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制作电容,电容加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、具有节省空间的电容的集成电路及制作该集成电路的方法

[简介]：本套资料提供一种有关具有节省空间的电容的集成电路及制作该集成电路的方法。在半导体衬底上上覆导电特征形成介电层。该介电层内形成通孔开口以暴露部份该导电特征。在该介电层内蚀入局部开口和位于该导电特征上。上覆该介电...

2、具有节省空间的电容的集成电路及制作该集成电路的方法

[简介]：本技术主要内容为一种由半刚电缆制作而成的精密小电容，所述的精密小电容包括半刚电缆主体，而半刚电缆主体包括外导体（1）、介质（2）、内导体（3），其中介质（2）夹在外导体（1）和内导体（3）之间；外导体（1）和内导体（2）分别作为电容...

3、由半刚电缆制作而成的精密小电容

[简介]：一种低成本易制作的电容触摸屏，它是在OCA光学透明胶的两面各设一层导电膜，并在上层导电膜的上面再加一层OCA光学透明胶，最后再在OCA光学透明胶的上面加一层ITO导电玻璃。本实用新型是靠多层的导电膜和ITO导电玻璃的相互...

4、一种低成本易制作的电容触摸屏

[简介]：本套资料涉及一种制作电容触摸屏的方法，其特征在于包括如下步骤：1、基板的a、b面分别镀导电层；2、a面导电层上涂布光刻胶；3、对a面光刻胶曝光、显影；4、a面光刻胶钝化：即在*隧道炉加热分解光刻胶的光敏剂，加热温度在115℃～15...

5、一种制作电容触摸屏的方法

[简介]：使用一种被称为策略性几何形状隔离SGI的新图案化技术，以使用激光烧蚀使导电薄膜结构图案化。除了ITO薄膜之外，也可使用SGI以使服从用激光或其它定向的能量束烧蚀的任何其它导电薄膜图案化。代替于烧蚀ITO的较大区域以形...

6、电容触摸屏及用于制作触摸屏的策略性几何形状隔离图案化方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在BiCMOS制造工艺中制造PIP电容的方法，采用CMOS晶体管的栅多晶硅作为PIP电容的下极板，采用SiGe异质结双极晶体管的*极多晶硅作为PIP电容的上极板；该方法包括如下步骤：第一步，在硅衬底的指定区域上淀...

7、在BiCMOS工艺中制作PIP电容的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种MOS电容的制作方法，主要解决SiCSiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气...

8、一种制作SiCMOS电容的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种制作半导体电容元件的方法，其包含有提供一基底；在该基底上形成一碳电极层；进行一第一原子层沉积工艺，在该碳电极层的表面沉积一中间过渡阻障层；进行一第二原子层沉积工艺，在该中间过渡阻障层上沉积一金...

9、一种制作半导体电容元件的方法

[简介]：提供一衬底，其上有氧化硅层、第一氮化硅层、浅沟隔离、第二氮化硅层，形成图案化多晶硅层于第二氮化硅层上，利用图案化多晶硅层进行蚀刻，以形成深沟渠开口，蚀刻去除图案化多晶硅层，同时蚀刻衬底以加深深沟渠开口以及填入一...

10、制作深沟渠电容和蚀刻深沟渠开口的方法

[简介]：本套资料涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜...

11、硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法

[简介]：本技术主要内容为一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一...

12、一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片

[简介]：本套资料制作沟渠电容动态随机存取存储器元件的方法包括以下步骤：提供半导体衬底，于其上形成衬垫层；于衬垫层中形成第一开口；以衬垫层作为蚀刻掩模，经由第一开口在半导体衬底蚀刻出浅沟；于浅沟中填入绝缘材料，形成沟渠绝...

13、制作沟渠电容动态随机存取存储器元件的方法

[简介]：本套资料一种采用纯数字工艺制作的电容，涉及集成电路技术领域，属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种纯数字工艺下制作的具有较大单位面积电容的电容。该电容，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的...

14、一种采用纯数字工艺制作的电容

[简介]：本套资料涉及一种集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一单晶硅基片，具有第一区域及第二区域；S2：在第一区域上生成集成电路，同时，在第二区域上形成金属导电层及介质绝缘层；S3：在第二区域上...

15、集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法

[简介]：本套资料涉及一种电容触摸屏及其制作方法，该电容屏包括透明基板，在透明基板上依次设置有边框油墨层、透明导电层和边框导体层，边框油墨层和边框导体层涂覆于非可视区，透明导电层涂覆于所述可视区，并延伸至所述非可视区，边...

