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硅锗,异质结双极晶体管加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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182、用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料

183、化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法

184、硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法

185、硅锗碳半导体结构

186、NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅锗材料的CMOS器件

187、锗纳米点硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法

188、基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层

189、硅基硅锗纳米晶粒的制备方法

190、绝缘体上锗硅衬底的制备方法

191、氢钝化的硅和锗表面的选择性活化

192、绝缘体上硅锗SGOI和绝缘体上锗GOI衬底的制造方法

193、利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法

194、液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法

195、硅基锗电注入激光器及制作方法

196、一种硅锗合金材料的制备方法

197、制备和使用卤代甲硅烷基锗烷的新方法

198、硅酞菁和锗酞菁的制备及相关物质

199、锗硅HBT雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流模型

200、基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管

201、一种硅锗氧化物复合纳米线的制备方法

202、一种硅锗氧化物复合纳米线的制备方法

203、InN材料作衬底或缓冲层制备InN锗或InN硅薄膜及制备方法

204、应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区

205、监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法

206、锗硅混合集成的波导型光电转换器及其制造方法

207、在蚀刻浅沟槽之前预锥形硅或硅-锗的工艺

208、基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法

209、制造多晶硅和硅-锗太阳能电池的方法和系统

210、NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法

211、监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法

212、制备包含含有硅、锗和金属的合成矿物颗粒的滑石组合物的方法

213、抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺

214、非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺

215、一种硅锗系热电材料的制备方法

216、通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅

217、硅和硅锗量子点阵列的制备方法

218、硅锗材料的一种生长方法

219、用于减小场效应晶体管中的接触电阻的外延硅锗

220、薄硅或者锗片以及由薄片形成的光电池

221、低位错密度锗硅虚衬底的制备方法

222、低位错密度锗硅虚衬底的制备方法

223、氧化增强的亚稳态硅锗膜层

224、一种用于四氯化锗及四氯化硅*检测的样品池

225、硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

226、硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

227、使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法

228、包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器

229、硅锗外延层的制造方法

230、使用硅锗的可编程熔丝

231、等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜

232、硅锗硅三维集成电路有源层

233、太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法

234、用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗SiCGe衬底

235、具有分开的吸收和倍增区域的锗硅雪崩光电检测器

236、具有分开的吸收和倍增区域的锗硅雪崩光电检测器

237、使用硅锗脉冲发生器生成微调时间偏移量

238、一种用箱体式PECVD设备制备非晶硅锗薄膜电池的方法

239、具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底

240、具有硅-锗层的半导体晶片及其制备方法

241、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法

242、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法

243、包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层的多层结构及其制造方法

244、非晶硅锗薄膜太阳电池

245、形成硅锗源漏结构的集成工艺方法

246、多晶-硅-锗栅极叠层及其形成方法

247、一种多晶锗硅肖特基二极管

248、液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法

249、一种多晶锗硅薄膜的制备方法

250、一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法

251、一种锗硅肖特基二极管

252、锗硅肖特基二极管

253、一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法

254、一种锗硅肖特基二极管及其制作方法

255、锗硅肖特基二极管及其制作方法

256、用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法

257、采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管

258、特制的功能化硅和或锗的表面

259、用于MEMS应用的低温等离子体硅或硅锗

260、硅-锗外延生长的产率改进

261、使用硅锗制造半导体结构的方法

262、使用硅锗制造半导体结构的方法

263、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻

264、在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变SiSiGe的方法

265、硅锗硅的化学气相沉积生长方法

266、硅上锗中的光电探测器

267、改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺

268、将电阻率测量采用于间接确定硅烷和锗烷的纯度和一种相应的方法

269、一种四氯化锗和四氯化硅*测量用样品池支架

270、制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法

271、硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法

272、纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件

273、基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法

274、通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构

275、选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法

276、选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法

277、具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管

278、包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜

279、铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料及其制备方法

280、通过在硅锗合金熔点附近进行退火而制造SGOI的方法

281、基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法

282、基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法

283、通过添加锗定制由液态硅烷制备的太阳能电池的带隙

284、集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器

285、掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺

286、锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法

287、多晶硅锗合金及其制备方法

288、具有硅-锗电路的可编程逻辑装置以及相关方法

289、硅锗硅异质结内**探测器

290、3－5μm硅锗硅异质结内**探测器及其制备方法

291、一种*探测器用的硅锗硅异质结材料

292、制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底

293、制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底

294、掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法

295、具有硅锗栅极的半导体器件及其制作方法

296、具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法

297、一种对硅锗的硅化学选择腐蚀方法

298、诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法

299、一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法

300、应变硅锗薄膜材料掺杂浓度测试方法

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