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制作晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器

[简介]：本套技术实施例提供一种制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器，用于提高有机薄膜晶体管的迁移率。该方法包括：形成功能板；所述功能板包括沟道区域；在所述功能板上形成包括微孔区域的绝缘层；所述微孔区域位于所述沟道...

2、制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器

[简介]：本套技术主要内容为一种制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高k金属栅晶体管；在所述半导体衬底上形成覆盖所述高k金属栅晶体管的层间介电层；对所述层间介电层进行图案化，以形成仅...

3、制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法

[简介]：揭示一种制作晶体管的方法图3A到3F。所述方法包括在衬底300的面处形成电介质层306以及在所述电介质层上形成栅极312。在所述衬底中在所述栅极附近植入316源极和漏极区310。在所述栅极中植入318非晶区以形成...

4、制作晶体管的方法

[简介]：本套技术是通过以下技术方案实现的：一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构，包括轨道板和盖板，所述盖板固定在所述轨道板的顶部，所述盖板的顶部设置若干个方形通孔，其中所述轨道板上设置轨道槽，所述盖板上设置开口...

5、一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构

[简介]：本套技术是通过以下技术方案实现的：一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构，包括轨道板和盖板，所述盖板固定在所述轨道板的顶部，所述盖板的顶部设置若干个方形通孔，其中所述轨道板上设置轨道槽，所述盖板上设置...

6、一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构

[简介]：本套技术主要内容为一种制作凹入式信道存储晶体管装置的方法，包括：提供半导体基材，基材上具有凹槽；在凹槽中形成栅极介电层；在凹槽中沉积栅极材料层；在栅极材料层上形成介电盖层；图案化介电盖层和栅极材料层以形成栅极图案；在...

7、制作凹入式信道存储晶体管装置的方法

[简介]：本套技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本套技术先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且...

8、一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法

[简介]：本套技术公开提供一种石墨烯晶体管及其生物传感器的制作与应用方法，该方法价格低廉且避免了石墨烯晶体管表面的化学污染，适合石墨烯晶体管与现有电子器件的集成化制作与规模化生产；针对石墨烯晶体管传感器的选择性较差的...

9、石墨烯晶体管及其生物传感器的制作与应用方法

[简介]：本套技术提供一种PMOS晶体管的制作方法与一种NMOS晶体管的制作方法。上述制作方法采用在源极及漏极区域形成垂直硅衬底表面方向的多个堆叠的sigma形凹槽（至少两个），即阶梯状sigma形凹槽，且在自硅衬底表面向硅衬底内方向上...

10、PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法

[简介]：本套技术涉及可以特别地用在动态随机存取存储器的存储单元中的晶体管。因此，本套技术也涉及存储单元以及制造这种晶体管的方法。本套技术的晶体管是双翅场效应晶体管。特别地，该晶体管包括第一和第二源漏区，连接第一和第二源漏...

11、晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法

[简介]：各种实施例提供用于制作具有所要IO晶体管阈值电压的双供应电压CMOS装置的方法。可在包含用于逻辑NMOS晶体管、逻辑PMOS晶体管、IONMOS晶体管及IOPMOS晶体管的隔离区的半导体衬底110中制作所述双供应电压CMOS装置。具...

12、具有不同阈值电压的CMOS晶体管制作

[简介]：本套技术主要内容为一种晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管制作方法可以包括：提供衬底，并且在该衬底上形成第一绝缘层；在该第一绝缘层上定义第一器件区；在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离...

13、晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件

[简介]：本套技术是关于一种单只晶体管制作的音频信号发生器。该音频信号发生器包括直流电源DC、电源滤波电路、共*极放大电路、*RC移相电路和交流负反馈电路，其特征是：共*极放大电路中接有*RC移相电路，PNP晶体管VT1的发...

14、单只晶体管制作的音频信号发生器

[简介]：本套技术是关于一种单只晶体管制作的音频信号发生器。该音频信号发生器包括直流电源DC、电源滤波电路、共*极放大电路、*RC移相电路和交流负反馈电路，其特征是：共*极放大电路中接有*RC移相电路，PNP晶体管VT1...

