【新版】

电介质膜,半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、形成电介质膜的方法以及使用该电介质膜的等离子显示板

[简介]：在形成电介质膜的方法以及利用该电介质膜的等离子显示板PDP中，将糊剂涂覆在基底上形成电介质膜，电介质膜末端部分的侧表面具有相对于基底表面在30至80度范围的接触角。该PDP优选包括：第一基底和第二基底，它们互相面对...

2、形成电介质膜的方法以及使用该电介质膜的等离子显示板

[简介]：一种形成无机硅氮烷基电介质膜的方法，包括：将由Si和H组成的气体以及N和任选H组成的气体引入放置目标的反应室中；将所述目标的温度控制在-50℃到50℃；和通过等离子体反应沉积由Si、N和H组成的膜，其含有无机硅氮烷silazen...

3、形成无机硅氮烷基电介质膜的方法

[简介]：本套资料提供高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法。该高电介质膜的形成方法包括：在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中...

4、高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法

[简介]：一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用ArN2游离基氮化的情况下，难以使处于上...

5、电介质膜及其形成方法

[简介]：此处主要内容为一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂微孔生成物，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且...

6、用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件用层间电介质膜的方法

7、用多面体分子倍半硅氧烷，形成半导体器件用层间电介质膜的方法

[简介]：本套资料提供一种电介质膜的形成方法，其在由使用胺类有机金属原料的MOCVD法进行的high-K电介质膜的形成时，能够使在膜中残留的碳的量最小化。在露出被处理衬底表面的工艺空间中，供给包含所述胺类有机金属分子的原料气体，在...

8、高电介质膜的形成方法

[简介]：一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理...

9、电介质膜的形成方法

[简介]：一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露...

10、电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法

[简介]：一种图像形成装置，设有图像支持体、打印媒体、吸附体。打印媒体至少由半导体层和导电衬底构成，半导体层具有向导电衬底侧气泡颗粒直径逐渐增大的由电介质膜构成的发泡区域，该电介质膜由薄膜状的发泡性电介质聚合物的相对两...

11、图像形成装置及电介质膜的制造方法

[简介]：本套资料提供了形成包括Si，C，O和H原子SiCOH或Si，C，N和H原子SiCHN的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性...

12、电子结构及形成介质膜的方法

[简介]：本套资料提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有：在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料，形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料...

13、有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置

[简介]：一种强电介质膜的形成方法，是在形成于基板上的、具有凹部或凸部或者形成为凸状的电极表面上，形成由绝缘性金属氧化物构成的强电介质膜的方法，其中向腔室内导入构成原料气体的、分别含有有机金属化合物的多种源气体，同时使...

14、强电介质膜的形成方法以及半导体装置

[简介]：一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形...

15、强电介质膜的形成方法

[简介]：一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板10上的非晶质的氧化物膜30照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核40。然后，在含有微结晶核40的氧化物膜上形成光透过吸收膜22。再从光透过吸收膜22的上部照射...

16、强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法

[简介]：一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板10上的非晶质的氧化物膜30照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核40。然后，对具有微结晶核40的膜照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化能够而形成强电介质50。

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