16、电容屏及其制作方法

[简介]：本套资料是提供一种制作一可变电容的方法，该方法是于一基底中形成一第一导电型式的离子井以及复数个隔离结构设于离子井表面，并且使该等隔离结构于离子井表面定义出至少一主动区域。接着于离子井表面植入第一导电型式的离...

17、制作可变电容的方法

[简介]：本套资料涉及一种多功能投射电容触控面板及其制作方法，包括外盖触摸基板、驱动基板和感应回馈基板，最上层外盖触摸基板，用强化玻璃为基板，上表面喷涂或蚀刻透明材料，增加粗糙度，改善触摸感觉及抗户外强光，驱动基板用PET或...

18、一种多功能投射电容触控面板及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种制作沟渠电容浅沟绝缘的方法，包含：提供一半导体基底，其上具有一硬掩膜，其中该半导体基底上已制作有多个深沟渠电容结构，各深沟渠电容结构包含有电容电极、电容介电层、电容下电极以及颈氧化层；于该半导体基...

19、制作沟渠电容浅沟绝缘的方法

[简介]：一种先镀膜后BM方式非搭桥而实现多点触控的一体式电容屏制作方法。这种电容屏包括透明玻璃基板及依次堆叠在其上的ITO导电图案层、有色BM层、绝缘保护层。其结构的特征之处为ITO导电图案的形成是在丝印有色BM层之前。其制作...

20、一种先镀膜后BM方式非搭桥而实现多点触控的一体式电容屏制作方法

[简介]：本套资料公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料...