15、单只晶体管制作的音频信号发生器

[简介]：提供了一种制作晶体管和半导体器件的方法。制作晶体管的方法可以包括：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层或伪栅叠层、源漏延伸区、侧墙和源漏区，所述源漏延伸区嵌于所述有源区中且自对准于所述栅叠层或伪...

16、一种制作晶体管和半导体器件的方法

[简介]：本套技术涉及一种掺杂阱的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成具有第一图案的光刻胶层；在具有第一图案的光刻胶层和衬底上涂覆交联材料层；对衬底进行烘焙，以便使交联材料层发生交联反应，而在交联材料层的与具有第一图案...

17、制作掺杂阱以及包含该掺杂阱的晶体管的方法

[简介]：本套技术的利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法包括以下步骤：在形成CMOS双阱的过程中，对第一导电类型的衬基的双极性晶体管区进行第一导电类型掺杂，形成集电极；在所述衬基的表面上形成多晶硅层，以第二导电类杂质对...

18、利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法

[简介]：一种CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法。所述CMOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、第一功函数金属层、第二功函数金属层和多晶硅层，第二功函数金属层的功函数位于NMOS晶体...

19、CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法

[简介]：一种CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法。所述CMOS晶体管的制作方法包括：提供包括NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的半导体衬底；在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成功函数金属层，功函数金属层的功函数...

20、CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法

[简介]：本套技术提供了嵌入硅锗的PMOS晶体管与嵌入碳化硅的NMOS晶体管及其制作方法，不但在嵌入硅锗或碳化硅表面形成金属硅化物来降低源极与漏极的电阻，而且在该轻掺杂区也形成了金属硅化物以降低轻杂掺区的电阻，从而减缓由于嵌...

21、PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法

[简介]：本套技术主要内容为一种NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法。其中，所述NMOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，以及在栅极结构两侧形成源极和漏极；形成张应力层，所述张应力层覆盖所述栅...

22、NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法

[简介]：本套技术提出一种改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法。其中改善反窄沟道效应的方法，包括：提供依次形成有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层；对浅沟槽侧壁进行有角度的离子注入。本套技术有效改善了MOS晶体...

23、改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法

[简介]：本套技术揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述...

24、包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法

[简介]：晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触...

25、制作具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管的方法以及具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管

[简介]：本套技术实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提高阵列基板的开口率，该方法包括：形成第一源极和漏极金属层；在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成...

26、晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置

[简介]：本套技术揭示方法、系统及装置，其包含具有存储器装置的系统。在一些实施例中，所述存储器装置包含：多个鳍式场效晶体管190，其安置成若干个行164；多个绝缘鳍154，其每一者安置于所述行164之间；及多个存储器元件，其每一...

27、包括鳍式晶体管的系统及装置以及其使用、制作及操作方法

[简介]：提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区，所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源...

28、一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片

[简介]：本套技术主要内容为一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，包括如下步骤：第1步，淀积一多晶硅层；第2步，刻蚀出T型多晶硅栅极；第3步，在T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层；第4步，光刻形成源区、漏区，对源区、漏区进行轻掺杂漏注入；...

29、T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法

[简介]：本套技术是关于场效晶体管的制作方法及场效晶体管。此方法包含对半导体基板进行袋型布植。之后，在半导体基板上形成多晶硅层。图案化多晶硅层以形成多晶硅栅极。此场效晶体管包含第一型掺质的井，其形成于半导体基板中；金属栅...

30、场效晶体管的制作方法及场效晶体管

[简介]：一种MOS晶体管源漏应力区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲栅；对所述半导体衬底进行离子注入，在牺牲栅两侧的半导体衬底中形成非晶区；在所述半导体衬底上形成包含固有应力的介电层；对所述半导...

31、MOS晶体管源漏应力区的形成方法及MOS晶体管制作方法

[简介]：本套技术主要内容为一种制作异质结双极型晶体管HBT的方法，包括：在清洗后的制作了部分或全部三台面HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上；去掉圆片A的衬底，留下HBT和需要的半导体材料层；制作HBT集...

