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异质结场效应,场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、异质结场效应型半导体器件及其制造方法

[简介]：在异质结场效应型半导体器件中，沟道层5，5形成在GaAs衬底1上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层9，9上。第一导电类型的第一和第二帽盖层11，11’，11’a，11’b形成在所述第一半导体层上，在第一半导体层上产生沟槽1...

2、异质结场效应型半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成的源极...

3、一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料是一种复合背势垒氮化镓异质结场效应管的制造方法，在衬底上依次生长GaN缓冲层，后掺杂GaN势垒层、AlGaN背势垒层、前掺杂GaN背势垒层、AlGaNGaN锯齿背势垒层、GaN沟道层和前势垒层，构成复合背势垒异质结构场效应管。优...

4、一种制造复合背势垒氮化镓异质结场效应管的方法

[简介]：本套资料提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触...

5、一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，其还包括由p-GaN缓冲层...

6、一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特...

7、一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种源场板异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有场板技术击穿电压低、功率增益小的问题。该器件包括衬底1、过渡层2、势垒层3、源极4、漏极5、钝化层6、Γ栅8和保护层11，钝化层6上开有凹槽...

8、源场板异质结场效应晶体管及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极...

9、一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SG...

10、一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

[简介]：半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本套资料包括下述步骤：1在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；2通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区...

11、半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法

[简介]：一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。包括0001晶向的GaN薄膜和AlxGa1-xN0＜x≤1薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述...

12、一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管

[简介]：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者G...

13、一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料涉及一种基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管，其包括异质结，所述异质结包括由上到下层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层界面处形成有二维电子气，所述第一半导体层上设置有源...

14、基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底1、过渡层2、势垒层3、源极4、漏极5、槽栅7、钝化层8、源场板9、漏场板11和保护层12，该漏场板与漏极电气连接...

15、槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底1、过渡层2、势垒层3、源极4、漏极5、钝化层6、Γ栅8和保护层10，该钝化层6上开有凹槽7，其中，钝化层6上Γ栅8与漏极5之间...

16、Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法

[简介]：本套资料涉及一种具有功能特性的异质结场效应管，包括在n型或p型衬底1上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏...

17、一种具有功能特性的异质结场效应管

[简介]：本套资料涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿...

18、一种全氧化物异质结场效应管

[简介]：本套资料提供异质结场效应晶体管。其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。作为解决手段，异质结场效应晶体管具有在基底20上依次层积的作为沟道层40的第1Ga...

19、异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底1、过渡层2、势垒层3、源极4、漏极5、栅极6、钝化层7、源场板8、漏场板10和保护层11，该源场板8与源极4电气连...

20、基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，源...

21、绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

22、绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

23、凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管

24、异质结构场效应二极管及制造方法

25、异质结型场效应晶体管及其制造方法

26、氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法

27、氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

28、宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

29、采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管

30、场效应异质结构晶体管

31、高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法

32、含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法

33、异质结场效应晶体管

34、具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管

35、具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件

36、用于异质结构的场效应晶体管的屏蔽罩

37、异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法

38、一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法

39、具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管

40、场效应器件的高速锗沟道异质结构

41、GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法

42、GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法

43、异质结构沟道绝缘栅极场效应晶体管的制造方法及晶体管

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