝埋层结构及其制造方法

121、高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法

122、高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法

123、锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法

124、锗硅异质结NPN三极管及制造方法

125、锗硅异质结双极晶体管及制造方法

126、锗硅异质结NPN晶体管及制造方法

127、应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构

128、基于锗硅工艺平台的静电保护结构

129、硅锗外延层的形成方法

130、一种新式锗硅雪崩光电检测器设备

131、锗硅HBT的埋层形成方法

132、锗硅异质结双极晶体管多指结构

133、降低锗硅外延表面缺陷的方法

134、锗硅异质结双极晶体管

135、锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法

136、一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备

137、锗硅异质结双极晶体管

138、锗硅异质结双极晶体管

139、锗硅BiCMOS工艺中垂直型PNP三极管及制造方法

140、锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件

141、具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法

142、具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法

143、台阶状硅锗源漏结构的制造方法

144、用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构及其制备方法

145、一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器

146、锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管

147、锗硅异质结双极晶体管的制造方法

148、一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器

149、具有硅锗低接触电阻的PIN二极管及其形成方法

150、一种硅锗源漏结构及其制造方法

151、锗硅异质结双极晶体管及制造方法

152、一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法

153、硅锗异质结双极型晶体管

154、硅锗合金薄膜材料的制备方法

155、改善硅锗淀积表面粗糙度的方法

156、锗硅异质结三极管的版图结构

157、用于锗硅碳器件的光刻标记结构

158、与金属锗硅材料接合的衬底

159、L形硅锗异质结晶体管及其制备方法

160、计算硅锗超晶格材料界面热阻的方法

161、硅锗异质结晶体管及其制造方法

162、硅锗异质结晶体管及其制造方法

163、实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法

164、应用锗硅工艺的多晶二极管及其制作方法

165、应用锗硅工艺的多晶三极管及其制作方法

166、一种非选择性生长锗硅外延的方法

167、应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构

168、锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法

169、超高频硅锗异质结双极晶体管

170、嵌埋硅锗材料相对沟道区的偏移降低的晶体管

171、具有加强的穿过基板一致性的包埋硅锗材料的晶体管

172、控制硅锗合金刻面生长效果的方法

173、硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法

174、硅锗量子阱发光二极管

175、应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构

176、设有嵌入硅锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管

177、一种检测锗硅外延缺陷的方法

178、锗硅Bi-CMOS器件制备工艺

179、一种镓和锗共掺的直拉硅单晶

180、通过硅锗浸泡改进金属线的形成

181、用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料

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