32、一种制作异质结双极型晶体管的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种制作FinFET晶体管的方法，是选用晶向为110的SOIsemiconductoroninsulator晶片为衬底材料，用各向异性的腐蚀方法腐蚀该SOI材料的半导体层形成一侧面光滑且垂直于表面的半导体条，并对该半导体条的中...

33、一种制作FinFET晶体管的方法

[简介]：本套技术提供一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。首先，提供半导体基底以及栅极结构位于半导体基底上。半导体基底具有源极区域与漏极区域，分别位于栅极结构两侧的半导体基底中。接着，在半导体基底上形成应力覆盖层并...

34、制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种制作晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在第二层电子束胶ZEP520A上匀...

35、一种制作晶体管T型纳米栅的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。提供半导体基底；在半导体基底上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成栅极；在该栅极的侧壁上形成衬垫层；在衬垫层上形成氮化硅间隙壁；对半导体基底进行漏极源极离...

36、制作半导体晶体管元件的方法

[简介]：本套技术揭示了一种制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法。首先，提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域用以制备第一晶体管以及至少一第二有源区域用以制备第二晶体管。接着依序形成第一蚀刻停止层、应力层以...

37、制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法

[简介]：一种VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管的制作方法，包括：提供具有LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区的衬底；在衬底内形成N埋层区域；在N埋层区域上形成外延层；在LDMOS晶体管区VDMOS晶体管区形成隔离区；在LDMOS晶体管区形成漂移区；在...

38、VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管及其制作方法

[简介]：本套技术提供一种制作应变硅沟道金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含提供一衬底，于该衬底上形成至少一栅极结构，于该栅极结构上形成一掩模层，进行一蚀刻工艺以于该栅极结构相对两侧的该衬底内形成两凹槽，进行一选择性...

39、制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法

[简介]：首先提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一有源区域用以制备一第一晶体管以及一第二有源区域用以制备一第二晶体管。然后形成一第一栅极结构于该第一有源区域上、一第二栅极结构于该第二有源区域上以及一第一间隙壁于...

40、制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法

[简介]：一种制作MOS晶体管的方法，提供一包括有一栅极结构的基底。随后进行一预非晶化工艺，于该栅极结构两侧的该基底内形成一非晶化区域；并进行一共注入工艺，于该非晶化区域内注入一共注入掺杂质。进行一第一离子注入工艺与一第...

41、制作金属氧化物半导体晶体管的方法

[简介]：本套技术提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管，所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层，所述高压晶体管形...

42、半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管

[简介]：一种能够将平面型10和非平面型20、30晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。

43、在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件

[简介]：本套技术提供一种CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置，该CMOS晶体管包括：位于衬底基板上方的第一区域和第二区域，所述第一区域包括：第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极；所述第二区域包括：第二栅电极、第...

44、CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置

[简介]：本套技术揭示一种金属氧化物半导体晶体管MOS及其制作方法，其中相对于栅极电极的宽度增加有效沟道长度。在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极，所述结构具有自对准的源极漏极区域及在虚拟栅极结构...

45、金属氧化物半导体MOS晶体管及其制作方法

[简介]：一种晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一伪栅和第一侧墙；形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一应力层；去除第一侧墙，在第一伪栅的侧壁形成第二侧墙；在第一应力层上形成第二伪栅；露出第一应力层之间的衬底；在...

46、晶体管及其制作方法

[简介]：一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极；在所述栅介质层和所述栅极两侧形成偏移间隙壁；以所述偏移间隙壁为掩模，对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入...

47、晶体管的制作方法

[简介]：本套技术提供一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法，所述制作方法包括：1）于半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层；2）藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半...

48、一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法

[简介]：本套技术公开一种垂直式晶体管元件及其制作方法，该晶体管元件包括基材、第一源极、漏极、第一栅介电层、第一栅极以及第一掺杂区。基材具有至少一个凸出部。第一源极具有第一电性，形成于基材上。漏极具有第一电性，且位于凸出部上...

