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【新版】

堆叠金属电容,金属电容器加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
  • 开本:16开
  • 资料形式:DVD/U盘/电子版    正文语种: 简体中文
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1、具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法
        [简介]: 本套资料公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对,用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路,其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能...
2、具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法
        [简介]: 本套资料提供一种金属-氧化物-金属电容结构。此电容结构包括:一介电层、一第一网状金属层以及一第二网状金属层。第一及第二网状金属层嵌入于介电层,且第二网状金属层平行堆叠于第一网状金属层上方。每一网状金属层具有排列成...
3、金属-氧化物-金属电容结构
        [简介]: 一种堆叠式金属-氧化物-金属MOM电容器结构及其制造方法,以增加电极电容器介电耦合面积,并借以增加电容,此金属-氧化物-金属电容器结构包括多个金属化层,呈堆叠关系;其中每一金属化层包括实质平行且分隔开的多个导电...
4、堆叠式金属-氧化物-金属电容器结构
        [简介]: 本套资料主要内容为一种CMOSBiCMOS工艺中的金属电容,可有效利用侧面寄生电容,从而提高金属寄生电容的电容密度,减小电容结构的版图面积。该金属电容由多层金属布线层堆叠而成,其中每一层金属层包含多个正极性的金属条和多个负...
5、CMOSBiCMOS工艺中的金属电容
        [简介]: 本套资料的一个实施例主要内容为一种金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法,该方法包括:提供半导体衬底,其表面形成有第一绝缘层;于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构,其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成;形成开口于堆叠绝...
6、金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法
        [简介]:本技术涉及一种金属线栅阵列电容式触摸屏,属于电子设备技术领域。该触摸屏自上而下依次由面板、光学透明胶、金属线栅阵列感应层堆叠而成,金属线栅阵列感应层包括基材、基材表面的金属线栅阵列、连接金属线栅阵列的金属...
7、一种金属线栅阵列电容式触摸屏
        [简介]: 本套资料涉及一种电容式触摸屏,属于电子设备技术领域。该触摸屏自上而下依次由面板、光学透明胶、金属线栅阵列感应层堆叠而成,金属线栅阵列感应层包括基材、基材表面的金属线栅阵列、连接金属线栅阵列的金属导线。这种电容式触...
8、一种金属线栅阵列电容式触摸屏
        [简介]: 本套资料揭示一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包含步骤:a依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于介电层上;b利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层;c以微影蚀刻法定义底部...
9、增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法
        [简介]: 一种深亚微米级堆叠并联MiM结构电容器,其具有多层堆叠的MiM结构,有多个金属或多晶硅层作为布线层,构成下极板,其上方有导电层构成上极板,各个上极板图案由同一块MMC掩模定义,上、下两个平行电极板之间有绝缘电介质,构成...
10、深亚微米级堆叠并联金属绝缘体金属结构电容器
        [简介]: 本套资料提供一种在集成电路电介质堆叠中形成的金属-绝缘体-金属电容器。提供一种线-板-线电容器,其交替包含金属板的层和包含直线或者带角度的交替极性平行线的层。提供一种分割板电容器,其具有在层内和层之间极*替的金...
11、金属-绝缘体-金属电容器
        [简介]: 本套资料提供一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,在集成电路制程中,在作为导线的多层金属导线层中,形成嵌入于其中的堆叠式金属-绝缘体-金属电容器。金属-绝缘体-金属电容器的制造会与金属导线的制造共用例如图型...
12、堆叠式金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
        [简介]: 一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法,包括下列步骤:a提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底,该基底部分表面露出有该第一金属区块之上表面;b全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层;c选择性地除去该第一介电...
13、高密度堆叠金属电容元件的制造方法
        [简介]: 为了制造一种具有结合之金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品,首先,一介电辅助层6系被沉积于一第一电极2、3、5之上,该辅助层6则接着经该第一电极被形成开口15,然后,一介电层7被产生,并且第二电极的该金属轨...
14、具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
        [简介]: 为了制造一种具有结合之金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品,首先,一介电保护层5以及一介电辅助层16系被沉积于一第一电极2之上,该保护层以及该辅助层16系经该第一电极接着被形成开口17,然后,一介电层6...

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