21、电容触摸屏及其制作方法和触摸显示装置

22、电容触摸屏及其制作方法和触摸显示装置

23、中高压铝电解电容的制作方法

24、MIM电容及其制作方法

25、一种电容触摸阵列基板及制作方法、液晶面板

26、一种OGS电容触摸屏的黑框制作方法

27、一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法

28、用于电容感应触摸屏的超细纤维绒面革及其制作方法

29、电解电容的阳极体的制作方法

30、一种差分电容微加速度传感器及其制作方法

31、电容结构及其制作方法

32、一种可变电容及其制作方法

33、电容式微加速度传感器及其单片制作方法

34、一种电容器用瓷套灰釉配方及其制作工艺

35、一种电容触摸屏的制作方法

36、堆叠电容结构及其制作方法

37、制作一高密度电容的方法

38、叠栅SiC-MIS电容的制作方法

39、一种MIS电容的制作方法

40、一种MOM电容及其制作方法

41、一种超薄耐候平衡型电容器用双向拉伸聚酯薄膜及其制作方法

42、一种超薄耐候平衡型电容器用双向拉伸聚酯薄膜及其制作方法

43、一种电容式微机电超声传感器及其制作方法

44、带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法

45、一种具有温漂补偿的电容湿度传感器及其制作方法

46、单相电容电机及其制作方法

47、微型差分电容葡萄糖连续监测阻尼传感器及制作方法

48、一种新型电容屏传感器制作方法

49、一种高迁移率MOS电容及其制作方法

50、电容型触控面板以及其触控辨识方法与制作方法

51、一种多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法

52、一种多层金属-氧化物-金属电容的制作方法

53、多层金属-氧化物-金属电容的制作方法

54、一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法

55、一种金属-氧化物-金属电容的制作方法

56、一种多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法

57、金属-氧化物-金属电容的制作方法

58、一种MIM电容中绝缘层的制作方法

59、一种电容触摸屏及其制作方法

60、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制作方法

61、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法

62、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法

63、一种变电容铝合金表面腐蚀监测传感器及其制作方法

64、基于变电容钢结构表面腐蚀监测传感器及其制作方法

65、基于变电容镁合金表面腐蚀监测传感器及其制作方法

66、一种电容触屏双面电极制作方法

67、一种采用SiGeHBT工艺的MOS可变电容及其制作方法

68、一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

69、一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

70、一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

71、一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

72、一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

73、一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法

74、串联电容防干扰层的结构和制作方法

75、电容正电压系数反铁电陶瓷材料及其制作方法

76、集成式电容触控屏及其制作方法

77、一种电容及其制作方法

78、具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法

79、复合介质层的SiCMOS电容及其制作方法

80、一种MIM（金属-绝缘层-金属）电容制作方法

81、一种提高MIM电容密度的结构及其制作工艺

82、一种提高MIM电容密度的结构及其制作工艺

83、固态电容及其制作方法

84、一种聚酰亚胺电容电池及其制作方法

85、一种电容电池电芯及其制作方法

86、具有内埋式电极的导电结构、固态电容及其制作方法

87、一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法

88、一种垂直电容耗尽型功率器件及制作方法

89、一种电容触摸屏电极制作方法

90、集成有电容特性的柔性绕组、电感及其制作方法

91、一种制作高压电容器内熔丝的制作机

92、驻极体电容传声器的制作方法

93、MIM电容结构及其制作方法

94、具有额外电容结构的半导体组件及其制作方法

95、一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法

96、具有可调输出电容值的功率半导体组件以及制作方法

97、一种驻极体电容传声器及其制作方法

98、对称组合弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法

99、硅基电容麦克风的制作方法

100、一种锂离子电容电池的正负极片及其两种极片的制作方法

101、采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法

102、采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法

103、嵌入式电容印刷线路板及其制作方法

104、制作电容印刷电路板的薄分层板及其制作方法

105、电容麦克风及其制作方法

106、一种铅碳超电容电池负极制作方法

107、大容量软包装有机超电容制作方法

108、一种微机械可动梳状栅电容及其制作方法

109、用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法

110、低偏移平带电压SiCMOS电容制作方法

111、低界面态密度的SiCMOS电容制作方法

112、一种磁驱动增大检测电容的微惯性传感器及其制作方法

113、利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法

114、一种可变间距电容的微惯性传感器及其制作方法

115、金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法

116、提高开口率的储存电容及其制作方法

117、堆叠电容的储存电极结构及其制作方法

118、集成低压低电容TVS器件及其制作方法

119、堆叠电容的存储电极的制作方法

120、电容支撑结构、电容器结构及其制作方法

121、一种在光伏电池背面制作平板电容器的光伏电池单元

122、一种在光伏电池背面制作平板电容器的光伏电池单元

123、一种在光伏电池背面制作超级电容器的光伏电池单元

124、一种电容的制作方法

125、减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法

126、基于标准CMOS工艺的积分电容及其制作方法

127、一种可改善电性能的电容制作方法

128、DRAM中电容层的制作方法

129、超级电容器电极材料及制备方法和由其制作的超级电容器

130、随机存取存储器的电容的下电极的制作方法及其下电极

131、制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构

132、电容元件埋入半导体封装基板结构及其制作方法

133、一种CMOS工艺兼容的悬浮式可变电容的制作方法

134、集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片

135、一种制作铌电容器阳极芯块的方法

136、垂直式内埋电容基板的制作方法及其结构

137、一种热域环境中混合混粉制作钽电容器阳极块的方法

138、储能铝电解电容阴极箔的制作方法

139、高压耐大纹波类铝电解电容阴极箔的制作方法

140、对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法

141、采用蚀刻技术制作电容的方法

142、采用蚀刻技术制作电容的方法

143、改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法

144、在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法

145、多晶硅-绝缘层-金属结构的电容及其制作方法

146、用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化，由此制作的薄膜电容器，以及含有薄膜电容器的系统

147、电力电容器箔式内熔丝制作机

148、沟槽电容动态随机存取存储器元件及其制作方法

149、电容结构及其制作方法

150、沟渠电容及存储单元的制作方法

151、固态电容及其制作方法

152、沟槽电容结构及其制作方法

153、沟槽电容结构的制作方法

154、金字塔形的电容结构及其制作方法

155、一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法

156、用于埋入式电容器的树脂组合物、使用其制作的介电层及覆金属箔板

157、多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法

158、深沟槽电容的制作方法

159、金属－绝缘层－金属电容的制作方法

160、一种用于制作固体电解电容器的表面处理溶液

161、在低温下制作的带应力释放膜的电容式麦克风及其制作方法

162、在低温下制作的带应力释放膜的电容式麦克风及其制作方法

163、金属-金属电容的制作方法

164、制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法

165、一种以秸秆制作有机系超级电容器用活性炭材料的方法

166、电容的制作方法

167、具有低感抗嵌入式电容的印刷线路板及其制作方法

168、生产改进钽粉的方法和由此制作的高电容低漏电电级

169、一种金属－绝缘层－金属电容结构及其制作方法

170、一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法

171、一种电容下层储存电极的制作方法

172、用竹子制作电容器专用活性炭的方法

173、用竹子制作的电容器专用活性炭及方法

174、用硬质果壳制作的电容器专用活性炭

175、静电键合密封电容腔体的压力传感器及制作工艺

176、一种深槽电容的制作方法

177、金属－绝缘物－金属电容的集成电路装置及其制作方法

178、高压电容器内熔丝制作机及其制作方法

179、多层阵列电容及其制作方法

180、微机电结构切换多级可变电容及其制作方法

181、制作电容式麦克风元件的振膜的方法

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