49、垂直式晶体管元件及其制作方法

[简介]：本套技术涉及晶体管，主要内容为一种异质结双极型晶体管HBT及其制作方法。包含半导体衬底，位于半导体衬底上的*极，位于*极上的基极，位于基极上的集电极和位于*极两侧及之下的半导体衬底内部的金属硅化物层，其中，位于发...

50、异质结双极型晶体管及其制作方法

[简介]：本套技术涉及半导体器件制造技术领域，主要内容为一种自对准硅化物晶体管及其制作方法，所述自对准硅化物晶体管的制作方法，包括：形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层；将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体...

51、无结晶体管及其制作方法

52、无结晶体管及其制作方法

53、含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置

54、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法

55、栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法

56、级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

57、堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法

58、浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法

59、具有绝缘栅极的常闭型氮化镓晶体管及其制作方法

60、PMOS晶体管及其制作方法

61、N型晶体管及其制作方法、互补金属氧化物半导体

62、PMOS晶体管及其制作方法

63、PMOS晶体管的制作方法

64、晶体管及其制作方法

65、PMOS晶体管的制作方法

66、PMOS晶体管的制作方法

67、一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法

68、一种自对准绝缘栅双极型晶体管的制作方法

69、栅极的制作方法、晶体管的制作方法

70、掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法

71、一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构及其制作方法

72、悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路

73、沟槽型功率晶体管及其制作方法

74、一种MOS晶体管的制作方法

75、一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法

76、制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法

77、CMOS晶体管的制作方法

78、制作应变硅晶体管的方法

79、低温多晶硅晶体管的制作方法

80、一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

81、制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法

82、基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法

83、晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法

84、凹入式晶体管的制作方法

85、具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法

86、晶体管的制作方法

87、制作应变硅晶体管的方法

88、半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法

89、一种半导体晶体管的制作方法

90、自对准超结功率晶体管的制作方法

91、MOS晶体管的制作方法和圆角化沟槽顶部尖角的方法

92、MOS晶体管的制作方法

93、一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

94、NMOS晶体管及其制作方法

95、MOS晶体管的制作方法

96、一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法

97、CMOS晶体管的制作方法

98、堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

99、晶体管的结构及其制作方法

100、晶体管的制作方法

101、一种双极结型晶体管及其制作方法

102、一种双极结型晶体管及其制作方法

103、多晶体管半导体器件及其制作方法

104、MOS晶体管的制作方法

105、三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法

106、PMOS晶体管及其制作方法

107、半导体器件制作方法和SiGeHBT晶体管制作方法

108、一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法

109、高K膜的制作方法及晶体管的形成方法

110、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

111、多栅极场效晶体管及其制作工艺

112、CMOS晶体管的制作方法

113、浮栅晶体管的制作方法

114、PMOS晶体管的制作方法

115、制作金属氧化物半导体晶体管的方法

116、降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法

117、金属栅极晶体管的制作方法

118、一种MOS晶体管及其制作方法

119、一种功率晶体管及其制作方法

120、一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法

121、图像传感器与晶体管的制作方法

122、单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法

123、横向晶体管及其制作方法

124、一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法

125、横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

126、金属氧化物半导体晶体管的制作方法

127、一种用于SRAM的P型传输栅极晶体管及其制作方法

128、绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

129、一种碳纳米管墨水的制备方法及晶体管器件的制作方法

130、具有超级结的功率晶体管组件的制作方法

131、功率晶体管组件的制作方法

132、一种双极结型晶体管的制作方法

133、光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法

134、能降低邻近字线或晶体管影响的半导体器件及其制作方法

135、具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法

136、制作半导体晶体管元件的方法

137、具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

138、鳍状场效晶体管结构及其制作方法

139、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

140、具有超级接口的功率晶体管组件及其制作方法

141、MOS晶体管及其制作方法

142、LDMOS晶体管及其制作方法

143、萧基晶体管装置的制作方法

144、晶体管及其制作方法

145、一种大电流晶体管封装结构及其制作方法

146、CMOS晶体管金属栅极的制作方法

147、超级接面晶体管及其制作方法

148、功率晶体管组件及其制作方法

149、晶体管的制作方法

150、绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制作方法

151、非平面晶体管的制作方法

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