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制作晶体管加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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152、非平面晶体管的制作方法

153、具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法

154、MOS晶体管及其制作方法

155、LDMOS晶体管及其制作方法

156、功率晶体管组件及其制作方法

157、高压晶体管及其制作方法

158、晶体管的制作方法

159、沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法

160、类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件和制作方法

161、一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法

162、CMOS晶体管的制作方法

163、鳍状晶体管与其制作方法

164、功率晶体管的制作方法

165、异质结构场效晶体管及其制作方法

166、CMOS晶体管的制作方法

167、具有超级介面的功率晶体管的制作方法

168、具有厚底部介电层的沟槽式晶体管及其制作方法

169、具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法

170、槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制作方法

171、一种晶体管和半导体器件及其制作方法

172、CMOS晶体管的制作方法

173、薄膜晶体管主动装置的制作方法及制作的薄膜晶体管主动装置

174、超结功率晶体管结构及其制作方法

175、一种制作具有延伸闸极晶体管的方法

176、功率晶体管结构及其制作方法

177、氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法

178、晶体管及其制作方法

179、一种双极型晶体管的制作方法

180、EDMOS晶体管及其制作方法

181、晶体管及其制作方法

182、一种梳状栅复合源MOS晶体管及其制作方法

183、降低寄生晶体管导通的功率组件及其制作方法

184、一种FinFET晶体管的制作方法

185、一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法

186、晶体管及其制作方法

187、MOS晶体管及其制作方法

188、晶体管及其制作方法

189、LDMOS晶体管、布局方法和制作方法

190、MOS晶体管及其制作方法

191、MOS晶体管及其制作方法

192、氮化镓晶体管的制作方法

193、晶体管制作方法

194、晶体管的制作方法

195、晶体管的制作方法

196、晶体管的制作方法

197、晶体管及其制作方法

198、晶体管及其制作方法

199、晶体管及其制作方法

200、晶体管及其制作方法

201、晶体管的制作方法

202、晶体管的制作方法

203、晶体管的制作方法

204、晶体管的制作方法

205、MOS晶体管及其制作方法

206、栅介质层和晶体管的制作方法

207、晶体管及其制作方法

208、NMOS晶体管的制作方法

209、MOS晶体管及其制作方法

210、MOS晶体管及其制作方法

211、MOS晶体管及其制作方法

212、CMOS晶体管的制作方法

213、具有金属栅极的晶体管的制作方法

214、CMOS晶体管的制作方法

215、MOS晶体管及其制作方法

216、晶体管的制作方法

217、具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法

218、MOS晶体管及其栅介电层的制作方法

219、高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法

220、MOS晶体管及其制作方法

221、双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法

222、MOS晶体管及其制作方法

223、NMOS晶体管的制作方法

224、超薄体晶体管及其制作方法

225、互补金氧半晶体管及其制作方法

226、一种双极型晶体管的制作方法

227、一种晶体管的制作方法

228、金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法

229、沟槽型VMOS晶体管制作方法

230、互补金属氧化物半导体晶体管的制作方法

231、横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

232、制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法

233、NPN晶体管及其制作方法

234、一种双极型晶体管及其制作方法

235、MOS晶体管的制作方法

236、制作金氧半导体晶体管的方法

237、基于氮化物的晶体管的覆盖层和或钝化层、晶体管结构及制作方法

238、鳍式晶体管结构及其制作方法

239、CMOS晶体管及其制作方法

240、高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法

241、鳍式晶体管结构及其制作方法

242、降低浅掺杂漏PN结漏电流的MOS晶体管的制作方法

243、外延层和晶体管制作方法

244、鳍式晶体管结构及其制作方法

245、封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法

246、P型掺杂超浅结及PMOS晶体管的制作方法

247、MOS晶体管的制作方法

248、跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法

249、具有双超浅隔离结构的硅晶体管及其制作方法

250、具有双超浅隔离结构的硅覆绝缘晶体管及其制作方法

251、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法

252、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法

253、一种部分耗尽的绝缘层上硅MOS晶体管的制作方法

254、MOS晶体管及其制作方法

255、制作薄膜晶体管的方法

256、金属氧化物半导体晶体管结构及其制作方法

257、绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法

258、MOS晶体管及其制作方法

259、MOS晶体管的制作方法

260、MOS晶体管的制作方法

261、MOS晶体管的制作方法

262、四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法

263、MOS晶体管及其制作方法

264、CMOS晶体管及其制作方法

265、袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法

266、制作浅结MOS晶体管的方法

267、栅极及MOS晶体管的制作方法

268、包含耐栅极短路的鳍式晶体管的装置及其制作方法

269、CMOS晶体管及其制作方法

270、制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置

271、CMOS晶体管及其制作方法

272、CMOS晶体管及其制作方法

273、CMOS晶体管及其制作方法

274、高电子迁移率晶体管、外延衬底、及制作高电子迁移率晶体管的方法

275、互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法

276、MOS晶体管及其制作方法

277、MOS晶体管及其制作方法

278、NMOS晶体管的制作方法

279、NMOS晶体管的制作方法

280、多栅极晶体管制作方法及系统

281、NMOS晶体管的制作方法

282、一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法

283、一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法

284、半导体器件、p型MOS晶体管及其制作方法

285、半导体器件、n型MOS晶体管及其制作方法

286、可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片及其制作方法

287、MOS结构的功率晶体管及其制作方法

288、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

289、制作鳍形场效应晶体管的方法

290、减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法

291、CMOS晶体管及其制作方法

292、栅极及晶体管的制作方法

293、晶体管浅结的制作方法

294、晶体管器件中浅结制作方法

295、凹入式栅极晶体管元件结构及制作方法

296、制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构

297、栅极及NMOS晶体管的制作方法

298、功率晶体管结构及其制作方法

299、具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作

300、光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法

301、沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法

302、沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法

303、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法

304、具有凹陷式栅极的动态随机存取存储器晶体管及其制作方法

305、晶体管结构及其制作方法

306、晶体管及半导体装置的制作方法

307、凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法

308、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

309、一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法

310、复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

311、一种晶体管T型纳米栅的制作方法

312、应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法

313、互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

314、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构

315、一种制作大功率场效应晶体管的方法

316、一种MOS晶体管及其制作方法

317、一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法

318、高压MOS晶体管的制作方法

319、高压MOS晶体管的制作方法

320、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

321、一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法

322、横向PNP晶体管制作方法

323、EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法

324、一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法

325、磷化铟异质结双极型晶体管自对准*极的制作方法

326、自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法

327、金属氧化物半导体晶体管的制作方法

328、一种制作准双栅MOSFET晶体管的方法

329、一种部分耗尽的SOIMOS晶体管及其制作方法

330、半导体晶体管元件及其制作方法

331、金刚石晶体管及其制作方法

332、漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法

333、一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法

334、一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法

335、一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法

336、互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法

337、制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法

338、液晶显示器及其制作方法及其晶体管数组基板及制作方法

339、具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法

340、用于单片集成具有隔离结构的MOS场效晶体管及其制作方法

341、LDMOS晶体管及其制作方法

342、一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法

343、一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法

344、垂直型双极晶体管的制作工艺方法及垂直型双极晶体管

345、一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法

346、一种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法

347、一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备

348、具超浅接面漏极源极延伸的半导体晶体管元件制作方法

349、一种体硅MOS晶体管及其制作方法

350、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法

351、纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

352、纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

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