【新版】

沟槽电容,沟槽电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法

[简介]：本套资料提供了一种降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法。在衬底硅片上首先沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿...

2、降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法

3、降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法

[简介]：本套资料主要内容为一种低电容超深沟槽瞬态电压抑制二极管结构，其包括一TVSPN结及一低电容PN结，重掺杂P型衬底（41）、重掺杂N型外延层（42）、轻掺杂N型外延层（43）、二氧化硅层（44）堆叠之后的多层结构上刻蚀有一系列密排的深度大于...

4、低电容超深沟槽瞬变电压抑制二极管结构

[简介]：本套资料提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容...

5、形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容

[简介]：本技术公开低栅漏电容的沟槽MOS器件，包括若干个并联排列的沟槽MOS单胞；单胞中存在沟槽和由单晶硅外延层构成的凸台结构；沟槽的底部为半圆形，位于沟槽中央设置有作为源极区且填充导电多晶的第二源极区，此第二源极区...

6、低栅漏电容的沟槽MOS器件

[简介]：本套资料公开一种低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法，包括若干个并联排列的沟槽MOS单胞；单胞中存在沟槽和由单晶硅外延层构成的凸台结构；沟槽的底部为半圆形，位于沟槽中央设置有作为源极区且填充导电多晶的第二源极区，...

7、低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的...

8、一种易于填充的沟槽电容及其制备方法

[简介]：本套资料提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由...

9、用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法

[简介]：本套资料提供一种用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体基底内形成第一浅沟槽；在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质；对所述绝缘介质的表面进行研磨，使所述第一浅沟槽表面平坦化，并去除所述...

10、用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法

[简介]：本套资料涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成具有侧壁的开口；以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的，而不是在所述侧壁的第二部...

11、沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法

[简介]：本套资料提供一种具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程，包括：提供一具有一垫层结构的基底；形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；形成一图案化的第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，露出一第一开口；形成一间隔层于该第一开口的侧...

12、具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程

[简介]：本套资料揭示一种瓶型沟槽的制造方法。首先，在一基底的沟槽下半部填入一导电层，且其被一具掺杂层所包围。接着，在基底上及沟槽上半部顺应性形成一氮化硅层。之后，对基底实施一热处理以在邻近具掺杂层的基底中形成一掺杂区。接...

13、形成瓶型沟槽的方法及瓶型沟槽电容的制造方法

[简介]：一种沟槽电容结构，包括一半导体基底；一电容深沟槽，形成于该半导体基底中；一领氧化层，设于该电容深沟槽的内壁上，其中该领氧化层于该电容深沟槽底部具有一开口，暴露出该电容深沟槽底部；一第一掺杂多晶硅层，设于该领氧化...

14、沟槽电容结构

15、沟槽电容动态随机存取存储器元件及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽电容结构及其制作方法。上述方法包括提供一基底，其表面定义有一存储阵列区域以及一逻辑区域，进行一浅沟隔离工艺，于存储阵列区域以及逻辑区域中的基底上形成至少一浅沟隔离，并于基底以及浅沟隔离的表...

16、沟槽电容结构及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽电容结构的制作方法。上述方法包括提供一基底，其表面定义有一存储阵列区域以及一逻辑区域，进行一浅沟隔离工艺，于存储阵列区域以及逻辑区域中的基底上形成至少一浅沟隔离，并于基底以及浅沟隔离的表面...

17、沟槽电容结构的制作方法

[简介]：一具有一晶体管以及一储存电容的半导体元件。此晶体管包括形成于基底上的源极与漏极区。此储存电容耦合于该晶体管。此储存电容由一瓶状沟槽所构成，且具有形成于沟槽中的一外延硅层以形成源极与漏极区其中之一的至少一部分...

18、具有瓶状深沟槽电容的半导体元件及其制造方法

[简介]：一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿...

19、形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法

[简介]：本套资料揭露深沟槽电容的制作方法，先提供一半导体基底，并形成一第一沟槽于该半导体基底中。接着氧化该半导体基底以形成一氧化硅层于该第一沟槽表面；沉积一氧化铝层于该第一沟槽的底部与侧壁上，并覆盖该氧化硅层；移除该第...

20、深沟槽电容的制作方法

[简介]：本套资料涉及一种沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法，它是利用CMOS的技术制成，在半导体结构上先形成金属间介电层IMD，再在它上面形成导电层，此导电层作为电容的底金属层，其中具有至少一沟槽；接着，介电层共形在...

21、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器

22、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器

23、瓶型沟槽电容的制造方法

24、一种增加沟槽电容器的电容的方法

25、浅沟槽隔离内的隔离电容器

26、沟槽式电容及其形成方法

27、改善光阻平整度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法

28、带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器

29、具有沟槽电容的半导体的制造方法

30、包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法

31、包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构

32、瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法

33、用于创建深沟槽电容器以改进器件性能的方法和装置

34、提高半导体集成电路器件中深沟槽电容的集成方案

35、沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法

36、具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法

37、沟槽电容器及其制造方法

38、贯穿SOI衬底的深沟槽电容器及其形成方法

39、在一个单元中具有多个并联的沟槽电容器的多端口存储器

40、适用于高频操作中去耦应用的沟槽电容器

41、提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法

42、提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法

43、低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法

44、具有混合表面取向衬底的沟槽电容器

45、带有底切区域中的绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法

46、沟槽式电容器及其制造工艺

47、具有深沟槽电容器的多栅极动态随机存取存储器及其制法

48、深沟槽电容器结构的制造方法

49、沟槽存储电容器及其制造方法

50、包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法

51、埋入式沟槽电容器及其制造方法

52、选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法

53、具有平行板沟槽电容器的半导体器件

54、具有沟槽电容器的动态随机存取存储器及其制造方法

55、具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法

56、沟槽式电容器的结构及其制造方法

57、测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法

58、制造沟槽动态随机存取存储器中电容器掩埋片的工艺

59、制造沟槽电容器的掩埋带的方法

60、用于自对准器件隔离的电容器沟槽顶部介质

61、带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

62、带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

63、带有外延隐埋层的沟槽式电容器

64、带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法

65、沟槽电容器的低阻硅化物填充物

66、具有外延掩埋层的沟槽电容器

67、具有隔离轴环的沟槽电容器

68、改善沟槽电容器中掩埋带的控制的方法和装置

69、在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术

70、用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器

71、制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法

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