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堆叠集电路,堆叠集电路加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、TSOP集成电路的堆叠组装载板及堆叠组装方法

[简介]：本套资料主要内容为一种TSOP集成电路的堆叠组装载板及堆叠组装方法，所述堆叠组装载板包括印刷电路板，所述印刷电路板的正反两面设有TSOP焊接焊盘，所述TSOP焊接焊盘上设有贯通孔，用于通过TSOP焊接焊盘使贴装于所述印刷电路板的...

2、TSOP集成电路的堆叠组装载板及堆叠组装方法

[简介]：本套资料是有关于一种金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路。该在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其包括：在一内连线结构上直接沉积一金属层，该内连线结构包括设置于一层间介电质中的多个导电插塞；以及在...

3、金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路

[简介]：一种半导体元件的金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路，该方法包括于半导体基底上形成高介电常数材料层；于高介电常数材料层上形成导电材料层；采用多晶硅于n型场效应晶体管区形成第一虚置栅极及于p型场...

4、金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路

[简介]：本申请涉及可用于堆叠的集成电路，其具有能够被放置在另一集成电路、印刷电路或者封装上的表面，并且具有能够接收附加集成电路的另一表面，通过形成装配的芯片的划片获得的集成电路包括：第一半导体晶片，具有厚度小于10μm的...

5、可用于堆叠的集成电路

[简介]：本套资料揭露了一种包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法。一个实施例提供了非挥发性存储单元，其包括在半导体衬底的主表面的第一表面部分上的第一栅堆叠和栅电介质，以及第二表面部分上的包括存储层堆叠的第...

6、包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法

[简介]：本技术主要内容为一种TSOP集成电路的堆叠组装载板，所述堆叠组装载板包括印刷电路板，所述印刷电路板的正反两面设有TSOP焊接焊盘，所述TSOP焊接焊盘上设有用于通过TSOP焊接焊盘使贴装于所述印刷电路板的正反两面的二颗TS...

7、TSOP集成电路的堆叠组装载板

[简介]：本技术提供一种堆叠式封装集成电路装置，以多个电路板模块沿一第一方向进行堆叠。该电路板模块包括：一电路板体、一金属导线架体与一集成电路。该电路板体具有一置晶区与位于该置晶区二侧且沿一第二方向排列的多个镀通...

8、堆叠式封装集成电路装置

[简介]：本套资料揭示一种集成电路及三维堆叠的多重芯片模块，该集成电路包括：一基底，具有一上表面及一下表面，而一电路形成于上表面上；多个焊盘，形成于下表面的周边；以及一背侧金属层，形成于下表面上。焊盘中的一第一次组焊盘经由...

9、集成电路及三维堆叠的多重芯片模块

[简介]：在适于在互连IC堆叠中使用的集成电路IC中，除了非间断式TSV外还提供间断式硅过孔TSV。间断式TSV提供除了堆叠IC之间的共用并行路径以外的信号路径。这允许使用TSV实施IC识别方案和其他功能，而无需堆叠中的交替的IC角度...

10、在适于堆叠的集成电路中使用间断式硅过孔

[简介]：第一半导体层具有用于检测堆叠式集成电路IC装置中的层到层耦合的第一层到层连接器。第二半导体层具有经配置以电耦合到所述第一层到层连接器的第二层到层连接器。层到层检测电路电耦合到所述第二层到层连接器。所述层到...

11、用于检测堆叠式集成电路装置中的层到层耦合的电路

[简介]：一种堆叠及对位多个集成电路的方法及系统。该方法包含提供一具有至少一漏斗形插槽的第一集成电路，提供一第二集成电路，将第二集成电路至少一突出部与该至少一漏斗形插槽进行对位，以及将该第一集成电路与该第二集成电路进...

12、堆叠及对位多个集成电路的方法及系统

[简介]：本套资料是有关于一种堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法，是在集成电路晶粒或晶圆上形成穿硅介层窗through-siliconvias；TSVs，其中穿硅介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加的高宽比的穿硅介层窗，而更...

13、堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法

[简介]：可通过在对准步骤期间对准多个裸片而不是单个裸片来减少与堆叠式IC装置中的对准相关联的成本。在一个实施例中，将对准结构放置于划痕线中而不是所述裸片自身内。对准四个裸片而不是一个裸片消除了对同样数量的对准指示符...

14、用于三维集成电路堆叠的低成本裸片对晶片对准接合

[简介]：本套资料提供一种具有金属栅极堆叠的集成电路与其形成方法，该集成电路包括半导体基板；栅极堆叠位于半导体基板上，其中栅极堆叠包括高介电材料层与位于高介电材料层上的第一金属层；以及凸起的源极漏极区位于栅极堆叠的侧...

15、具有金属栅极堆叠的集成电路与其形成方法

[简介]：一种防止腐蚀性元素或至少氧化剂与堆叠IC装置10的两个层之间的界面处的金属连接接触的系统和方法。当层被定位成靠近彼此时，在所述层的平坦表面的边界处形成空*。此空*由所述层之间的周边密封件110113界定。在一...

16、堆叠集成电路的腐蚀控制

[简介]：本套资料揭示用于在集成电路封装内堆叠集成电路电路小片的改进的技术。这些改进的技术实现集成电路封装内集成电路电路小片的较大堆叠密度。另外，所述改进的堆叠技术允许使用常规接合技术将各个集成电路电路小片彼此电连接...

17、具有堆叠的集成电路的集成电路封装及其方法

[简介]：可通过在堆叠式IC装置30内构造一个或一个以上主动温度控制装置来改进所述堆叠式IC装置中的热导率。在一个实施例中，所述控制装置为热电TE装置，例如珀耳帖装置。可接着选择性地控制所述TE装置300以按需移除或添加热...

18、用于堆叠式集成电路装置的主动热控制

[简介]：本技术提供了一种集成电路堆叠电容器，包括衬底和在衬底表面上相对设置的第一主极板与第二主极板，所述第一主极板与第二主极板之间设置有扩展极板，所述扩展极板仅与第一主极板或者第二主极板电学连接，两个主极板中未...

19、集成电路堆叠电容器

[简介]：本套资料提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出，穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层，以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统...

20、三维集成电路的堆叠接合界面结构

[简介]：本套资料提供一种多芯片装置和堆叠多个大体相同的芯片来生成该装置的方法。该多芯片装置或者电路包括用于提供至少两个芯片的信号焊盘之间的并行连接的至少一个穿过芯片的过孔，和用于提供至少两个芯片的信号焊盘之间的串行...

21、晶片堆叠、集成电路器件及其制造方法

22、晶片堆叠、集成电路器件及其制造方法

23、堆叠式集成电路与其制造方法

24、具有悬垂连接堆叠的集成电路封装系统

25、具填隙组件的集成电路堆叠构造

26、用于一堆叠式集成电路芯片的封装结构

27、具有堆叠的集成电路的集成电路封装和其方法

28、包含基于SOI的光学部件的多个集成电路的垂直堆叠

29、用于集成电路芯片的可堆叠托盘

30、集成电路堆叠系统及方法

31、包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法

32、具有重新路由层集成电路及堆叠管芯组

33、用于冷却集成电路堆叠的使用多孔烧结物的电渗泵

34、堆叠集成电路封装组件

35、可堆叠的集成电路封装和用于其的方法

36、一种堆叠集成电路

37、集成电路封装的堆叠模组

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